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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
AS7C31026C-10BIN Alliance Memory, Inc. AS7C31026C-10bin -
RFQ
ECAD 2798 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-lfbga AS7C31026 sram-非同期 3V〜3.6V 48-BGA (7x7) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1132 3A991B2B 8542.32.0041 100 揮発性 1mbit 10 ns sram 64k x 16 平行 10ns
AS7C256A-20TINTR Alliance Memory, Inc. AS7C256A-20TINTR 2.3547
RFQ
ECAD 1910年 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) AS7C256 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 256kbit 20 ns sram 32k x 8 平行 20ns
AS4C64M16D3LA-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3LA-12BCNTR -
RFQ
ECAD 5375 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) sicで中止されました 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-VFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,500 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
AS4C8M32S-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C8M32S-6bin -
RFQ
ECAD 1425 0.00000000 Alliance Memory - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA AS4C8M32 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 190 166 MHz 揮発性 256mbit 5 ns ドラム 8m x 32 平行 2ns
AS6C4008A-55TINTR Alliance Memory, Inc. AS6C4008A-55TINTR -
RFQ
ECAD 9671 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) AS6C4008 sram-非同期 2.7V〜3.6V 32-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 揮発性 4mbit 55 ns sram 512k x 8 平行 55ns
AS7C31024B-20TJCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C31024B-20TJCNTR 3.3915
RFQ
ECAD 2657 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 32-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) AS7C31024 sram-非同期 3V〜3.6V 32-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 1mbit 20 ns sram 128k x 8 平行 20ns
AS7C1025B-12JCN Alliance Memory, Inc. AS7C1025B-12JCN 3.1724
RFQ
ECAD 4171 0.00000000 Alliance Memory - チューブ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 32-BSOJ (0.400 "、10.16mm 幅) AS7C1025 sram-非同期 4.5v〜5.5V 32-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1045 3A991B2B 8542.32.0041 21 揮発性 1mbit 12 ns sram 128k x 8 平行 12ns
AS4C128M16D3C-93BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3C-93BCN 10.0800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-VFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA (7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C128M16D3C-93BCN ear99 8542.32.0036 209 1.066 GHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 15ns
AS4C32M16D1A-5TANTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1A-5TANTR 4.5617
RFQ
ECAD 2937 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C32 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
AS8C403600-QC150N Alliance Memory, Inc. AS8C403600-QC150N 4.3972
RFQ
ECAD 3440 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp AS8C403600 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 100 150 MHz 揮発性 4mbit 3.8 ns sram 128k x 36 平行 6.7ns
AS4C8M32MD2A-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C8M32MD2A-25BCN 5.5100
RFQ
ECAD 1861年年 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -20°C〜85°C(Ta) 表面マウント 134-VFBGA AS4C8M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-FBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 171 400 MHz 揮発性 256mbit ドラム 8m x 32 平行 15ns
AS7C32098A-15TINTR Alliance Memory, Inc. AS7C32098A-15TINTR 4.4831
RFQ
ECAD 9064 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS7C32098 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP2 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 2mbit 15 ns sram 128k x 16 平行 15ns
AS4C128M8D3LB-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3LB-12BAN 7.3817
RFQ
ECAD 4509 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 78-VFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 242 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
AS4C512M8D4A-75BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D4A-75BCN 9.3400
RFQ
ECAD 160 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA (7.5x11) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C512M8D4A-75BCN 160 1.333 GHz 揮発性 4gbit 18 ns ドラム 512m x 8 ポッド 15ns
AS4C8M16S-6TIN Alliance Memory, Inc. AS4C8M16S-6TIN -
RFQ
ECAD 7840 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C8M16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1013 ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 8m x 16 平行 2ns
AS4C4M32S-7BCN Alliance Memory, Inc. AS4C4M32S-7BCN 5.0400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 90-TFBGA AS4C4M32 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1010 ear99 8542.32.0002 190 143 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 2ns
M25P10-AVMN6TP Alliance Memory, Inc. M25P10-AVMN6TP 0.8000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) M25P10 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SO - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 50 MHz 不揮発性 1mbit 8 ns フラッシュ 128k x 8 spi 5ms
AS6C4008-55STINTR Alliance Memory, Inc. AS6C4008-55STINTR 4.0898
RFQ
ECAD 3718 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 32-lfsop (0.465 "、11.80mm 幅) AS6C4008 sram-非同期 2.7V〜5.5V 32 STSOP ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 揮発性 4mbit 55 ns sram 512k x 8 平行 55ns
AS6C2008A-55SINTR Alliance Memory, Inc. AS6C2008A-55SINTR 3.1434
RFQ
ECAD 5811 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 32-SOIC (0.445 "、幅11.30mm) AS6C2008 sram-非同期 2.7V〜5.5V 32ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 2mbit 55 ns sram 256k x 8 平行 55ns
AS5F18G04SND-10LIN Alliance Memory, Inc. AS5F18G04SND-10LIN 13.3800
RFQ
ECAD 352 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wlga AS5F18 フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜1.98V 8-lga (6x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS5F18G04SND-10LIN 3A991B1A 8542.32.0071 352 100 MHz 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 spi -quad i/o 700µs
CY62256NLL-70SNXC Alliance Memory, Inc. Cy62256NLL-70SNXC -
RFQ
ECAD 4285 0.00000000 Alliance Memory mobl® チューブ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 28-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) Cy62256 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1490 ear99 8542.32.0041 54 揮発性 256kbit 70 ns sram 32k x 8 平行 70ns
AS7C1026C-15JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C1026C-15JINTR -
RFQ
ECAD 5183 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) AS7C1026 sram-非同期 4.5v〜5.5V 44-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 1mbit 15 ns sram 64k x 16 平行 15ns
AS7C1026B-10TCN Alliance Memory, Inc. AS7C1026B-10TCN 2.9911
RFQ
ECAD 9392 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS7C1026 sram-非同期 4.5v〜5.5V 44-TSOP2 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 135 揮発性 1mbit 10 ns sram 64k x 16 平行 10ns
AS4C64M16D3-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3-12BANTR -
RFQ
ECAD 1620 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-TFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA (9x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
AS4C128M16D3LB-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3LB-12bin -
RFQ
ECAD 6865 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-BGA(13x9) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1453 ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
AS7C34096A-10TIN Alliance Memory, Inc. AS7C34096A-10TIN 5.0129
RFQ
ECAD 3018 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS7C34096 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP2 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 4mbit 10 ns sram 512k x 8 平行 10ns
AS4C4M16D1-5TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C4M16D1-5TCNTR -
RFQ
ECAD 5918 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C4M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 200 MHz 揮発性 64mbit 700 ps ドラム 4m x 16 平行 15ns
AS4C256M16D4-75BIN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D4-75bin 12.4500
RFQ
ECAD 798 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA (7.5x13.5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C256M16D4-75bin ear99 8542.32.0036 209 1.333 GHz 揮発性 4gbit 18 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS7C31025B-15TJCN Alliance Memory, Inc. AS7C31025B-15TJCN 3.1724
RFQ
ECAD 8155 0.00000000 Alliance Memory - チューブ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 32-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) AS7C31025 sram-非同期 3V〜3.6V 32-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 22 揮発性 1mbit 15 ns sram 128k x 8 平行 15ns
AS4C64M16D3LA-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3LA-12BINTR -
RFQ
ECAD 8799 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-VFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,500 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
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