画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
W25N01GVTCIT | - | ![]() | 8160 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25N01 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N01GVTCIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | ||
W25N512GVPIR TR | 1.6871 | ![]() | 1104 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25N512 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N512GVPIRTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 6 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | ||
![]() | w25q64jvxgim tr | 0.8014 | ![]() | 4751 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-xson (4x4) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64JVXGIMTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
![]() | w25q01jvsfim tr | 8.9400 | ![]() | 2928 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25Q01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q01JVSFIMTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7.5 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 3.5ms | |
w25n512gvpig tr | 1.6871 | ![]() | 5021 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25N512 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N512GVPIGTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 6 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | ||
![]() | w97ah6nbva1e | 4.5380 | ![]() | 5828 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W97AH6 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W97AH6NBVA1E | ear99 | 8542.32.0032 | 168 | 533 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 64m x 16 | HSUL_12 | 15ns | ||
![]() | w74m00avsnig | 0.8267 | ![]() | 2971 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W74M00AVSNIG | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 80 MHz | 不揮発性 | - | フラッシュ | - | - | ||||
w631gg6nb-09 tr | 3.0202 | ![]() | 4053 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GG6NB-09TR | ear99 | 8542.32.0032 | 3,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | ||
![]() | w25m161aveit | - | ![]() | 6532 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25M161 | フラッシュ -ナンド、フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25M161AVEIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit (flash-nor )、 1gbit(フラッシュナンド) | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
![]() | w25q32jvsnim | 0.6395 | ![]() | 9472 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32JVSNIM | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 100 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
![]() | w25q32jvxgim tr | 0.6131 | ![]() | 6691 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-xson (4x4) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32JVXGIMTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
![]() | w74m01gvzeig tr | - | ![]() | 8473 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W74M01 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W74M01GVZEIGTR | 4,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 6 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
![]() | w25q256jwfim | - | ![]() | 6642 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25Q256 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q256JWFIM | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 5ms | |
![]() | W632GU8NB-15 TR | 4.0953 | ![]() | 2014年 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | W632GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W632GU8NB-15TR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | w25q64jvtbiq | 1.1865 | ![]() | 2187 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64JVTBIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
![]() | w25q16jlsnig | 0.5100 | ![]() | 595 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16JLSNIG | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
![]() | w25n01gvtbit tr | - | ![]() | 7292 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25N01 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N01GVTBITTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
![]() | w979h6kbvx1e tr | 4.9500 | ![]() | 5747 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W979H6 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W979H6KBVX1ETR | ear99 | 8542.32.0028 | 3,500 | 533 MHz | 揮発性 | 512mbit | ドラム | 32m x 16 | HSUL_12 | 15ns | ||
![]() | W25M02GVZEIT | - | ![]() | 8162 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25M02 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25M02GVZEIT | 廃止 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 7 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | ||
![]() | w25q256jvmiq | 2.5322 | ![]() | 4855 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wlga露出パッド | W25Q256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wflga (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q256JVMIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
![]() | w25q256jwciq tr | - | ![]() | 2498 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q256 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q256JWCIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 5ms | |
![]() | w25n01jwzeig tr | 2.9922 | ![]() | 1293 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25N01 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N01JWZEIGTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 6 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
![]() | w25q32jwssim | 0.6578 | ![]() | 3228 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32JWSSIM | ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 5ms | |
![]() | W9825G6JB-6I | - | ![]() | 1491 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | W9825G6 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W9825G6JB-6I | ear99 | 8542.32.0024 | 319 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 16 | lvttl | - | |
![]() | w25q32jvsnim tr | 0.6542 | ![]() | 5195 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32JVSNIMTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
![]() | W25N04KVZEIR TR | 5.5500 | ![]() | 8312 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25N04 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N04KVZEIRTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | spi -quad i/o | 250µs | ||
![]() | W25R512JVFIQ TR | 4.6232 | ![]() | 3255 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25R512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25R512JVFIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi | - | ||
![]() | w25n01gvtbir tr | - | ![]() | 1832年 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25N01 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N01GVTBIRTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
![]() | w25n04kvtbiu | 6.3325 | ![]() | 1821年年 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 24-tbga | W25N04 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N04KVTBIU | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | spi -quad i/o | 250µs | ||
![]() | w25n512gveig tr | 1.9405 | ![]() | 6333 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25N512 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N512GVEIGTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 6 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 700µs |
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