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メモリ（2872）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
W29GL128CH9C TR Winbond Electronics W29GL128CH9C TR -
RFQ
 ECAD 7254 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFBGA W29GL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 128mbit 90 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 90ns
W25N04KWTCIU Winbond Electronics w25n04kwtciu 6.5799
RFQ
 ECAD 2924 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 256-W25N04KWTCIU 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 4gbit 8 ns フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o 700µs
W25X20VSNIG T&R Winbond Electronics w25x20vsnig t＆r -
RFQ
 ECAD 3777 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） W25x20 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 75 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi 3ms
W25M02GVTCIT TR Winbond Electronics W25M02GVTCIT TR -
RFQ
 ECAD 3963 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25M02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 spi 700µs
W25Q64JVTBJM TR Winbond Electronics w25q64jvtbjm tr -
RFQ
 ECAD 4807 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない w25q64jvtbjmtr 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25N02KVTCIR Winbond Electronics W25N02KVTCIR 4.2208
RFQ
 ECAD 5370 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25N02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N02KVTCIR 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 2Gbit 7 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
W25X10VSNIG Winbond Electronics w25x10vsnig -
RFQ
 ECAD 2592 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） W25x10 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 100 75 MHz 不揮発性 1mbit フラッシュ 128k x 8 spi 3ms
W632GU8AB-11 Winbond Electronics W632GU8AB-11 -
RFQ
 ECAD 1220 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ sicで中止されました 0°C〜95°C （TC - - W632GU8 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
W25Q64FVWB Winbond Electronics W25Q64FVWB -
RFQ
 ECAD 8533 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 - - - W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64FVWB 廃止 1 104 MHz 不揮発性 64mbit 7 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W631GU6NB09J TR Winbond Electronics w631gu6nb09j tr -
RFQ
 ECAD 6671 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-VFBGA W631GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GU6NB09JTR ear99 8542.32.0032 3,000 1.066 GHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
W631GG8MB15J Winbond Electronics w631gg8mb15j -
RFQ
 ECAD 9878 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-VFBGA W631GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG8MB15J 廃止 242 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 SSTL_15 15ns
W632GU6MB15I TR Winbond Electronics W632GU6MB15I TR -
RFQ
 ECAD 4617 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA W632GU6 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 3,000 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
W25Q256JWYIQ TR Winbond Electronics w25q256jwyiq tr 2.4290
RFQ
 ECAD 6843 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-ufbga、wlcsp W25Q256 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 32-wlcsp（3.98x3.19） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q256JWYIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 5ms
W25Q256JVCJQ Winbond Electronics w25q256jvcjq -
RFQ
 ECAD 3068 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga W25Q256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.39.0001 480 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q80BLSSIG Winbond Electronics w25q80blssig -
RFQ
 ECAD 5204 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q80 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 90 80 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 800µs
W631GG8MB09I TR Winbond Electronics w631gg8mb09i tr -
RFQ
 ECAD 5177 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W631GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG8MB09ITR ear99 8542.32.0032 2,000 1.066 GHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 SSTL_15 15ns
W25Q64JVDAIM Winbond Electronics w25q64jvdaim -
RFQ
 ECAD 5072 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-pdip ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 60 133 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q64FVSSJF TR Winbond Electronics w25q64fvssjf tr -
RFQ
 ECAD 9411 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない W25Q64FVSSJFTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W74M12JWSSIQ TR Winbond Electronics w74m12jwssiq tr 2.2798
RFQ
 ECAD 4473 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W74M12 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W74M12JWSSIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o -
W632GU8MB-12 Winbond Electronics W632GU8MB-12 -
RFQ
 ECAD 4412 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W632GU8 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
W632GU8NB-12 Winbond Electronics W632GU8NB-12 4.7137
RFQ
 ECAD 4473 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W632GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
W955K8MBYA5I TR Winbond Electronics w955k8mbya5i tr 1.3075
RFQ
 ECAD 8730 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 24-tbga ハイパーラム 1.7V〜2V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 256-W955K8MBYA5ITR 2,000 200 MHz 揮発性 32mbit 35 ns ドラム 4m x 8 ハイパーバス 35ns
W25Q128JVFSM Winbond Electronics w25q128jvfsm -
RFQ
 ECAD 9415 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25Q128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q128JVFSM 1 133 MHz 不揮発性 128mbit 6 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q32JWZPIQ TR Winbond Electronics w25q32jwzpiq tr 0.6776
RFQ
 ECAD 4820 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q32 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない w25q32jwzpiqtr 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 5ms
W25Q16JVWS Winbond Electronics w25q16jvws -
RFQ
 ECAD 8872 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ - - W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q16JVWS 1 133 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25N512GVFIT TR Winbond Electronics w25n512gvfit tr 1.9694
RFQ
 ECAD 9846 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25N512 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N512GVFITTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性 512mbit 6 ns フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 700µs
W25Q64FVSCB1 Winbond Electronics W25Q64FVSCB1 -
RFQ
 ECAD 7155 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 - - - W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1 104 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 3ms
W631GG8MB-12 TR Winbond Electronics w631gg8mb-12 tr -
RFQ
 ECAD 9638 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W631GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA（10.5x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 -
W25Q16CVSNJP Winbond Electronics w25q16cvsnjp -
RFQ
 ECAD 6842 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W66BQ6NBUAGJ Winbond Electronics w66bq6nbuagj 5.1712
RFQ
 ECAD 9119 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA W66BQ6 SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-WFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W66BQ6NBUAGJ ear99 8542.32.0036 144 1.866 GHz 揮発性 2Gbit 3.5 ns ドラム 128m x 16 LVSTL_11 18ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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