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メモリ（2872）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー sicプログラム可能 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
W971GG8SB25I TR Winbond Electronics w971gg8sb25i tr -
RFQ
 ECAD 2704 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 60-TFBGA W971GG8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-WBGA （8x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,500 200 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
W25Q32JWZPIQ Winbond Electronics w25q32jwzpiq 0.9200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q32 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 100 133 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 5ms
W632GU8KT-12 Winbond Electronics W632GU8KT-12 -
RFQ
 ECAD 9817 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W632GU8 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 78-VFBGA （8x10.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
W632GG6KB-12 Winbond Electronics W632GG6KB-12 -
RFQ
 ECAD 9336 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA W632GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-WBGA （9x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
W632GU6KB-11 Winbond Electronics W632GU6KB-11 -
RFQ
 ECAD 4049 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA W632GU6 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 96-WBGA （9x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 190 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
W25X40BVSSIG Winbond Electronics w25x40bvssig -
RFQ
 ECAD 9413 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25x40 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 90 104 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 3ms
W25Q16JVSSIQ Winbond Electronics W25Q16JVSSIQ 0.5100
RFQ
 ECAD 353 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 90 133 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25M02GVSFJR Winbond Electronics W25M02GVSFJR -
RFQ
 ECAD 2486 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25M02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25M02GVSFJR 廃止 44 104 MHz 不揮発性 2Gbit 7 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
W29GL064CH7B Winbond Electronics W29GL064CH7B -
RFQ
 ECAD 3492 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga W29GL064 フラッシュ - 確認されていません 2.7V〜3.6V 64-lfbga（11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 171 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
W632GU8MB11I Winbond Electronics W632GU8MB11I -
RFQ
 ECAD 8495 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W632GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
W25Q256FVEIQ TR Winbond Electronics w25q256fveiq tr -
RFQ
 ECAD 3584 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 104 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W97AH6KBVX2E TR Winbond Electronics w97ah6kbvx2e tr -
RFQ
 ECAD 1060 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-VFBGA W97AH6 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 3,500 400 MHz 揮発性 1gbit ドラム 64m x 16 平行 15ns
W988D6FBGX7E TR Winbond Electronics w988d6fbgx7e tr -
RFQ
 ECAD 4233 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 54-TFBGA W988D6 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 54-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 15ns
W25Q80BLSNIG TR Winbond Electronics w25q80blsnig tr -
RFQ
 ECAD 3299 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） W25Q80 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,000 80 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 800µs
W25Q64FWSSIG TR Winbond Electronics w25q64fwssig tr -
RFQ
 ECAD 1242 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q64 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 5ms
W9464G6KH-5 TR Winbond Electronics W9464G6KH-5 TR 1.2326
RFQ
 ECAD 2735 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） W9464G6 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 200 MHz 揮発性 64mbit 55 ns ドラム 4m x 16 平行 15ns
W632GU6AB-15 Winbond Electronics W632GU6AB-15 -
RFQ
 ECAD 5084 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ sicで中止されました 0°C〜95°C （TC - - W632GU6 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 190 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
W25Q80DVZPIG TR Winbond Electronics w25q80dvzpig tr 0.4517
RFQ
 ECAD 3354 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q80 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 5,000 104 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 3ms
W29N08GZBIBF Winbond Electronics W29N08GZBIBF 14.6834
RFQ
 ECAD 2902 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 256-W29N08GZBIBF 3A991B1A 8542.32.0071 210 不揮発性 8gbit 25 ns フラッシュ 1g x 8 onfi 35NS 、700µs
W988D2FBJX6I Winbond Electronics w988d2fbjx6i -
RFQ
 ECAD 2900 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA W988D2 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 240 166 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
W97AH6NBVA1E TR Winbond Electronics w97ah6nbva1e tr 3.9000
RFQ
 ECAD 9047 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-VFBGA W97AH6 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W97AH6NBVA1ETR ear99 8542.32.0032 3,500 533 MHz 揮発性 1gbit ドラム 64m x 16 HSUL_12 15ns
W987D6HBGX6I Winbond Electronics W987D6HBGX6I -
RFQ
 ECAD 9290 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA W987D6 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 54-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 312 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
W631GG8KB12I TR Winbond Electronics w631gg8kb12i tr -
RFQ
 ECAD 6337 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA W631GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-WBGA（10.5x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 -
W632GG8MB12I Winbond Electronics w632gg8mb12i -
RFQ
 ECAD 3218 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W632GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA（10.5x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
W25Q32FVSFIQ Winbond Electronics W25Q32FVSFIQ -
RFQ
 ECAD 5272 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 44 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W9825G6JH-6I Winbond Electronics W9825G6JH-6I -
RFQ
 ECAD 8327 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） W9825G6 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない W9825G6JH6I ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 256mbit 5 ns ドラム 16m x 16 平行 -
W631GG6NB-11 Winbond Electronics w631gg6nb-11 4.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W631GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG6NB-11 ear99 8542.32.0032 198 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 SSTL_15 15ns
W631GU6MB-11 TR Winbond Electronics W631GU6MB-11 TR -
RFQ
 ECAD 6048 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W631GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 3,000 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 -
W948D6FBHX5E TR Winbond Electronics w948d6fbhx5e tr -
RFQ
 ECAD 4127 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 60-TFBGA W948D6 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 200 MHz 揮発性 256mbit 5 ns ドラム 16m x 16 平行 15ns
W29N01HWBINF TR Winbond Electronics W29N01HWBINF TR 3.1657
RFQ
 ECAD 2354 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA W29N01 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W29N01HWBINFTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性 1gbit 22 ns フラッシュ 64m x 16 onfi 25ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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