画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | W25Q128FVSAQ | - | ![]() | 7854 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | * | チューブ | 廃止 | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q128 | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128FVSAQ | 廃止 | 1 | ||||||||||||||
W631GU6KB-15 | - | ![]() | 4149 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | W631GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-WBGA (9x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | W25Q80BVSSIG | - | ![]() | 8097 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q80 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||
![]() | W25Q80BVSSAG | - | ![]() | 4804 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q80 | フラッシュ - | 2.5V〜3.6V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q80BVSSAG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
W25Q128FWPBQ | - | ![]() | 8061 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q128 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128FWPBQ | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60μs5ms | ||||
W25M02GWTCIG | - | ![]() | 1282 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25M02 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25M02GWTCIG | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 8 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | ||
w25q128jwpim | 1.5926 | ![]() | 5947 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q128 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128JWPIM | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 100 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - 、3ms | |||
![]() | w25n02kwtbiu | 4.3845 | ![]() | 3037 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 256-W25N02KWTBIU | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 8 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |||
![]() | w25q20ewsnbg | - | ![]() | 5936 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q20 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q20EWSNBG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 6 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | 30µs 、800µs | |||
![]() | w25q16fwuusq | - | ![]() | 3185 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-USON (4x3) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16FWUUSQ | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、3ms | |||
![]() | w29n02kwdibf tr | - | ![]() | 3478 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | W29N02 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 48-VFBGA (8x6.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N02KWDIBFTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,500 | 不揮発性 | 2Gbit | 22 ns | フラッシュ | 128m x 16 | 平行 | 25ns | ||
![]() | w972gg8ks25i | 10.9060 | ![]() | 6503 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 60-TFBGA | W972GG8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-WBGA (8x9.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W972GG8KS25I | ear99 | 8542.32.0036 | 189 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 400 PS | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | |
W25Q32FVTCBQ | - | ![]() | 7696 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32FVTCBQ | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 7 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | ||||
![]() | w631gg8nb12i | 4.8100 | ![]() | 242 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GG8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GG8NB12I | ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | SSTL_15 | 15ns | |
![]() | W9864G2JH-6I | 3.1543 | ![]() | 5045 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | W9864G2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W9864G2JH-6I | ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5 ns | ドラム | 2m x 32 | lvttl | - | |
W631GG6KB-12 | - | ![]() | 7726 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | W631GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-WBGA (9x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | w631gg6kb12 | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | w25x40avdaiz | - | ![]() | 1017 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | W25x40 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 60 | 100 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 3ms | |||
W29GL064CT7S | - | ![]() | 8071 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | W29GL064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | W9816G6JB-6I TR | 2.1011 | ![]() | 8384 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | W9816G6 | SDRAM | 3V〜3.6V | 60-VFBGA (6.4x10.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 166 MHz | 揮発性 | 16mbit | 5 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | ||
w632gu6nb15i | 5.2943 | ![]() | 7792 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W632GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 198 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | w972gg8jb-3i tr | - | ![]() | 3005 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 60-TFBGA | W972GG8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-WBGA (11x11.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 333 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 450 PS | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | ||
W25N04KVTCIR | 6.3325 | ![]() | 5115 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 24-tbga | W25N04 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N04KVTCIR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | spi -quad i/o | 250µs | |||
![]() | W978H6KBVX2I | 6.4200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 134-VFBGA | W978H6 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 168 | 400 MHz | 揮発性 | 256mbit | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | |||
w25q16jlzpig tr | - | ![]() | 5395 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q16 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 3ms | ||||
![]() | w25q16jwsnim tr | - | ![]() | 2003年 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16JWSNIMTR | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||
![]() | W25Q80DVSSIG | 0.5100 | ![]() | 416 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q80 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | Q8351432 | ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||
![]() | w25q257fvfif tr | - | ![]() | 1009 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25Q257 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | |||
![]() | W29N01HWDINA TR | - | ![]() | 7437 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | W29N01 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 48-VFBGA (8x6.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N01HWDINATR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,500 | 不揮発性 | 1gbit | 22 ns | フラッシュ | 64m x 16 | onfi | 25ns | ||
w25q40ewzpig | - | ![]() | 3868 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q40 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q40EWZPIG | 廃止 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o、qpi | 30µs 、800µs | |||
![]() | W632GU8MB-12 TR | - | ![]() | 5813 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | W632GU8 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - |
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