画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
W632GU6KB-15 | - | ![]() | 8875 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | W632GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-WBGA (9x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | W632GU8KB12I | - | ![]() | 4722 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | W632GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-WBGA(10.5x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | - | ||
![]() | W29GL256SL9B TR | - | ![]() | 7423 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | W29GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-lfbga(11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 256mbit | 90 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 90ns | |||
![]() | w25q128fvaig tr | - | ![]() | 6935 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | |||
w25q16dwzpig tr | - | ![]() | 6210 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 40µs、3ms | ||||
![]() | W9751G8KB-25 TR | - | ![]() | 3862 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 60-TFBGA | W9751G8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-WBGA (8x12.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | w971gg8nb-25 tr | 2.7171 | ![]() | 4522 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 60-VFBGA | W971GG8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-VFBGA (8x9.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W971GG8NB-25TR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 128m x 8 | SSTL_18 | 15ns | |
![]() | w971gg8jb25i | - | ![]() | 7987 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 60-TFBGA | W971GG8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-WBGA (8x12.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 209 | 200 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | w25q16dvdaig tr | - | ![]() | 7809 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
![]() | W632GU8MB-12 TR | - | ![]() | 5813 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | W632GU8 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | w25q16fwsniq | - | ![]() | 5360 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、3ms | |||
![]() | w25q16dvsnjg tr | - | ![]() | 9452 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | w25q16dvsnjgtr | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | ||
![]() | W25Q64CVSSSG | - | ![]() | 9610 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64CVSSSG | 廃止 | 1 | 80 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
![]() | W25Q128JVBSQ | - | ![]() | 4476 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128JVBSQ | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
![]() | w25q64jvzeim | 1.0546 | ![]() | 2573 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 63 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||
W29N02KVSIAE | 4.6243 | ![]() | 2870 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | W29N02 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N02KVSIAE | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 2Gbit | 20 ns | フラッシュ | 256m x 8 | onfi | 25ns | |||
![]() | W9825G6JB-6I TR | - | ![]() | 5958 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | W9825G6 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W9825G6JB-6ITR | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 16 | lvttl | - | |
![]() | w25q32fwssig tr | - | ![]() | 9766 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60μs5ms | |||
![]() | w25q256jvciq tr | 2.5552 | ![]() | 4767 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||
![]() | w971gg6kb-18 tr | - | ![]() | 8520 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | W971GG6 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-WBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 533 MHz | 揮発性 | 1gbit | 350 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | w25x20clsnig | 0.3900 | ![]() | 52 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25x20 | フラッシュ | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi | 800µs | |||
![]() | w25x40bvdaig | - | ![]() | 9562 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | W25x40 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 3ms | |||
![]() | W25Q32JVSTIQ | - | ![]() | 5903 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VSOP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||
W25N01GVTCIG | - | ![]() | 6985 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25N01 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N01GVTCIG | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | ||
![]() | W9412G6JH-4 | - | ![]() | 5411 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | W9412G6 | SDRAM -DDR | 2.4V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 250 MHz | 揮発性 | 128mbit | 48 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 12ns | ||
![]() | w25q256fvfif | - | ![]() | 2979 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25Q256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | |||
![]() | w25q128jwbiq | 1.8798 | ![]() | 6086 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q128 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128JWBIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - 、3ms | ||
![]() | w25q16dwssig tr | - | ![]() | 9188 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 40µs、3ms | |||
![]() | W972GG8KS-25 | 9.9998 | ![]() | 1771 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 60-TFBGA | W972GG8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-WBGA (8x9.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | Q11542956 | ear99 | 8542.32.0036 | 189 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 400 PS | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | |
W632GU6KB-11 | - | ![]() | 4049 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | W632GU6 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 96-WBGA (9x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - |
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