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メモリ（2872）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
W632GU8MB-12 TR Winbond Electronics W632GU8MB-12 TR -
RFQ
 ECAD 5813 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W632GU8 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
W25Q32JVSTIQ Winbond Electronics W25Q32JVSTIQ -
RFQ
 ECAD 5903 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VSOP ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 3ms
W948D6DBHX5I Winbond Electronics w948d6dbhx5i -
RFQ
 ECAD 8904 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 312
W979H6KBVX2I Winbond Electronics W979H6KBVX2I 5.8044
RFQ
 ECAD 5295 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 134-VFBGA W979H6 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 168 400 MHz 揮発性 512mbit ドラム 32m x 16 平行 15ns
W74M64FVSSIQ TR Winbond Electronics W74M64FVSSIQ TR -
RFQ
 ECAD 4033 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W74M64 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-SOIC - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 256-W74M64FVSSIQTR 廃止 8542.32.0071 2,000 80 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o -
W29GL256PL9B TR Winbond Electronics w29gl256pl9b tr -
RFQ
 ECAD 2587 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga W29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-lfbga（11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 256mbit 90 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 90ns
W25Q32JVSSJQ Winbond Electronics W25Q32JVSSJQ -
RFQ
 ECAD 6441 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 3ms
W631GG6NB-12 TR Winbond Electronics w631gg6nb-12 tr 4.2400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W631GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 3,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 SSTL_15 15ns
W631GU8NB-11 Winbond Electronics W631GU8NB-11 3.3415
RFQ
 ECAD 4468 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W631GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GU8NB-11 ear99 8542.32.0032 242 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
W631GG6NB-11 Winbond Electronics w631gg6nb-11 4.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W631GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG6NB-11 ear99 8542.32.0032 198 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 SSTL_15 15ns
W631GU6NB-11 Winbond Electronics W631GU6NB-11 3.3537
RFQ
 ECAD 5319 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W631GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GU6NB-11 ear99 8542.32.0032 198 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
W631GU6NB-09 Winbond Electronics W631GU6NB-09 3.4262
RFQ
 ECAD 6621 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W631GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GU6NB-09 ear99 8542.32.0032 198 1.066 GHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
W631GG6MB-09 Winbond Electronics W631GG6MB-09 -
RFQ
 ECAD 3210 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W631GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG6MB-09 廃止 198 1.066 GHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 SSTL_15 15ns
W631GG6NB-09 Winbond Electronics w631gg6nb-09 3.4262
RFQ
 ECAD 9211 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W631GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG6NB-09 ear99 8542.32.0032 198 1.066 GHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 SSTL_15 15ns
W971GG8NB25I Winbond Electronics w971gg8nb25i 3.4137
RFQ
 ECAD 4003 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 60-VFBGA W971GG8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-VFBGA （8x9.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W971GG8NB25I ear99 8542.32.0032 264 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 128m x 8 SSTL_18 15ns
W971GG6NB-18 Winbond Electronics w971gg6nb-18 3.8000
RFQ
 ECAD 310 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA W971GG6 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TFBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W971GG6NB-18 ear99 8542.32.0028 209 533 MHz 揮発性 1gbit 350 PS ドラム 64m x 16 SSTL_18 15ns
W971GG8NB-25 Winbond Electronics W971GG8NB-25 2.9441
RFQ
 ECAD 1757 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-VFBGA W971GG8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-VFBGA （8x9.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W971GG8NB-25 ear99 8542.32.0032 264 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 128m x 8 SSTL_18 15ns
W631GG6NB15I Winbond Electronics w631gg6nb15i 4.7200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA W631GG6 SDRAM -DDR3 1.4V〜1.6V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG6NB15I ear99 8542.32.0032 198 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 SSTL_15 15ns
W25Q16JWXHIQ TR Winbond Electronics w25q16jwxhiq tr 0.7300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド W25Q16 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-xson （2x3） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q16JWXHIQTRDKR ear99 8542.32.0071 4,000 133 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25N04KVZEIR Winbond Electronics W25N04KVZEIR 6.0522
RFQ
 ECAD 3828 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25N04 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N04KVZEIR 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o 250µs
W25Q256JWBIM TR Winbond Electronics w25q256jwbim tr 2.7445
RFQ
 ECAD 2929 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25Q256 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q256JWBIMTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 5ms
W978H2KBVX1E Winbond Electronics W978H2KBVX1E 5.1184
RFQ
 ECAD 9299 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 新しいデザインではありません -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-VFBGA W978H2 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W978H2KBVX1E ear99 8542.32.0024 168 533 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 8m x 32 HSUL_12 15ns
W97AH2NBVA2E TR Winbond Electronics w97ah2nbva2e tr 3.8700
RFQ
 ECAD 9431 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-VFBGA W97AH2 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W97AH2NBVA2ETR ear99 8542.32.0032 3,500 400 MHz 揮発性 1gbit ドラム 32m x 32 HSUL_12 15ns
W25N512GVEIR TR Winbond Electronics w25n512gveir tr 1.9405
RFQ
 ECAD 2767 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25N512 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N512GVEIRTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 166 MHz 不揮発性 512mbit 6 ns フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 700µs
W25N01GWTCIG Winbond Electronics W25N01GWTCIG 3.4567
RFQ
 ECAD 1542 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25N01 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N01GWTCIG 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 1gbit 8 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o 700µs
W63AH2NBVABI TR Winbond Electronics w63ah2nbvabi tr 4.3693
RFQ
 ECAD 8478 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 178-VFBGA W63AH2 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 178-VFBGA （11x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W63AH2NBVABITR ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 5.5 ns ドラム 32m x 32 HSUL_12 15ns
W632GG8NB12I TR Winbond Electronics w632gg8nb12i tr 4.6738
RFQ
 ECAD 4383 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W632GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W632GG8NB12ITR ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 SSTL_15 15ns
W25Q256JWFIQ TR Winbond Electronics w25q256jwfiq tr 2.4551
RFQ
 ECAD 3579 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25Q256 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q256JWFIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 5ms
W29N01HVDINF TR Winbond Electronics W29N01HVDINF TR 2.7628
RFQ
 ECAD 8782 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA W29N01 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-VFBGA （8x6.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W29N01HVDINFTR 3A991B1A 8542.32.0071 3,500 不揮発性 1gbit 20 ns フラッシュ 128m x 8 平行 25ns
W631GU6NB15I Winbond Electronics w631gu6nb15i 4.7200
RFQ
 ECAD 188 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA W631GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GU6NB15I ear99 8542.32.0032 198 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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