画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | W25N512GWYIR TR | - | ![]() | 3762 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-ufbga、wlcsp | W25N512 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 48-wlcsp | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N512GWYIRTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 7 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
![]() | W25Q80DLUXIE TR | 0.6700 | ![]() | 626 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | W25Q80 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q80DLUXIETRCT | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 80 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 30µs、3ms | ||
![]() | w956d6kbkx7i tr | 2.5650 | ![]() | 8504 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 49-WFBGA | W956D6 | psram(pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 49-wfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W956D6KBKX7ITR | ear99 | 8542.32.0041 | 5,000 | 133 MHz | 揮発性 | 64mbit | 70 ns | psram | 4m x 16 | 平行 | - | |
W25Q32JVTCIM | - | ![]() | 3260 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32JVTCIM | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||
![]() | W632GU8NB-09 TR | 4.2475 | ![]() | 8377 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | W632GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W632GU8NB-09TR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | W9816G6JB-5 | 2.3023 | ![]() | 2451 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 新しいデザインではありません | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-TFBGA | W9816G6 | SDRAM | 3V〜3.6V | 60-VFBGA (6.4x10.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W9816G6JB-5 | ear99 | 8542.32.0002 | 286 | 200 MHz | 揮発性 | 16mbit | 4.5 ns | ドラム | 1m x 16 | lvttl | - | |
![]() | w63ah2nbvabi | 4.9953 | ![]() | 3072 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 178-VFBGA | W63AH2 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 178-VFBGA (11x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W63AH2NBVABI | ear99 | 8542.32.0032 | 189 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5.5 ns | ドラム | 32m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |
![]() | W97BH2MBVA1E | 6.3973 | ![]() | 8121 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W97BH2 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W97BH2MBVA1E | ear99 | 8542.32.0036 | 168 | 533 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 64m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||
![]() | w63ah2nbvadi tr | 4.3693 | ![]() | 4582 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 178-VFBGA | W63AH2 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 178-VFBGA (11x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W63AH2NBVADITR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1gbit | 5.5 ns | ドラム | 32m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |
W25M02GWTCIG | - | ![]() | 1282 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25M02 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25M02GWTCIG | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 8 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | ||
![]() | W631GU8NB-09 TR | 3.1427 | ![]() | 4333 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GU8NB-09TR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | w97bh2mbva1e tr | 5.6550 | ![]() | 6801 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W97BH2 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W97BH2MBVA1ETR | ear99 | 8542.32.0036 | 3,500 | 533 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 64m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||
![]() | w25r128jweiq tr | 2.0767 | ![]() | 2235 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25R128 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-wson (8x6) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25R128JWEIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | - | ||
![]() | w25q512nwfiq tr | 5.4150 | ![]() | 7046 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25Q512 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q512NWFIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 6 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
![]() | W978H6KBVX1E TR | 4.3650 | ![]() | 1383 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W978H6 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W978H6KBVX1ETR | ear99 | 8542.32.0024 | 3,500 | 533 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 16m x 16 | HSUL_12 | 15ns | |
W29N01HWSINA TR | - | ![]() | 6686 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | W29N01 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N01HWSINATR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 1gbit | 22 ns | フラッシュ | 64m x 16 | onfi | 25ns | |||
![]() | W989D6DBGX6E | 3.2692 | ![]() | 1363 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 54-TFBGA | W989D6 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA (8x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W989D6DBGX6E | ear99 | 8542.32.0028 | 312 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5 ns | ドラム | 32m x 16 | lvcmos | 15ns | |
![]() | w632gu8nb09i tr | 4.7803 | ![]() | 1057 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W632GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W632GU8NB09ITR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | W25N512GWBIR TR | - | ![]() | 1507 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25N512 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N512GWBIRTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 7 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
W29N01HVSINA TR | 2.8538 | ![]() | 9074 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | W29N01 | フラッシュ-nand(slc) | 1.65V〜1.95V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N01HVSINATR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||
W25N512GVPIT TR | 1.6871 | ![]() | 8377 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25N512 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N512GVPITTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 6 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | ||
![]() | w25n512gvfir tr | 1.9694 | ![]() | 1672 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25N512 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N512GVFIRTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 6 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
![]() | W631GU8NB-11 TR | 3.0936 | ![]() | 7558 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GU8NB-11TR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | |
W25N512GVPIR | 1.9638 | ![]() | 3900 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25N512 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N512GVPIR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 166 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 6 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | ||
![]() | W25N512GVBIT | - | ![]() | 1631 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25N512 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N512GVBIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 166 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 7 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
![]() | w25q64jwuuiq tr | 0.8975 | ![]() | 7605 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | W25Q64 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-USON (4x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64JWUUIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
W25R256JWPIQ | 4.5600 | ![]() | 649 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25R256 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-wson (6x5) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25R256JWPIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 104 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi | - | |||
![]() | W25N01GVTBIG TR | 2.9775 | ![]() | 7111 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25N01 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N01GVTBIGTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
![]() | W25N512GVFIG | 2.1360 | ![]() | 5430 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25N512 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N512GVFIG | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 166 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 7 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
![]() | w25n04kvsfiu tr | - | ![]() | 2415 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25N04 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N04KVSFIUTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | spi -quad i/o | 250µs |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫