画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | sicプログラム可能 | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
w632gg6mb15i | - | ![]() | 3546 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W632GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 198 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | w25q256fveiq tr | - | ![]() | 3584 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | ||||
![]() | W632GU8MB11I | - | ![]() | 8495 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W632GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | |||
![]() | w97ah6kbvx2e tr | - | ![]() | 1060 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W97AH6 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 3,500 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | W29GL064CH7B | - | ![]() | 3492 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | W29GL064 | フラッシュ - | 確認されていません | 2.7V〜3.6V | 64-lfbga(11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 171 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | W25M512JVEIQ | 6.2902 | ![]() | 9746 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25M512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 63 | 104 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi | - | ||||
![]() | w25q32jwxgig tr | - | ![]() | 5859 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | W25Q32 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-xson (4x4) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | W25Q32JWXGIGTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 60μs5ms | |||
![]() | W29GL256SL9B TR | - | ![]() | 7423 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | W29GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-lfbga(11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 256mbit | 90 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 90ns | ||||
![]() | w631gg8nb-15 tr | 2.9626 | ![]() | 2087 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GG8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GG8NB-15TR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | SSTL_15 | 15ns | ||
![]() | W25N01GVZEIG | 5.1500 | ![]() | 8062 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25N01 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N01GVZEIG | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | ||
![]() | w25q128fvaiq tr | - | ![]() | 4318 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | ||||
![]() | W97BH2KBVX2E | - | ![]() | 3043 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W97BH2 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 168 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | w25q16fwsniq | - | ![]() | 5360 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、3ms | ||||
![]() | W25Q32FWSTIG | - | ![]() | 7308 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-VSOP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60μs5ms | ||||
![]() | w25q128fwfig tr | - | ![]() | 3238 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25Q128 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60μs5ms | ||||
![]() | W9425G6KH-5 TR | 1.7996 | ![]() | 5561 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | W9425G6 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 55 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | |||
W632GG6KB12J | - | ![]() | 9140 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | W632GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-WBGA (9x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | ||||
W632GG6MB15J | - | ![]() | 1775 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W632GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | ||||
w25q32fvzpiq | - | ![]() | 2251 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q32 | フラッシュ - | 確認されていません | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | ||||
w25q16dvzpig tr | - | ![]() | 2186 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||||
![]() | w971gg6nb-18i tr | 3.1918 | ![]() | 9326 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | W971GG6 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TFBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W971GG6NB-18ITR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 533 MHz | 揮発性 | 1gbit | 350 PS | ドラム | 64m x 16 | SSTL_18 | 15ns | ||
w25r256jwpiq tr | 3.1050 | ![]() | 5754 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25R256 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-wson (6x5) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25R256JWPIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi | - | ||||
W632GG6MB-15 | - | ![]() | 4982 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-VFBGA | W632GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 198 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | w25x40bvdaig | - | ![]() | 9562 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | W25x40 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 3ms | ||||
![]() | w632gu8kb12i tr | - | ![]() | 7390 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | W632GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-WBGA(10.5x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | - | |||
![]() | W987D2HBJX6I | - | ![]() | 9007 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | W987D2 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA (8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | 15ns | |||
![]() | w972gg6jb-3 tr | - | ![]() | 5543 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | W972GG6 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-WBGA (11x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 333 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 450 PS | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
W947D6HBHX5I | - | ![]() | 2228 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | W947D6 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-VFBGA (8x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 312 | 200 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | W25Q32FVSSIG TR | - | ![]() | 6078 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | ||||
![]() | W25Q32JVSFJM | - | ![]() | 7212 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms |
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