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メモリ（847）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25WD05CTIGR | - |  | 9512 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | GD25WD05 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 512kbit | フラッシュ | 64k x 8 | spi -quad i/o | - | ||
 | gd25wd10ceigr | 0.3045 | | 6299 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | GD25WD10 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 不揮発性 | 1mbit | フラッシュ | 128k x 8 | spi -quad i/o | - | |||
| gd25wd80ceigr | 0.7100 | | 81 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | GD25WD80 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
 | GD25S512MDYIGR | 6.6100 | | 4 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | GD25S512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | ||
| gd5f1gq4ufyigr | 4.8400 | | 13 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | GD5F1GQ4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | ||
 | GD5F2GQ4UF9IGR | - | | 4326 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vlga露出パッド | GD5F2GQ4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 8-lga （6x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | ||
 | GD9FU1G8F2AMGI | 4.3100 | | 8723 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | トレイ | アクティブ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.173 "、幅4.40mm） | GD9FU1G8 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1970-1084 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | |||||
 | GD25Q20COIGR | - | | 7018 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） | GD25Q20 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | ||
| GD25Q40CSIG | - | | 4223 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | GD25Q40 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 9,500 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | ||
 | gd25q80cnigr | - | | 3847 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | GD25Q80 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-USON （4x3） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | ||
| GD25Q32CTJGR | - | | 4890 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | GD25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | ||
| GD25Q32CTJG | - | | 4714 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | GD25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 20,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | ||
 | GD25Q64CBIGY | - | | 6626 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | GD25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,800 | 120 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | ||
| gd25ld05ceigr | 0.2725 | | 3135 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | GD25LD05 | フラッシュ - | 1.65V〜2V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 50 MHz | 不揮発性 | 512kbit | フラッシュ | 64k x 8 | spi-デュアルi/o | 55µs 、6ms | ||
| gd25ld05ctigr | 0.2404 | | 1201 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | GD25LD05 | フラッシュ - | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 50 MHz | 不揮発性 | 512kbit | フラッシュ | 64k x 8 | spi-デュアルi/o | 55µs 、6ms | ||
| gd25ld10ceigr | 0.2885 | | 3687 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | GD25LD10 | フラッシュ - | 1.65V〜2V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 50 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラッシュ | 128k x 8 | spi-デュアルi/o | 55µs 、6ms | ||
| gd25ld20ceigr | 0.3205 | | 4961 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | GD25LD20 | フラッシュ - | 1.65V〜2V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 50 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi-デュアルi/o | 97µs 、6ms | ||
| GD25LQ20CUIGR | - | | 2134 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | GD25LQ20 | フラッシュ - | 1.65V〜2.1V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | ||
| GD25LQ40CTIG | 0.3366 | | 2162 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | チューブ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | GD25LQ40 | フラッシュ - | 1.65V〜2.1V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 20,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | ||
| GD25LD80CSIG | - | | 1543 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | GD25LD80 | フラッシュ - | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 9,500 | 50 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi-デュアルi/o | 60µs 、6ms | ||
| GD25LQ80CSIG | 0.3752 | | 2893 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | チューブ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | GD25LQ80 | フラッシュ - | 1.65V〜2.1V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 9,500 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | ||
| GD25LQ80CTIG | 0.3686 | | 6654 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | チューブ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | GD25LQ80 | フラッシュ - | 1.65V〜2.1V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 20,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | ||
| GD25LQ16CSIG | 0.4195 | | 7089 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | チューブ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | GD25LQ16 | フラッシュ - | 1.65V〜2.1V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 9,500 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | ||
| GD25LQ16CTIG | 0.4057 | | 5669 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | チューブ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | GD25LQ16 | フラッシュ - | 1.65V〜2.1V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 20,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | ||
| GD25LQ16C8IGR | - | | 5487 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-xflga露出パッド | GD25LQ16 | フラッシュ - | 1.65V〜2.1V | 8-lga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | ||
| GD25LE16CLIGR | - | | 2519 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 21-XFBGA 、WLSCP | GD25LE16 | フラッシュ - | 1.65V〜2.1V | 21-wlcsp | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | ||
| gd25le32dligr | - | | 4768 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 21-XFBGA 、WLSCP | GD25LE32 | フラッシュ - | 1.65V〜2V | 21-wlcsp | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 2.4ms | ||
| GD25LQ64CVIGR | - | | 4094 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | GD25LQ64 | フラッシュ - | 1.65V〜2V | 8-VSOP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 2.4ms | ||
| GD25LQ128DSIG | 1.4585 | | 1215 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | チューブ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | GD25LQ128 | フラッシュ - | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 9,500 | 120 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 2.4ms | ||
| GD25LQ128DVIGR | - | | 9911 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | GD25LQ128 | フラッシュ - | 1.65V〜2V | 8-VSOP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 2.4ms |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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