SIC
close
画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
AS4C512M8D4-75BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D4-75bin 9.3806
RFQ
ECAD 6807 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA (7.5x10.6 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C512M8D4-75bin ear99 8542.32.0036 242 1.333 GHz 揮発性 4gbit 18 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
AS4C512M16D4-75BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D4-75BCN 12.1600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA (7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C512M16D4-75BCN ear99 8542.32.0036 198 1.333 GHz 揮発性 8gbit 18 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
AS5F14G04SND-10LIN Alliance Memory, Inc. AS5F14G04SND-10LIN 10.9900
RFQ
ECAD 162 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wlga AS5F14 フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜1.98V 8-lga (6x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS5F14G04SND-10LIN 3A991B1A 8542.32.0071 352 100 MHz 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o 700µs
AS5F38G04SND-08LIN Alliance Memory, Inc. AS5F38G04SND-08LIN 13.3800
RFQ
ECAD 166 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wlga AS5F38 フラッシュ-nand(slc) 3V〜3.6V 8-lga (6x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS5F38G04SND-08LIN 3A991B1A 8542.32.0071 352 120 MHz 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 spi -quad i/o 700µs
AS4C256M16D3LB-10BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LB-10BCNTR -
RFQ
ECAD 5219 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(13.5x9 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C256M16D3LB-10BCNTR 廃止 2,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS4C512M8D3LB-10BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LB-10bin -
RFQ
ECAD 9042 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x10.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C512M8D3LB-10bin 廃止 220 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
AS4C256M16D3LB-10BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LB-10BINTR -
RFQ
ECAD 7801 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(13.5x9 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C256M16D3LB-10BINTR 廃止 2,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS4C512M8D3LB-10BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LB-10BCNTR -
RFQ
ECAD 9812 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x10.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C512M8D3LB-10BCNTR 廃止 2,500 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
AS4C512M8D3LB-10BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LB-10BCN -
RFQ
ECAD 2268 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x10.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C512M8D3LB-10BCN 廃止 220 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
AS4C512M8D3LB-10BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LB-10BINTR -
RFQ
ECAD 1091 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x10.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C512M8D3LB-10BINTR 廃止 2,500 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
JS28F128J3F75A Alliance Memory, Inc. JS28F128J3F75A -
RFQ
ECAD 9351 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) JS28F128J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-JS28F128J3F75A 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 128mbit 75 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 75ns
PC28F128J3F75A Alliance Memory, Inc. PC28F128J3F75A 8.2500
RFQ
ECAD 153 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-easybga (10x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-PC28F128J3F75A 3A991B1A 8542.32.0051 96 不揮発性 128mbit 75 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 75ns
PC28F640P30TF65A Alliance Memory, Inc. PC28F640P30TF65A 5.3100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Alliance Memory axcell™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 64-TBGA PC28F640 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga (10x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-PC28F640P30TF65A 3A991B1A 8542.32.0051 96 52 MHz 不揮発性 64mbit 65 ns フラッシュ 4m x 16 平行 65ns
PC28F640P30BF65B Alliance Memory, Inc. PC28F640P30BF65B 8.3900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory axcell™ テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 64-TBGA PC28F640 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga (10x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-PC28F640P30BF65BTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52 MHz 不揮発性 64mbit 65 ns フラッシュ 4m x 16 平行 65ns
JS28F128J3F75B Alliance Memory, Inc. JS28F128J3F75B -
RFQ
ECAD 9016 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) JS28F128J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 128mbit 75 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 75ns
PC28F128P33BF60A Alliance Memory, Inc. PC28F128P33BF60A 6.0600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory Strataflash™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 64-TBGA PC28F128 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga (10x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-PC28F128P33BF60A 3A991B1A 8542.32.0071 300 52 MHz 不揮発性 128mbit 60 ns フラッシュ 8m x 16 平行 60ns
AS6C8016B-55BIN Alliance Memory, Inc. AS6C8016B-55bin 5.8702
RFQ
ECAD 6338 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ AS6C8016 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS6C8016B-55bin ear99 8542.32.0041 300
AS4C128M16D3LC-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3LC-12BINTR 7.0792
RFQ
ECAD 3763 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-VFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C128M16D3LC-12BINTR ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
AS4C256M8D3LC-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3LC-12bin 8.2104
RFQ
ECAD 3369 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-VFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (7.5x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C256M8D3LC-12bin ear99 8542.32.0036 210 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
AS4C512M16D3LA-10BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LA-10BINTR 26.3250
RFQ
ECAD 9522 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(13.5x9 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C512M16D3LA-10BINTR ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
AS4C512M16D3LB-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LB-12BINTR 26.3250
RFQ
ECAD 9831 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(13.5x9 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C512M16D3LB-12BINTR ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
AS4C512M16D3LB-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LB-12BCNTR 23.3250
RFQ
ECAD 7654 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(13.5x9 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C512M16D3LB-12BCNTR ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
AS4C512M16D3LB-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LB-12bin 32.0300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(13.5x9 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C512M16D3LB-12bin ear99 8542.32.0032 180 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
PC48F4400P0TB0EE Alliance Memory, Inc. PC48F4400P0TB0EE 9.3750
RFQ
ECAD 7284 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-TBGA PC48F4400 フラッシュ-MLCもありません) 2.3V〜3.6V 64-easybga (10x13) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-PC48F4400P0TB0EE 3A991B1A 8542.32.0071 96 52 MHz 不揮発性 512mbit 95 ns フラッシュ 32m x 16 CFI -
PC28F640J3F75A Alliance Memory, Inc. PC28F640J3F75A 4.1264
RFQ
ECAD 7940 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-easybga (10x13) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-PC28F640J3F75A 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 64mbit 75 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 75ns
PC28F512P30EFB Alliance Memory, Inc. PC28F512P30EFB -
RFQ
ECAD 2087 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-lbga PC28F512 フラッシュ-MLCもありません) 1.7V〜2V 64-lbga(11x13) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52 MHz 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 32m x 16 平行 100ns
PC48F4400P0VB0EF Alliance Memory, Inc. PC48F4400P0VB0EF -
RFQ
ECAD 7222 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-TBGA PC48F4400 フラッシュ-MLCもありません) 1.7V〜2V 64-easybga (10x13) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 廃止 2,000 52 MHz 不揮発性 512mbit 110 ns フラッシュ 32m x 16 CFI -
AS4C16M16SB-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16SB-6bin 4.9941
RFQ
ECAD 5498 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TFBGA AS4C16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C16M16SB-6bin ear99 8542.32.0024 348 166 MHz 揮発性 256mbit 5 ns ドラム 16m x 16 lvttl 12ns
AS4C4M16SB-6TIN Alliance Memory, Inc. AS4C4M16SB-6TIN 2.7179
RFQ
ECAD 9444 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C4M16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C4M16SB-6TIN ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 64mbit 5 ns ドラム 4m x 16 lvttl 12ns
AS7C31026B-12TIN Alliance Memory, Inc. AS7C31026B-12TIN 3.1724
RFQ
ECAD 8675 0.00000000 Alliance Memory - チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS7C31026 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP2 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS7C31026B-12TIN ear99 8542.32.0041 135 揮発性 1mbit 12 ns sram 64k x 16 平行 12ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫