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メモリ（364）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NDQ46PFP-8NIT TR | - |  | 3459 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | - | - | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | - | - | 1982-NDQ46PFP-8NITTR | 廃止 | 2,500 | 1.2 GHz | 揮発性 | 4gbit | 18 ns | ドラム | 256m x 16 | ポッド | 15ns | ||||||
| NDQ48PFQ-8XET | 8.2500 | | 3202 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x10.6 | - | 1982-NDQ48PFQ-8XET | 2,500 | 1.2 GHz | 揮発性 | 4gbit | 18 ns | ドラム | 512m x 8 | ポッド | 15ns | |||||||
| NDB16PFC-5EIT | 3.8250 | | 8738 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | ndb1l | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | NDB16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | - | 1982-NDB16PFC-5EIT | 2,500 | 533 MHz | 揮発性 | 1gbit | 350 PS | ドラム | 64m x 16 | SSTL_18 | 15ns | ||||||
| NDS36PT5-16AT | 3.2532 | | 4766 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDS36PT5-16AT | 108 | |||||||||||||||||||
| NLQ26PFS-8NET TR | 10.3100 | | 2405 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 2,000 | 1.2 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 16 | LVSTL | 18ns | ||||||
| NDQ46PFP-7XET | - | | 9887 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | - | - | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | - | - | 1982-NDQ46PFP-7XET | 廃止 | 2,500 | 1.333 GHz | 揮発性 | 4gbit | 18 ns | ドラム | 256m x 16 | ポッド | 15ns | ||||||
| NDQ46PFP-7NET TR | - | | 6568 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | - | - | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | - | - | 1982-NDQ46PFP-7NETTR | 廃止 | 2,500 | 1.333 GHz | 揮発性 | 4gbit | 18 ns | ドラム | 256m x 16 | ポッド | 15ns | ||||||
| NSEC53K008-AT | 18.8618 | | 4589 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-nand （mlc） | 3.3V | 153-FBGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NSEC53K008-AT | 152 | 200 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | EMMC_5 | - | ||||||
| NDS73PBE-16ET | 3.6404 | | 4806 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDS73PBE-16ET | 190 | |||||||||||||||||||
| NLQ83PFS-6NIT | 18.1702 | | 7007 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NLQ83PFS-6NIT | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 32 | LVSTL | 18ns | |||||
| NLQ83PFS-8NET | 17.8885 | | 5861 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NLQ83PFS-8NET | 136 | 1.2 GHz | 揮発性 | 8gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 32 | LVSTL | 18ns | |||||
| NDS76PBA-16IT TR | 2.1688 | | 4532 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDS76PBA-16ITTR | 2,500 | |||||||||||||||||||
| NSEC53T016-AT | 19.1520 | | 3994 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.7V〜3.6V | 153-FBGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NSEC53T016-AT | 152 | 200 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
| nlq43pfs-6nit tr | 15.2500 | | 9530 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | LVSTL | 18ns | ||||||
| ndl26pfi-9mit tr | 6.6986 | | 7251 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-VFBGA | NDL26 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1982-ndl26pfi-9mittr | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| ndl56pfj-8ket tr | 2.7602 | | 6729 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-VFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （8x13） | - | 1982-NDL56PFJ-8Kettr | 2,500 | 800 MHz | 揮発性 | 512mbit | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | ||||||||
| NDD36PT6-2AIT | 2.5561 | | 2497 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDD36P | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDD36PT6-2AIT | 108 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | SSTL_2 | 15ns | |||||
| NLQ26PFS-6NIT | 8.3250 | | 3042 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | - | 1982-NLQ26PFS-6NIT | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 16 | LVSTL | 18ns | |||||||
 | NDL26PFI-8KIT TR | 9.5500 | | 4 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-VFBGA | NDL26 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1982-NDL26PFI-8KITTR | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |
| NDS73PBE-16AT | 4.0505 | | 5907 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDS73PBE-16AT | 190 | |||||||||||||||||||
 | NDQ48PFQ-8NIT | 7.9800 | | 5104 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDQ48P | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x10.6 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDQ48PFQ-8NIT | 242 | 1.2 GHz | 揮発性 | 4gbit | 18 ns | ドラム | 512m x 8 | ポッド | 15ns | |||||
| NSEC00K016-AT | 25.5360 | | 4250 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-nand （mlc） | 3.3V | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NSEC00K016-AT | 98 | 200 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | EMMC_5 | - | ||||||
| NLQ83PFS-6NET | 17.8885 | | 9122 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NLQ83PFS-6NET | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 32 | LVSTL | 18ns | |||||
 | ndq86pfi-7nit tr | 11.9700 | | 3291 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDQ86P | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDQ86PFI-7NITTR | 1,500 | 1.333 GHz | 揮発性 | 8gbit | 18 ns | ドラム | 512m x 16 | ポッド | 15ns | |||||
| NDL26PFG-8KIT TR | - | | 8163 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | NDL26 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （9x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
| nds63pt9-16et tr | 3.0982 | | 2482 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDS63PT9-16ETTR | 1,000 | |||||||||||||||||||
 | NDS66PT5-16IT | 1.5749 | | 1203 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDS66P | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDS66PT5-16IT | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | lvttl | - | |||||
| NDQ46PFP-7NIT TR | - | | 3266 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | - | - | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | - | - | 1982-NDQ46PFP-7NITTR | 廃止 | 2,500 | 1.333 GHz | 揮発性 | 4gbit | 18 ns | ドラム | 256m x 16 | ポッド | 15ns | ||||||
| NSEC00K008-ITJ | 23.2750 | | 1015 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （PSLC） | 3.3V | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NSEC00K008-ITJ | 98 | 200 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | EMMC_5 | - | ||||||
 | ndl86pfg-9met | 18.6200 | | 1270 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDL86P | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （9x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDL86PFG-9MET | 180 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 512m x 16 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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