SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
W25N04KWZEIR Winbond Electronics w25n04kwzeir 8.4800
RFQ
ECAD 9263 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜1.95V 8-wson (8x6) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 256-W25N04KWZEIR 3A991B1A 8542.32.0071 63 104 MHz 不揮発性 4gbit 8 ns フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o 700µs
W632GU6NB-12 Winbond Electronics W632GU6NB-12 4.7315
RFQ
ECAD 1032 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-VFBGA W632GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-VFBGA (7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 198 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
W25Q16JVZPSM Winbond Electronics w25q16jvzpsm -
RFQ
ECAD 4830 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson (6x5) - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q16JVZPSM 1 133 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q128FVFAP Winbond Electronics W25Q128FVFAP -
RFQ
ECAD 9250 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス * チューブ 廃止 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) W25Q128 16-SOIC - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q128FVFAP 廃止 1
W25N04KVTBIU Winbond Electronics w25n04kvtbiu 6.3325
RFQ
ECAD 1821年年 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 24-tbga W25N04 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25N04KVTBIU 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o 250µs
W25Q21EWSNSG Winbond Electronics w25q21ewsnsg -
RFQ
ECAD 8584 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) W25Q21 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q21EWSNSG 1 104 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o -
W66CP2NQUAFJ TR Winbond Electronics w66cp2nquafj tr 6.6000
RFQ
ECAD 9728 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 200-WFBGA W66CP2 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-WFBGA (10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W66cp2nquafjtr ear99 8542.32.0036 2,500 2.133 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 128m x 32 LVSTL_11 18ns
W25N02KWTCIU Winbond Electronics w25n02kwtciu 4.3845
RFQ
ECAD 1535 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜1.95V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 256-W25N02KWTCIU 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 2Gbit 8 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
W25Q128BVBAG Winbond Electronics W25Q128BVBAG -
RFQ
ECAD 8826 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 63-VFBGA W25Q128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 63-VFBGA (9x11) - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q128BVBAG 廃止 1 104 MHz 不揮発性 128mbit 7 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W25Q80BVZPBG Winbond Electronics w25q80bvzpbg -
RFQ
ECAD 8171 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q80 フラッシュ - 2.5V〜3.6V 8-wson (6x5) - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q80BVZPBG 廃止 1 104 MHz 不揮発性 8mbit 6 ns フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W97AH6NBVA2E TR Winbond Electronics w97ah6nbva2e tr 3.8700
RFQ
ECAD 8525 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -25°C〜85°C(TC) 表面マウント 134-VFBGA W97AH6 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-VFBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W97AH6NBVA2ETR ear99 8542.32.0032 3,500 400 MHz 揮発性 1gbit ドラム 64m x 16 HSUL_12 15ns
W25Q256JWBIM TR Winbond Electronics w25q256jwbim tr 2.7445
RFQ
ECAD 2929 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga W25Q256 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q256JWBIMTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 5ms
W29N08GZBIBA TR Winbond Electronics W29N08GZBIBA TR 13.2900
RFQ
ECAD 3539 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 63-VFBGA フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜1.95V 63-VFBGA (9x11) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 256-W29N08GZBIBATR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性 8gbit 25 ns フラッシュ 1g x 8 onfi 35NS 、700µs
W25Q80DVSSAG Winbond Electronics W25Q80DVSSAG -
RFQ
ECAD 5673 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) W25Q80 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q80DVSSAG 1 104 MHz 不揮発性 8mbit 6 ns フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 30µs、3ms
W25Q01NWZEIQ TR Winbond Electronics w25q01nwzeiq tr 10.1700
RFQ
ECAD 1766 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q01 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-wson (8x6) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q01NWZEIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 不揮発性 1gbit 7 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o、qpi 3ms
W948D2FKA-5G TR Winbond Electronics W948D2FKA-5G TR -
RFQ
ECAD 8902 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) 前回購入します - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W948D2FKA-5GTR 1
W25Q16JWSSAM Winbond Electronics w25q16jwssam -
RFQ
ECAD 6181 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) W25Q16 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q16JWSSAM 1 133 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q16FWZPAQ Winbond Electronics w25q16fwzpaq -
RFQ
ECAD 2819 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q16 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-wson (6x5) - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q16FWZPAQ 廃止 1 104 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、3ms
W25Q16JVZPIQ Winbond Electronics w25q16jvzpiq 0.6200
RFQ
ECAD 82 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson (6x5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 100 133 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25N01GVTBIR TR Winbond Electronics w25n01gvtbir tr -
RFQ
ECAD 1832年 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga W25N01 フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25N01GVTBIRTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 1gbit 7 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o 700µs
W632GG6NB-11 TR Winbond Electronics w632gg6nb-11 tr 4.1400
RFQ
ECAD 5679 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-VFBGA W632GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA (7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W632GG6NB-11TR ear99 8542.32.0036 3,000 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 SSTL_15 15ns
W632GU8NB09I Winbond Electronics W632GU8NB09I 5.4497
RFQ
ECAD 6859 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-VFBGA W632GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-VFBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 1.067 GHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
W632GG8NB12I TR Winbond Electronics w632gg8nb12i tr 4.6738
RFQ
ECAD 4383 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-VFBGA W632GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W632GG8NB12ITR ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 SSTL_15 15ns
W956D6KBKX7I Winbond Electronics w956d6kbkx7i -
RFQ
ECAD 9617 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 49-WFBGA W956D6 psram(pseudo sram 1.7V〜1.95V 49-wfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W956D6KBKX7I ear99 8542.32.0041 312 133 MHz 揮発性 64mbit 70 ns psram 4m x 16 平行 - 確認されていません
W25Q512JVBIQ Winbond Electronics w25q512jvbiq 7.1400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga W25Q512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
W631GG8NB-12 TR Winbond Electronics w631gg8nb-12 tr 3.0281
RFQ
ECAD 2425 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-VFBGA W631GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W631GG8NB-12TTR ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 SSTL_15 15ns
W631GG8MB09I Winbond Electronics w631gg8mb09i -
RFQ
ECAD 6183 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-VFBGA W631GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W631GG8MB09I ear99 8542.32.0032 242 1.066 GHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 SSTL_15 15ns
W29N02KVBIAF TR Winbond Electronics w29n02kvbiaf tr 4.1859
RFQ
ECAD 8632 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 63-VFBGA W29N02 フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 63-VFBGA (9x11) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W29N02KVBIAFTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性 2Gbit 20 ns フラッシュ 256m x 8 平行 25ns
W77Q32JWSSIR Winbond Electronics W77Q32JWSSIR 1.1718
RFQ
ECAD 8824 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - チューブ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) W77Q32 フラッシュ 1.7V〜1.95V 8-SOIC - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W77Q32JWSSIR 90 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ - spi -quad i/o、qpi -
W25Q64JWZPSQ Winbond Electronics W25Q64JWZPSQ -
RFQ
ECAD 5706 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q64 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-wson (6x5) - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q64JWZPSQ 1 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫