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メモリ（1624）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
AS4C8M16SA-6TANTR Alliance Memory, Inc. AS4C8M16SA-6TANTR 3.6397
RFQ
 ECAD 6876 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS4C8M16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 8m x 16 平行 12ns
MT48LC2M32B2TG-6A IT:JTR Alliance Memory, Inc. MT48LC2M32B2TG-6A IT：JTR -
RFQ
 ECAD 2286 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC2M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,000 167 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 2m x 32 平行 12ns
AS4C256M8D3-15BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3-15BCN -
RFQ
 ECAD 9509 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 0°C〜90°C 表面マウント 78-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
AS6C6416-55BIN Alliance Memory, Inc. AS6C6416-55bin 32.3500
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-lfbga AS6C6416 sram-非同期 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 220 揮発性 64mbit 55 ns sram 4m x 16 平行 55ns
MT41K512M16HA-107:A Alliance Memory, Inc. MT41K512M16HA-107：a -
RFQ
 ECAD 6570 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-MT41K512M16HA-107：a ear99 8542.32.0036 170 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
AS6C4008-55PCNTR Alliance Memory, Inc. AS6C4008-55PCNTR 4.3451
RFQ
 ECAD 4072 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 32-dip（0.600 "、15.24mm） sram-非同期 2.7V〜5.5V 32-PDIP ダウンロード 1 （無制限） 1450-AS6C4008-55PCNTR 1,000 揮発性 4mbit 55 ns sram 512k x 8 平行 55ns
PC28F256P33BFE Alliance Memory, Inc. PC28F256P33BFE 6.9000
RFQ
 ECAD 3742 0.00000000 Alliance Memory axcell™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga フラッシュ-MLCもありません） 2.3V〜3.6V 64-lbga（11x13） - 3 （168 時間） 1450-PC28F256P33BFE 300 52 MHz 不揮発性 256mbit 95 ns フラッシュ 16m x 16 CFI 95ns
N25Q064A13ESF40F Alliance Memory, Inc. N25Q064A13ESF40F 2.1600
RFQ
 ECAD 752 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 不揮発性 64mbit 5 ns フラッシュ 16m x 4 spi 5ms
N25Q032A13EF640F Alliance Memory, Inc. N25Q032A13EF640F 1.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q032A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 8m x 4 spi 5ms
AS4C128M8D3-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3-12BCNTR -
RFQ
 ECAD 6887 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
AS7C1026B-10TIN Alliance Memory, Inc. AS7C1026B-10TIN 3.5700
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） sram-非同期 4.5v〜5.5V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 1450-AS7C1026B-10TIN 3A991B2B 8542.32.0041 135 揮発性 1mbit 10 ns sram 64k x 16 平行 10ns
AS4C256M16D3LB-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LB-12BAN -
RFQ
 ECAD 7252 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA（13.5x9 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 180 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS4C16M16SA-6TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M16SA-6TCNTR 3.3915
RFQ
 ECAD 2252 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS4C16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 揮発性 256mbit 5 ns ドラム 16m x 16 平行 12ns
AS4C32M8SA-6TIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M8SA-6TIN 4.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS4C32 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 108 166 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 32m x 8 平行 -
AS4C2M32D1-5BIN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32D1-5bin -
RFQ
 ECAD 7288 0.00000000 Alliance Memory - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント - AS4C2M32 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 144-BGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1320 ear99 8542.32.0002 189 200 MHz 揮発性 64mbit 700 ps ドラム 2m x 32 平行 15ns
AS7C256A-15TIN Alliance Memory, Inc. AS7C256A-15TIN 2.9700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） AS7C256 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 234 揮発性 256kbit 15 ns sram 32k x 8 平行 15ns
AS4C64M16D3LB-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3LB-12bin 7.7500
RFQ
 ECAD 202 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 190 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
AS7C34096A-10TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C34096A-10TCNTR 4.5617
RFQ
 ECAD 5474 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS7C34096 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4mbit 10 ns sram 512k x 8 平行 10ns
AS4C4M16SA-7TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C4M16SA-7TCNTR 2.2706
RFQ
 ECAD 8725 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS4C4M16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 2ns
AS4C512M16D3LB-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LB-12BCN 28.3700
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA（13.5x9 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1493 ear99 8542.32.0036 180 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
AS4C128M8D3L-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3L-12BINTR -
RFQ
 ECAD 5563 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
AS4C1G8D3LA-10BCN Alliance Memory, Inc. AS4C1G8D3LA-10BCN 28.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA AS4C1G8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1485 ear99 8542.32.0032 220 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 1g x 8 平行 -
AS4C512M8D3L-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3L-12BAN -
RFQ
 ECAD 4969 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 トレイ sicで中止されました -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9x10.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1308 ear99 8542.32.0036 220 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
AS5F31G04SND-08LIN Alliance Memory, Inc. AS5F31G04SND-08LIN 7.7200
RFQ
 ECAD 792 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wlga AS5F31 フラッシュ-nand（slc） 3V〜3.6V 8-lga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS5F31G04SND-08LIN ear99 8542.32.0071 352 120 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o 700µs
AS7C1026B-15JCN Alliance Memory, Inc. AS7C1026B-15JCN 3.1724
RFQ
 ECAD 3335 0.00000000 Alliance Memory - チューブ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm） AS7C1026 sram-非同期 4.5v〜5.5V 44-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 16 揮発性 1mbit 15 ns sram 64k x 16 平行 15ns
AS6C8016B-55BIN Alliance Memory, Inc. AS6C8016B-55bin 5.8702
RFQ
 ECAD 6338 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ AS6C8016 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS6C8016B-55bin ear99 8542.32.0041 300
AS6C8008A-45BINTR Alliance Memory, Inc. AS6C8008A-45BINTR -
RFQ
 ECAD 2782 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） 前回購入します -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA AS6C8008 sram-非同期 2.7V〜3.6V 48-fpbga （10x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 8mbit 45 ns sram 1m x 8 平行 45ns
AS4C64M32MD2-25BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M32MD2-25BCNTR -
RFQ
 ECAD 8059 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C（TA） 表面マウント 134-VFBGA AS4C64 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-FBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 64m x 32 平行 15ns
AS4C4M32S-6TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C4M32S-6TINTR -
RFQ
 ECAD 4916 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS4C4M32 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 揮発性 128mbit 5.5 ns ドラム 4m x 32 平行 2ns
M25P16-VMN3TPB Alliance Memory, Inc. M25P16-VMN3TPB 0.7747
RFQ
 ECAD 6183 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-SO - 3 （168 時間） 1450-M25P16-VMN3TPBTR 2,500 75 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi 5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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