SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
AS7C325632-10BIN Alliance Memory, Inc. AS7C325632-10bin 20.2400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA AS7C325632 sram-非同期 2.7V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1434 3A991B2A 8542.32.0041 240 揮発性 8mbit 10 ns sram 1m x 8 平行 10ns
AS4C512M8D3LB-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LB-12BINTR -
RFQ
ECAD 4053 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,500 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
AS7C3256A-15JIN Alliance Memory, Inc. AS7C3256A-15JIN 2.2660
RFQ
ECAD 8024 0.00000000 Alliance Memory - チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 28-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) AS7C3256 sram-非同期 3V〜3.6V 28-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 25 揮発性 256kbit 15 ns sram 32k x 8 平行 15ns
AS4C32M16D2-25BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D2-25BCNTR -
RFQ
ECAD 2820 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜85°C (TC) 表面マウント 84-TFBGA AS4C2M32 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TFBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
AS4C32M16D1A-5TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1A-5TINTR 3.9325
RFQ
ECAD 4894 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C32 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
AS4C128M16D2A-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D2A-25BCN 12.5200
RFQ
ECAD 283 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜85°C (TC) 表面マウント 84-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(10.5x13.5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1312 ear99 8542.32.0036 209 400 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 128m x 16 平行 15ns
AS4C512M8D3LA-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LA-12BAN -
RFQ
ECAD 2516 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 78-VFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x10.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 220 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
AS4C2M32S-6BCN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32S-6BCN 4.2400
RFQ
ECAD 415 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 90-TFBGA AS4C2M32 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C2M32S-6BCN ear99 8542.32.0002 190 166 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 lvttl -
AS7C32096A-12TCN Alliance Memory, Inc. AS7C32096A-12TCN 5.0129
RFQ
ECAD 1224 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS7C32096 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP2 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 2mbit 12 ns sram 256k x 8 平行 12ns
AS4C128M8D3A-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3A-12bin -
RFQ
ECAD 5512 0.00000000 Alliance Memory - トレイ sicで中止されました -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-VFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1367 ear99 8542.32.0032 242 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
AS4C512M16D3LB-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LB-12BINTR 26.3250
RFQ
ECAD 9831 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(13.5x9 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C512M16D3LB-12BINTR ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
AS4C64M8D3-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D3-12BCN 5.6200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C(TA) 表面マウント 78-VFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1429 ear99 8542.32.0028 242 800 MHz 揮発性 512mbit 20 ns ドラム 64m x 8 平行
AS4C1G8D3LA-10BIN Alliance Memory, Inc. AS4C1G8D3LA-10bin 32.2500
RFQ
ECAD 251 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA AS4C1G8 SDRAM -DDR3L 1.28V〜1.45V 78-FBGA (9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C1G8D3LA-10bin ear99 8542.32.0036 220 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 1g x 8 平行 15ns
AS4C1G8D3LA-10BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C1G8D3LA-10BANTR 25.2035
RFQ
ECAD 8499 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x10.5 ダウンロード 3 (168 時間) 1450-AS4C1G8D3LA-10BANTR 2,000 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 1g x 8 平行 15ns
AS6C1616B-55BIN Alliance Memory, Inc. AS6C1616B-55bin 8.9822
RFQ
ECAD 4923 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-lfbga AS6C1616 sram-非同期 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS6C1616B-55bin ear99 8542.32.0041 480 揮発性 16mbit 55 ns sram 1m x 16 平行 55ns
AS4C512M8D3LC-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LC-12BCN 8.4579
RFQ
ECAD 3165 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ AS4C512 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C512M8D3LC-12BCN ear99 8542.32.0036 242
JS28F128J3F75B Alliance Memory, Inc. JS28F128J3F75B -
RFQ
ECAD 9016 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) JS28F128J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 128mbit 75 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 75ns
AS4C512M16D3LA-10BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LA-10BCN 28.3700
RFQ
ECAD 641 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.275V〜1.425V 96-FBGA(13.5x9 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1487 ear99 8542.32.0036 180 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 -
AS4C512M8D3LB-10BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LB-10BCN -
RFQ
ECAD 2268 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x10.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C512M8D3LB-10BCN 廃止 220 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
AS7C1024B-12JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C1024B-12JINTR 3.0606
RFQ
ECAD 3139 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 32-BSOJ (0.400 "、10.16mm 幅) AS7C1024 sram-非同期 4.5v〜5.5V 32-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 1mbit 12 ns sram 128k x 8 平行 12ns
AS4C16M16S-6BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M16S-6BINTR -
RFQ
ECAD 4709 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TFBGA AS4C16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 12ns
AS4C64M8D2-25BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D2-25bin 5.9900
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-TFBGA AS4C64 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga (8x10) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1129 ear99 8542.32.0028 264 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
PC28F640P30TF65A Alliance Memory, Inc. PC28F640P30TF65A 5.3100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Alliance Memory axcell™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 64-TBGA PC28F640 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga (10x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-PC28F640P30TF65A 3A991B1A 8542.32.0051 96 52 MHz 不揮発性 64mbit 65 ns フラッシュ 4m x 16 平行 65ns
AS4C512M16D3LC-10BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LC-10BCN 21.8600
RFQ
ECAD 190 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (9x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 1450-AS4C512M16D3LC-10BCN 190 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
N25Q032A13EF4A0F Alliance Memory, Inc. N25Q032A13EF4A0F 2.0800
RFQ
ECAD 461 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-udfn露出パッド N25Q032A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-UFDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-N25Q032A13EF4A0FTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 8m x 4 spi 5ms
AS7C1026B-12TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C1026B-12TCNTR 2.8125
RFQ
ECAD 2500 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS7C1026 sram-非同期 4.5v〜5.5V 44-TSOP2 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 1mbit 12 ns sram 64k x 16 平行 12ns
AS4C256M16D3LB-10BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LB-10BCNTR -
RFQ
ECAD 5219 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(13.5x9 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C256M16D3LB-10BCNTR 廃止 2,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS4C512M16D3LB-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LB-12bin 32.0300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(13.5x9 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C512M16D3LB-12bin ear99 8542.32.0032 180 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
AS4C256M8D3LA-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3LA-12bin -
RFQ
ECAD 4481 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-VFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
M29F800FB5AN6F2 Alliance Memory, Inc. M29F800FB5AN6F2 4.4100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) M29F800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 8mbit 55 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 55ns
  • Daily average RFQ Volume

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    毎日の平均RFQボリューム

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    30,000,000

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