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メモリ（2872）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
W25Q256JWFIM TR Winbond Electronics w25q256jwfim tr -
RFQ
 ECAD 6216 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25Q256 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q256JWFIMTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 5ms
W25Q128JWBIQ Winbond Electronics w25q128jwbiq 1.8798
RFQ
 ECAD 6086 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25Q128 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q128JWBIQ 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o - 、3ms
W972GG8JB-18 TR Winbond Electronics w972gg8jb-18 tr -
RFQ
 ECAD 7153 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA W972GG8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-WBGA （11x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 533 MHz 揮発性 2Gbit 350 PS ドラム 256m x 8 平行 15ns
W631GU6KB-11 Winbond Electronics W631GU6KB-11 -
RFQ
 ECAD 7940 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA W631GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-WBGA （9x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 190 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 -
W632GU6KB15I TR Winbond Electronics w632gu6kb15i tr -
RFQ
 ECAD 9528 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA W632GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-WBGA （9x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,500 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
W25Q64FVTCIG Winbond Electronics w25q64fvtcig -
RFQ
 ECAD 4230 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 480 104 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W631GU6NB12I TR Winbond Electronics w631gu6nb12i tr 4.8800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA W631GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 3,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
W631GG6KB15J Winbond Electronics w631gg6kb15j -
RFQ
 ECAD 7885 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA W631GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-WBGA （9x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 190 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 -
W25Q81DVSSAG Winbond Electronics W25Q81DVSSAG -
RFQ
 ECAD 6643 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q81 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q81DVSSAG 1 80 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o -
W25Q512NWBIM TR Winbond Electronics w25q512nwbim tr -
RFQ
 ECAD 5169 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25Q512 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q512NWBIMTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 512mbit 6 ns フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 3ms
W632GG6NB15I Winbond Electronics w632gg6nb15i 5.2943
RFQ
 ECAD 9425 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA W632GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 198 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
W29N02GVSIAA Winbond Electronics W29N02GVSIAA -
RFQ
 ECAD 7174 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） W29N02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 2Gbit 25 ns フラッシュ 256m x 8 平行 25ns
W74M12JWZEIQ TR Winbond Electronics w74m12jwzeiq tr 2.4000
RFQ
 ECAD 7272 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W74M12 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W74M12JWZEIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o -
W66BM6NBUAFJ Winbond Electronics w66bm6nbuafj 6.5683
RFQ
 ECAD 7483 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA W66BM6 SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-WFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W66BM6NBUAFJ ear99 8542.32.0036 144 1.6 GHz 揮発性 2Gbit 3.5 ns ドラム 128m x 16 LVSTL_11 18ns
W25Q32JVSSJQ Winbond Electronics W25Q32JVSSJQ -
RFQ
 ECAD 6441 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 3ms
W971GG8NB-25 Winbond Electronics W971GG8NB-25 2.9441
RFQ
 ECAD 1757 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-VFBGA W971GG8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-VFBGA （8x9.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W971GG8NB-25 ear99 8542.32.0032 264 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 128m x 8 SSTL_18 15ns
W631GG6MB15I Winbond Electronics w631gg6mb15i -
RFQ
 ECAD 3988 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA W631GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 198 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 -
W25Q16JLSSIG TR Winbond Electronics w25q16jlssig tr -
RFQ
 ECAD 8829 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q16 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q16JLSSIGTR ear99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q20EWSNAG Winbond Electronics w25q20ewsnag -
RFQ
 ECAD 3519 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） W25Q20 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q20EWSNAG 廃止 1 104 MHz 不揮発性 2mbit 6 ns フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 30µs 、800µs
W25N04KVSFIU Winbond Electronics W25N04KVSFIU -
RFQ
 ECAD 3934 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25N04 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 16-SOIC - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N04KVSFIU 3A991B1A 8542.32.0071 44 104 MHz 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o 250µs
W9412G6JB-4 Winbond Electronics W9412G6JB-4 -
RFQ
 ECAD 2564 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA W9412G6 SDRAM -DDR 2.4V〜2.7V 60-tfbga （8x13） - 256-W9412G6JB-4 廃止 1 250 MHz 揮発性 128mbit 650 PS ドラム 8m x 16 SSTL_2 12ns
W29N02KZDIBF Winbond Electronics w29n02kzdibf 5.3310
RFQ
 ECAD 7464 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA W29N02 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 48-VFBGA （8x6.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W29N02KZDIBF 3A991B1A 8542.32.0071 260 不揮発性 2Gbit 22 ns フラッシュ 256m x 8 平行 25ns
W987D2HBJX7E Winbond Electronics W987D2HBJX7E 3.0163
RFQ
 ECAD 6966 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 前回購入します -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 90-TFBGA W987D2 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 240 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 15ns
W74M12JWSSIQ Winbond Electronics W74M12JWSSIQ 3.1100
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W74M12 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 8-SOIC - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W74M12JWSSIQ 3A991B1A 8542.32.0071 90 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 - -
W25X40AVZPIG Winbond Electronics w25x40avzpig -
RFQ
 ECAD 1644 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25x40 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 100 100 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 3ms
W632GU8MB-12 Winbond Electronics W632GU8MB-12 -
RFQ
 ECAD 4412 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W632GU8 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
W25Q16DVWA Winbond Electronics W25Q16DVWA -
RFQ
 ECAD 6622 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 - - - W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q16DVWA 廃止 1 104 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W97BH2MBVA2J TR Winbond Electronics w97bh2mbva2j tr 3.0202
RFQ
 ECAD 6614 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 134-VFBGA W97BH2 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 256-W97BH2MBVA2JTR 3,500 400 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 64m x 32 HSUL_12 15ns
W77Q32JWSSIR TR Winbond Electronics w77q32jwssir tr 1.1151
RFQ
 ECAD 4618 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W77Q32 フラッシュ 1.7V〜1.95V 8-SOIC - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W77Q32JWSSIRTR 2,000 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ - spi -quad i/o、qpi -
W25Q128JWPIM TR Winbond Electronics w25q128jwpim tr 1.4425
RFQ
 ECAD 3394 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q128 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q128JWPIMTR 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o - 、3ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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