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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
MT29AZ5A5CMGWD-18AIT.87C Micron Technology Inc. mt29az5a5cmgwd-18ait.87c -
RFQ
 ECAD 9067 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 mt29az5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 557-MT29AZ5A5CMGWD-18AIT.87C 廃止 1,440
MT29F2G01ABBGD12-AAT:G Micron Technology Inc. MT29F2G01ABBGD12-AAT：g 2.7962
RFQ
 ECAD 6625 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga MT29F2G01 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F2G01ABBGD12-AAT：g 8542.32.0071 1,122 83 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 2g x 1 spi - 確認されていません
MTFC32GAPALGT-AIT Micron Technology Inc. mtfc32gapalgt-ait -
RFQ
 ECAD 3412 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 前回購入します -40°C〜85°C（タタ mtfc32g フラッシュ -ナンド - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MTFC32GAPALGT-AIT 8542.32.0071 1,520 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT53E1DBDS-DC TR Micron Technology Inc. mt53e1dbds-dc tr 22.5000
RFQ
 ECAD 9059 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ mt53e1 - 影響を受けていない 557-MT53E1DBDS-DCTR 2,000
MT53E512M32D2NP-046 WT:F TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-046 WT：F TR -
RFQ
 ECAD 5868 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 影響を受けていない 557-MT53E512M32D2NP-046WT：FTR 廃止 2,000 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT53E4D1ABA-DC TR Micron Technology Inc. mt53e4d1aba-dc tr 22.5000
RFQ
 ECAD 4923 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ mt53e4 - 影響を受けていない 557-MT53E4D1ABA-DCTR 2,000
MT40A8G4CLU-075H:E Micron Technology Inc. MT40A8G4CLU-075H：e -
RFQ
 ECAD 9601 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A8G4 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） - 557-MT40A8G4CLU-075H：e 廃止 8542.32.0071 210 1.33 GHz 不揮発性 32gbit 27 ns ドラム 8g x 4 平行 -
MT53E2DBDS-DC TR Micron Technology Inc. mt53e2dbds-dc tr 22.5000
RFQ
 ECAD 9307 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ mt53e2 - 影響を受けていない 557-MT53E2DBDS-DCTR 2,000
MT29F2G08ABBGAM79A3WC1L Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBGAM79A3WC1L 2.6600
RFQ
 ECAD 6064 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F2G08ABBGAM79A3WC1L 1 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT58L256L18P1T-7.5C Micron Technology Inc. MT58L256L18P1T-7.5C 4.8200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 4mbit 4 ns sram 256k x 18 平行 -
MT54W1MH18BF-5TR Micron Technology Inc. MT54W1MH18BF-5TR 43.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. QDR™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA sram-同期 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 200 MHz 揮発性 18mbit 450 PS sram 1m x 18 HSTL -
MT40A4G4DVN-068H:E Micron Technology Inc. MT40A4G4DVN-068H：e -
RFQ
 ECAD 8206 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A4G4 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 557-MT40A4G4DVN-068H：e 廃止 210 1.467 GHz 揮発性 16gbit 27 ns ドラム 4g x 4 平行 -
MT54V1MH18EF-7.5 Micron Technology Inc. MT54V1MH18EF-7.5 -
RFQ
 ECAD 4730 0.00000000 Micron Technology Inc. QDR® バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA sram-同期 2.4V〜2.6V 165-FBGA ダウンロード 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 18mbit 3 ns sram 1m x 18 HSTL -
MT29F8G08ADAFAWP-AIT:F Micron Technology Inc. MT29F8G0808ADAFAWP-AIT：f 11.6600
RFQ
 ECAD 999 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F8G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAFAWP-AAT：f 5.3900
RFQ
 ECAD 564 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F4G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F4G08ABAFAWP-AAT：f 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT53D4G16D8AL-062 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53D4G16D8AL-062 WT：E TR -
RFQ
 ECAD 3057 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53D4G16 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT53D4G16D8AL-062WT：ETR 廃止 2,000 1.6 GHz 揮発性 64gbit ドラム 4g x 16 - -
MTFC4GACAJCN-4M IT TR Micron Technology Inc. mtfc4gacajcn-4m it tr -
RFQ
 ECAD 7863 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） mtfc4gacajcn-4mittr 廃止 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E Micron Technology Inc. MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR：e 45.0150
RFQ
 ECAD 4770 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 132-VBGA MT29F512G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 8542.32.0071 1,120 267 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT53D512M32D2DS-046 IT:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-046 IT：d 19.0000
RFQ
 ECAD 1723 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53D512M32D2DS-046IT：d ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT53E1536M32D4DT-046 AIT:A Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DT-046 AIT：a -
RFQ
 ECAD 4395 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） MT53E1536 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E1536M32D4DT-046AIT：a 廃止 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 揮発性 48gbit ドラム 1.5GX 32 - -
MT53E256M32D2DS-046 IT:B Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-046 IT：b 16.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E256M32D2DS-046IT：b ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MTFC64GAPALBH-IT Micron Technology Inc. mtfc64gapalbh-it -
RFQ
 ECAD 8346 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-TFBGA mtfc64 フラッシュ -ナンド - 153-TFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MTFC8GACAALT-4M IT Micron Technology Inc. MTFC8GACAALT-4M IT -
RFQ
 ECAD 6301 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-TBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-TBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） mtfc8gacaalt-4mit 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT29F4G08ABBFAH4-AAT:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBFAH4-AAT：F Tr 3.8498
RFQ
 ECAD 3606 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT29F4G08ABBFAH4-AAT：FTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT29F8G08ADAFAWP-AIT:F TR Micron Technology Inc. MT29F8G0808ADAFAWP-AIT：F TR 8.4150
RFQ
 ECAD 1181 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F8G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT29F8G0808ADAFAWP-AIT：FTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
MT29F8G08ADBFAH4-AAT:F TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ADBFAH4-AAT：F Tr 8.2061
RFQ
 ECAD 5336 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 前回購入します -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F8G08 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT29F8G08ADBFAH4-AAT：FTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
MT40A2G4SA-062E:J TR Micron Technology Inc. MT40A2G4SA-062E：J TR -
RFQ
 ECAD 5959 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A2G4 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT40A2G4SA-062E：JTR ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 8gbit 19 ns ドラム 2g x 4 平行 15ns
MT41K512M8DA-107 IT:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-107 IT：P Tr 5.7000
RFQ
 ECAD 9214 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT41K512M8DA-107IT：PTR ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
MT57W1MH18CF-4 Micron Technology Inc. MT57W1MH18CF-4 30.4500
RFQ
 ECAD 587 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA sram-同期 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 250 MHz 揮発性 18mbit 450 PS sram 1m x 18 HSTL -
MT55V512V36PF-6 Micron Technology Inc. MT55V512V36PF-6 17.3600
RFQ
 ECAD 284 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA MT55V512V sram- zbt 2.375V〜3.465V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 揮発性 18mbit 3.5 ns sram 512K x 36 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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