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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
W631GG8MB-12 TR Winbond Electronics w631gg8mb-12 tr -
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ECAD 9638 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-VFBGA W631GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA(10.5x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 -
W25Q16CVSNJP Winbond Electronics w25q16cvsnjp -
RFQ
ECAD 6842 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W66BQ6NBUAGJ Winbond Electronics w66bq6nbuagj 5.1712
RFQ
ECAD 9119 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 200-WFBGA W66BQ6 SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-WFBGA (10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W66BQ6NBUAGJ ear99 8542.32.0036 144 1.866 GHz 揮発性 2Gbit 3.5 ns ドラム 128m x 16 LVSTL_11 18ns
W25Q80BLSNIG Winbond Electronics w25q80blsnig -
RFQ
ECAD 3197 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) W25Q80 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,000 80 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 800µs
W25Q16JLSNIG TR Winbond Electronics w25q16jlsnig tr 0.4304
RFQ
ECAD 9272 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) W25Q16 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q16JLSNIGTR ear99 8542.32.0071 2,500 104 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q16CVZPJG Winbond Electronics w25q16cvzpjg -
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ECAD 7588 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson (6x5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W978H2KBQX2E Winbond Electronics W978H2KBQX2E -
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ECAD 8098 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -25°C〜85°C(TC) 表面マウント 168-wfbga W978H2 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 168-WFBGA(12x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 168 400 MHz 揮発性 256mbit ドラム 8m x 32 平行 15ns
W947D2HBJX5I TR Winbond Electronics w947d2hbjx5i tr -
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ECAD 3802 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA W947D2 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA (8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 200 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 4m x 32 平行 15ns
W9825G6JH-6I Winbond Electronics W9825G6JH-6I -
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ECAD 8327 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) W9825G6 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない W9825G6JH6I ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 256mbit 5 ns ドラム 16m x 16 平行 -
W949D6DBHX5E TR Winbond Electronics w949d6dbhx5e tr 2.7171
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ECAD 7213 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -25°C〜85°C(TC) 表面マウント 60-TFBGA W949D6 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA (8x9) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 200 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
W25N01JWSFIT TR Winbond Electronics w25n01jwsfit tr 3.1479
RFQ
ECAD 1254 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) W25N01 フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜1.95V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25N01JWSFITTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性 1gbit 6 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o 700µs
W947D6HBHX6E TR Winbond Electronics w947d6hbhx6e tr -
RFQ
ECAD 6775 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) 廃止 -25°C〜85°C(TC) 表面マウント 60-TFBGA W947D6 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA (8x9) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
W25Q256FVFIG TR Winbond Electronics w25q256fvfig tr -
RFQ
ECAD 9517 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) W25Q256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W947D2HBJX5I Winbond Electronics W947D2HBJX5I -
RFQ
ECAD 2893 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA W947D2 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA (8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 240 200 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 4m x 32 平行 15ns
W9812G2KB-6I TR Winbond Electronics W9812G2KB-6I TR 4.0496
RFQ
ECAD 9488 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA W9812G2 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 4m x 32 平行 -
W25Q64CVSSJP Winbond Electronics W25Q64CVSSJP -
RFQ
ECAD 6002 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 80 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W25X40CLUXIG TR Winbond Electronics w25x40cluxig tr 0.5500
RFQ
ECAD 243 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド W25x40 フラッシュ 2.3V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,000 104 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 800µs
W9464G6JH-5 Winbond Electronics W9464G6JH-5 -
RFQ
ECAD 5066 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) W9464G6 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 200 MHz 揮発性 64mbit 55 ns ドラム 4m x 16 平行 15ns
W631GU6KS-15 Winbond Electronics W631GU6KS-15 -
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ECAD 7722 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-VFBGA W631GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-VFBGA (7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 190 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 -
W632GU6MB-12 TR Winbond Electronics W632GU6MB-12 TR -
RFQ
ECAD 8730 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-VFBGA W632GU6 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 96-VFBGA (7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 3,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
W25Q64JVZPJM TR Winbond Electronics w25q64jvzpjm tr -
RFQ
ECAD 4473 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson (6x5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない w25q64jvzpjmtr 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
W9825G6JB-6 Winbond Electronics W9825G6JB-6 -
RFQ
ECAD 4748 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TFBGA W9825G6 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 319 166 MHz 揮発性 256mbit 5 ns ドラム 16m x 16 平行 -
W25N04KWTBIR Winbond Electronics W25N04KWTBIR 6.5799
RFQ
ECAD 7668 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜1.95V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 256-W25N04KWTBIR 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 4gbit 8 ns フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o 700µs
W972GG6JB-18 Winbond Electronics W972GG6JB-18 -
RFQ
ECAD 9153 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 0°C〜85°C (TC) 表面マウント 84-TFBGA W972GG6 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-WBGA (11x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 144 533 MHz 揮発性 2Gbit 350 PS ドラム 128m x 16 平行 15ns
W66CP2NQUAFJ TR Winbond Electronics w66cp2nquafj tr 6.6000
RFQ
ECAD 9728 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 200-WFBGA W66CP2 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-WFBGA (10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W66cp2nquafjtr ear99 8542.32.0036 2,500 2.133 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 128m x 32 LVSTL_11 18ns
W66CQ2NQUAGJ Winbond Electronics w66cq2nquagj 7.5262
RFQ
ECAD 6601 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 200-WFBGA W66CQ2 SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-WFBGA (10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W66CQ2NQUAGJ ear99 8542.32.0036 144 1.866 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 128m x 32 LVSTL_11 18ns
W25Q80EWSNIG Winbond Electronics w25q80ewsnig 0.5900
RFQ
ECAD 31 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) W25Q80 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o、qpi 800µs
W25Q21EWSNSG Winbond Electronics w25q21ewsnsg -
RFQ
ECAD 8584 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) W25Q21 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q21EWSNSG 1 104 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o -
W66BM6NBUAFJ Winbond Electronics w66bm6nbuafj 6.5683
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ECAD 7483 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 200-WFBGA W66BM6 SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-WFBGA (10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W66BM6NBUAFJ ear99 8542.32.0036 144 1.6 GHz 揮発性 2Gbit 3.5 ns ドラム 128m x 16 LVSTL_11 18ns
W25Q128JVFIQ Winbond Electronics w25q128jvfiq 1.8300
RFQ
ECAD 18 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) W25Q128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 44 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 3ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫