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メモリ（2872）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	sicプログラム可能	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
W631GU6KB12I	-	RFQ	4646	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA	W631GU6	SDRAM -DDR3L		1.283V〜1.45V	96-WBGA （9x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	190	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	-
W25Q128FVSJP	-	RFQ	7253	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	チューブ	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）	W25Q128	フラッシュ -		2.7V〜3.6V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	1	104 MHz	不揮発性	128mbit		フラッシュ	16m x 8	spi -quad i/o、qpi	50µs、3ms
W29GL064CL7B	-	RFQ	5707	ウィンボンドエレクトロニクス	-	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	64-lbga	W29GL064	フラッシュ -		2.7V〜3.6V	64-lfbga（11x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	171		不揮発性	64mbit	70 ns	フラッシュ	8m x 8、4m x 16	平行	70ns
W631GU6MB-15	-	RFQ	2273	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	廃止	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-VFBGA	W631GU6	SDRAM -DDR3L		1.283V〜1.45V	96-VFBGA （7.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	198	667 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	-
W25Q128JVSJQ	-	RFQ	7594	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	チューブ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）	W25Q128	フラッシュ -		2.7V〜3.6V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	90	133 MHz	不揮発性	128mbit		フラッシュ	16m x 8	spi -quad i/o	3ms
W25Q32FVSSIP	-	RFQ	1237	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）	W25Q32	フラッシュ -	確認されていません	2.7V〜3.6V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	90	104 MHz	不揮発性	32mbit		フラッシュ	4m x 8	spi -quad i/o、qpi	50µs、3ms
W25Q64CVSFJG	-	RFQ	9361	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	チューブ	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	W25Q64	フラッシュ -		2.7V〜3.6V	16-SOIC	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		廃止	0000.00.0000	1	80 MHz	不揮発性	64mbit		フラッシュ	8m x 8	spi -quad i/o	50µs、3ms
w25q40ewsnig	0.5000	RFQ	1	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	チューブ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	W25Q40	フラッシュ -		1.65V〜1.95V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	不揮発性	4mbit		フラッシュ	512k x 8	spi -quad i/o、qpi	800µs
w25q16fwzpbq	-	RFQ	1946年年	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-wdfn露出パッド	W25Q16	フラッシュ -		1.65V〜1.95V	8-wson （6x5）	-		3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W25Q16FWZPBQ	廃止		1	104 MHz	不揮発性	16mbit	6 ns	フラッシュ	2m x 8	spi -quad i/o、qpi	60µs、3ms
W9412G6KH-5I	1.7857	RFQ	2130	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	W9412G6	SDRAM -DDR		2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	108	200 MHz	揮発性	128mbit	50 ns	ドラム	8m x 16	平行	15ns
w25q128bvfjp tr	-	RFQ	1108	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	W25Q128	フラッシュ -		2.7V〜3.6V	16-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	w25q128bvfjptr	3A991B1A	8542.32.0071	1,000	104 MHz	不揮発性	128mbit		フラッシュ	16m x 8	spi -quad i/o	50µs、3ms
w632gg8mb12i	-	RFQ	3218	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-VFBGA	W632GG8	SDRAM -DDR3		1.425V〜1.575V	78-VFBGA（10.5x8）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	242	800 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	-
W25M512JVEIQ	6.2902	RFQ	9746	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	チューブ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-wdfn露出パッド	W25M512	フラッシュ -		2.7V〜3.6V	8-wson （8x6）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	63	104 MHz	不揮発性	512mbit		フラッシュ	64m x 8	spi	-
w25q256jvbjq	-	RFQ	5932	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	チューブ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	24-tbga	W25Q256	フラッシュ -		2.7V〜3.6V	24-tfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.39.0001	480	133 MHz	不揮発性	256mbit		フラッシュ	32m x 8	spi -quad i/o	3ms
w25m161aveit	-	RFQ	6532	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-wdfn露出パッド	W25M161	フラッシュ -ナンド、フラッシュ -		2.7V〜3.6V	8-wson （8x6）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W25M161AVEIT	3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	不揮発性	16mbit （flash-nor ）、 1gbit（フラッシュナンド）	6 ns	フラッシュ	2m x 8	spi -quad i/o	3ms
w25q128fweiq tr	-	RFQ	6768	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-wdfn露出パッド	W25Q128	フラッシュ -		1.65V〜1.95V	8-wson （8x6）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W25Q128FWEIQTR	廃止		4,000	104 MHz	不揮発性	128mbit		フラッシュ	16m x 8	spi -quad i/o、qpi	60μs5ms
W948D2FBJX6E	-	RFQ	5352	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	廃止	-25°C〜85°C（TC）	表面マウント	90-TFBGA	W948D2	sdram- lpddr		1.7V〜1.95V	90-VFBGA （8x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	240	166 MHz	揮発性	256mbit	5 ns	ドラム	8m x 32	平行	15ns
w25q32jvtcjm tr	-	RFQ	4543	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	24-tbga	W25Q32	フラッシュ -		2.7V〜3.6V	24-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	w25q32jvtcjmtr	3A991B1A	8542.32.0071	2,000	133 MHz	不揮発性	32mbit		フラッシュ	4m x 8	spi -quad i/o	3ms
w25x80vdaiz	-	RFQ	1327	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	穴を通して	8-dip （0.300 "、7.62mm）	W25x80	フラッシュ		2.7V〜3.6V	8-pdip	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	90	75 MHz	不揮発性	8mbit		フラッシュ	1m x 8	spi	3ms
w25q80bvsnig tr	-	RFQ	3775	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	W25Q80	フラッシュ -		2.7V〜3.6V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	2,500	104 MHz	不揮発性	8mbit		フラッシュ	1m x 8	spi -quad i/o	3ms
w25q64fvsfjq tr	-	RFQ	7128	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	W25Q64	フラッシュ -		2.7V〜3.6V	16-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	W25Q64FVSFJQTR	3A991B1A	8542.32.0071	1,000	104 MHz	不揮発性	64mbit		フラッシュ	8m x 8	spi -quad i/o、qpi	50µs、3ms
w63ah2nbvabi tr	4.3693	RFQ	8478	ウィンボンドエレクトロニクス	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	178-VFBGA	W63AH2	SDRAM- lpddr3		1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V	178-VFBGA （11x11.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W63AH2NBVABITR	ear99	8542.32.0032	2,000	800 MHz	揮発性	1gbit	5.5 ns	ドラム	32m x 32	HSUL_12	15ns
W632GU8KB12I	-	RFQ	4722	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	sicで中止されました	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-TFBGA	W632GU8	SDRAM -DDR3L		1.283V〜1.45V	78-WBGA（10.5x8）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	190	800 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	256m x 8	平行	-
w955n8mbya5i	1.3828	RFQ	7081	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	24-tbga		ハイパーラム		2.7V〜3.6V	24-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		256-W955N8MBYA5I			312	200 MHz	揮発性	32mbit	35 ns	ドラム	4m x 8	ハイパーバス	35ns
w25q128fveiq tr	-	RFQ	8472	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-wdfn露出パッド	W25Q128	フラッシュ -		2.7V〜3.6V	8-wson （8x6）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	104 MHz	不揮発性	128mbit		フラッシュ	16m x 8	spi -quad i/o、qpi	50µs、3ms
W632GU6AB-11	-	RFQ	2961	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	sicで中止されました	0°C〜95°C （TC	-	-	W632GU6	SDRAM -DDR3		1.283V〜1.45V	-	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	190	933 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	-
w972gg8jb-18 tr	-	RFQ	7153	ウィンボンドエレクトロニクス	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	60-TFBGA	W972GG8	SDRAM -DDR2		1.7V〜1.9V	60-WBGA （11x11.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	1,500	533 MHz	揮発性	2Gbit	350 PS	ドラム	256m x 8	平行	15ns
w632gu6kb15i tr	-	RFQ	9528	ウィンボンドエレクトロニクス	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA	W632GU6	SDRAM -DDR3L		1.283V〜1.45V	96-WBGA （9x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	2,500	667 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	-
W631GU6KB-11	-	RFQ	7940	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	廃止	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA	W631GU6	SDRAM -DDR3L		1.283V〜1.45V	96-WBGA （9x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		廃止	0000.00.0000	190	933 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	-
w63ah2nbvadi tr	4.3693	RFQ	4582	ウィンボンドエレクトロニクス	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	178-VFBGA	W63AH2	SDRAM- lpddr3		1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V	178-VFBGA （11x11.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W63AH2NBVADITR	ear99	8542.32.0032	2,000	1.066 GHz	揮発性	1gbit	5.5 ns	ドラム	32m x 32	HSUL_12	15ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（2872）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²