画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
W25Q16JVZPSQ | - | ![]() | 1818年 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16JVZPSQ | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||||
![]() | W25Q80DVSSAG | - | ![]() | 5673 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q80 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q80DVSSAG | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 30µs、3ms | ||||
w25q80dvzpbg | - | ![]() | 3485 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q80 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q80DVZPBG | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 30µs、3ms | |||||
![]() | w25q80dvuxbe | - | ![]() | 5046 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | W25Q80 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-USON | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q80DVUXBE | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 30µs、3ms | ||||
![]() | W25Q81DVSSSG | - | ![]() | 3429 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q81 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q81DVSSSG | 1 | 80 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | - | |||||
![]() | W25Q81DVSSAG | - | ![]() | 6643 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q81 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q81DVSSAG | 1 | 80 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | - | |||||
![]() | W25Q81DVSNSG | - | ![]() | 1194 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q81 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q81DVSNSG | 1 | 80 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | - | |||||
![]() | W25Q80DVSNBG | - | ![]() | 4982 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q80 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q80DVSNBG | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 30µs、3ms | ||||
w25q81dvxhag | - | ![]() | 6076 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | W25Q81 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-xson (2x3) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q81DVXHAG | 1 | 80 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||||
![]() | W25Q16DWNB03 | - | ![]() | 3623 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | - | - | - | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | - | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16DWNB03 | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 7 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 40µs、3ms | |||
![]() | w25q16dwuuag | - | ![]() | 7419 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-USON (4x3) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16DWUUAG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 7 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 40µs、3ms | |||
w25q16dwzpag | - | ![]() | 7425 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16DWZPAG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 7 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 40µs、3ms | ||||
![]() | w25q16dwsnbg | - | ![]() | 9740 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16DWSNBG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 7 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 40µs、3ms | |||
![]() | W25Q16DWSSAG | - | ![]() | 2900 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16DWSSAG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 7 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 40µs、3ms | |||
![]() | w25q16jwssam | - | ![]() | 6181 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16JWSSAM | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
w25q16dwzpsg | - | ![]() | 3615 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16DWZPSG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 7 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 40µs、3ms | ||||
![]() | W25Q16DWNB01 | - | ![]() | 8146 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | - | - | - | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | - | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16DWNB01 | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 7 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 40µs、3ms | |||
w25q16jwzpsm | - | ![]() | 2735 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16JWZPSM | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||||
![]() | W632GU8NB-12 TR | 4.1562 | ![]() | 4691 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | W632GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W632GU8NB-12TR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | w63ah6nbvadi tr | 4.3693 | ![]() | 6746 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 178-VFBGA | W63AH6 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 178-VFBGA (11x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W63AH6NBVADITR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1gbit | 5.5 ns | ドラム | 64m x 16 | HSUL_12 | 15ns | |
![]() | w25n02jwtbif tr | 5.1250 | ![]() | 1529 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25N02 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N02JWTBIFTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 6 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
![]() | W25M512JWBIQ | 5.9586 | ![]() | 2720 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25M512 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25M512JWBIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 7 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi | 5ms | |
![]() | W25M512JWEIQ TR | 5.7900 | ![]() | 5335 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25M512 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25M512JWEIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 7 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi | 5ms | |
![]() | w25n512gwfir tr | 2.1628 | ![]() | 7454 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25N512 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N512GWFIRTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 7 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
![]() | W978H2KBVX2E TR | 4.3650 | ![]() | 2238 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W978H2 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W978H2KBVX2ETR | ear99 | 8542.32.0024 | 3,500 | 400 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |
![]() | w29n01hzdinf tr | 3.0423 | ![]() | 4510 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | W29N01 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 48-VFBGA (8x6.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N01HZDINFTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,500 | 不揮発性 | 1gbit | 22 ns | フラッシュ | 128m x 8 | onfi | 25ns | ||
![]() | w25q01nwzeiq tr | 10.1700 | ![]() | 1766 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q01 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q01NWZEIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 3ms | |
![]() | w25q64jwtbiq tr | - | ![]() | 8585 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q64 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64JWTBIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
![]() | w29n01hzbinf tr | 3.1657 | ![]() | 7029 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | W29N01 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA (9x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N01HZBINFTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 1gbit | 22 ns | フラッシュ | 128m x 8 | onfi | 25ns | ||
![]() | W71NW21GD1DW | - | ![]() | 1247 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 130-VFBGA | W71NW21 | フラッシュ-nand、dram -lpddr | 1.7V〜1.95V | 130-fbga (8x9) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W71NW21GD1DW | 240 | 不揮発性、揮発性 | 2GBIT (NAND | フラッシュ、ラム | - | - | - |
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