画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS4C32M32MD1-5BINTR | - | ![]() | 2565 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C (TJ | 表面マウント | 90-VFBGA | AS4C2M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.9V | 90-FBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5 ns | ドラム | 32m x 32 | 平行 | 15ns | ||
![]() | AS1C512K16P-70bin | 3.7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | AS1C512 | psram(pseudo sram | 2.6V〜3.3V | 48-FBGA (6x7) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-1474 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 364 | 揮発性 | 8mbit | 70 ns | psram | 512K x 16 | 平行 | 70ns | ||
![]() | AS4C256M8D3-15BCN | - | ![]() | 9509 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜90°C | 表面マウント | 78-TFBGA | AS4C256 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-FBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | MT48LC2M32B2TG-6A IT:JTR | - | ![]() | 2286 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT48LC2M32B2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 167 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | 12ns | ||
![]() | AS6C6416-55bin | 32.3500 | ![]() | 90 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-lfbga | AS6C6416 | sram-非同期 | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 220 | 揮発性 | 64mbit | 55 ns | sram | 4m x 16 | 平行 | 55ns | |||
![]() | AS4C512M8D3-12BANTR | - | ![]() | 5798 | 0.00000000 | Alliance Memory | aec-q100 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | AS4C512 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-FBGA (9x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | AS4C4M32S-6TINTR | - | ![]() | 4916 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | AS4C4M32 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.5 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | 2ns | ||
![]() | AS6C8016B-55bin | 5.8702 | ![]() | 6338 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | AS6C8016 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-AS6C8016B-55bin | ear99 | 8542.32.0041 | 300 | |||||||||||||||
![]() | AS4C16M16SA-6TCNTR | 3.3915 | ![]() | 2252 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | AS4C16 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 12ns | ||
![]() | AS6C1616B-55TIN | 9.7454 | ![]() | 1673 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | sram-非同期 | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | 3 (168 時間) | 1450-AS6C1616B-55TIN | 135 | 揮発性 | 16mbit | 55 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 55ns | |||||||
![]() | AS7C31026B-15TIN | 4.0100 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-AS7C31026B-15TIN | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 1mbit | 15 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 15ns | |||
AS4C512M16D3LB-12BCNTR | 23.3250 | ![]() | 7654 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | AS4C512 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA(13.5x9 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-AS4C512M16D3LB-12BCNTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | ||
AS7C34096A-10TCNTR | 4.5617 | ![]() | 5474 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | AS7C34096 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 10ns | ||||
![]() | AS4C64M32MD2-25BCNTR | - | ![]() | 8059 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C(TA) | 表面マウント | 134-VFBGA | AS4C64 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 134-FBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 15ns | |||
![]() | AS4C32M16D1-5BCNTR | 3.8060 | ![]() | 6244 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-TFBGA | AS4C32 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-BGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | AS4C512M8D3L-12BAN | - | ![]() | 4969 | 0.00000000 | Alliance Memory | aec-q100 | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | AS4C512 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (9x10.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-1308 | ear99 | 8542.32.0036 | 220 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | AS4C4M16SA-7TCNTR | 2.2706 | ![]() | 8725 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | AS4C4M16 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 2ns | ||
![]() | AS4C128M8D3L-12BINTR | - | ![]() | 5563 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | AS4C128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | AS4C1G8D3LA-10BCN | 28.3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | AS4C1G8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (9x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-1485 | ear99 | 8542.32.0032 | 220 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | - | |
![]() | AS7C256A-15TIN | 2.9700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | AS7C256 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 234 | 揮発性 | 256kbit | 15 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 15ns | |||
![]() | M25P16-VMN3TPB | 0.7747 | ![]() | 6183 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8-SO | - | 3 (168 時間) | 1450-M25P16-VMN3TPBTR | 2,500 | 75 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi | 5ms | ||||||
![]() | AS4C4M16D1A-5TAN | - | ![]() | 4330 | 0.00000000 | Alliance Memory | aec-q100 | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | AS4C4M16 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 4 (72 時間) | 影響を受けていない | 1450-1316 | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 200 MHz | 揮発性 | 64mbit | 700 ps | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | PC28F256P33BFE | 6.9000 | ![]() | 3742 | 0.00000000 | Alliance Memory | axcell™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | フラッシュ-MLCもありません) | 2.3V〜3.6V | 64-lbga(11x13) | - | 3 (168 時間) | 1450-PC28F256P33BFE | 300 | 52 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 95 ns | フラッシュ | 16m x 16 | CFI | 95ns | ||||||
MT41K512M16HA-107:a | - | ![]() | 6570 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K512M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (9x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-MT41K512M16HA-107:a | ear99 | 8542.32.0036 | 170 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | ||
AS4C512M16D3LB-12BCN | 28.3700 | ![]() | 129 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | AS4C512 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA(13.5x9 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-1493 | ear99 | 8542.32.0036 | 180 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | AS4C512M16D3LC-12BCN | 23.8100 | ![]() | 180 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | AS4C512 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (9x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1450-AS4C512M16D3LC-12BCN | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | AS7C4096A-20JCNTR | 5.0090 | ![]() | 9288 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 36-bsoj(0.400 "、10.16mm 幅) | AS7C4096 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 36-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 揮発性 | 4mbit | 20 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 20ns | |||
![]() | AS6C4008-55PCNTR | 4.3451 | ![]() | 4072 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 32-dip(0.600 "、15.24mm) | sram-非同期 | 2.7V〜5.5V | 32-PDIP | ダウンロード | 1 (無制限) | 1450-AS6C4008-55PCNTR | 1,000 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 55ns | |||||||
![]() | AS4C64M16MD1-5bin | - | ![]() | 3410 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | AS4C64 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-fbga (8x10) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 300 | 200 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | AS4C1G8D3LA-10BANTR | 25.2035 | ![]() | 8499 | 0.00000000 | Alliance Memory | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (9x10.5 | ダウンロード | 3 (168 時間) | 1450-AS4C1G8D3LA-10BANTR | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | 15ns |
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