RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

メモリ（364）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
ndl16pfj-8ket tr	5.3800	RFQ	5882	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-VFBGA	NDL16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	1,500	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
NDL26PFG-8KIT TR	-	RFQ	8163	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA	NDL26	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （9x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）			ear99	8542.32.0036	2,500	800 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
ndl26pfg-9mi tr	-	RFQ	6170	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA	NDL26	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （9x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）			ear99	8542.32.0036	2,500	933 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
ndl28pfh-9met tr	-	RFQ	8460	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-VFBGA	NDL28	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）			ear99	8542.32.0036	2,500	933 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	256m x 8	平行	15ns
ndt16pfj-8kit tr	4.5000	RFQ	142	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-VFBGA	NDT16	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-FBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	2,500	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
ndt16pfj-9met tr	4.6000	RFQ	2859	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-VFBGA	NDT16	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-FBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	2,500	933 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
NDT18PFH-8KIT TR	-	RFQ	2628	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-VFBGA	NDT18	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-FBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	2,500	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	128m x 8	平行	15ns
NSEC00K016-IT	29.2800	RFQ	3	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C	表面マウント	100-lbga	NSEC00	フラッシュ-nand （mlc）	3.3V	100-BGA（14x18）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	1982-1027	3A991B1A	8542.32.0071	98	200 MHz	不揮発性	128GBIT		フラッシュ	16g x 8	EMMC	-
ndl46pfp-9mit	12.2500	RFQ	660	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA	NDL46	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	1982-NDL46PFP-9RIT	ear99	8542.32.0036	209	933 MHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	256m x 16	平行	15ns
NDQ46PFP-7NET	-	RFQ	2479	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	廃止	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-FBGA （7.5x13.5）	-				1982-NDQ46PFP-7NET	廃止		2,500	1.333 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	256m x 16	ポッド	15ns
NDS36PBA-20IT TR	3.4484	RFQ	2903	Insignis Technology Corporation	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS36PBA-20ITTR			2,500
ndl26pfi-9met tr	6.6986	RFQ	4501	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-VFBGA	NDL26	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1982-NDL26PFI-9METTR	ear99	8542.32.0036	1,500	933 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
ndl28pfh-9mit tr	-	RFQ	7570	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-VFBGA	NDL28	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （8x10.5	-				1982-ndl28pfh-9mittr	廃止		2,000	933 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	256m x 8	平行	15ns
ndl26pfi-9mit tr	6.6986	RFQ	7251	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-VFBGA	NDL26	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1982-ndl26pfi-9mittr	ear99	8542.32.0036	1,500	933 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
NDL28PFR-9mit	6.7500	RFQ	8385	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-VFBGA	NDL28	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （7.5x10.5	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	1982-NDL28PFR-9RIT	ear99	8542.32.0036	210	933 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	256m x 8	平行	15ns
NDL28PFR-8KIT	-	RFQ	6555	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-VFBGA	NDL28	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （7.5x10.5	-			影響を受けていない	1982-NDL28PFR-8KIT	ear99	8542.32.0036	210	800 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	256m x 8	平行	15ns
NDL26PFI-8KIT TR	9.5500	RFQ	4	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-VFBGA	NDL26	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	1982-NDL26PFI-8KITTR	ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
NDS73PT9-16IT	5.1500	RFQ	1	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	NDS73PT9	SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	1982-NDS73PT9-16IT	ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 32	lvttl	-
NDS76PT5-20ET TR	2.0259	RFQ	2716	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	-				1982-NDS76PT5-20ETTR			1,000	200 MHz	揮発性	128mbit		ドラム	4m x 32	lvttl	-
NDS66PBA-16IT	2.7602	RFQ	4429	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA		SDRAM	3V〜3.6V	54-FBGA	-				1982-NDS66PBA-16IT			2,500	166 MHz	揮発性	64mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 16	lvttl	-
NDQ46PFI-7NET	8.2500	RFQ	8065	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-FBGA （7.5x13	-				1982-NDQ46PFI-7NET			1,500	1.333 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	256m x 16	ポッド	15ns
NDS38PT5-16ET	2.5508	RFQ	4945	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	-				1982-NDS38PT5-16ET			1,000	166 MHz	揮発性	256mbit		ドラム	32m x 8	lvttl	-
NDS36PT5-20IT	2.7899	RFQ	5546	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	-				1982-NDS36PT5-20IT			1,000	200 MHz	揮発性	256mbit	4.5 ns	ドラム	16m x 16	lvttl	10ns
ndb56pfc-4dit tr	2.4448	RFQ	5373	Insignis Technology Corporation	NDB5	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	84-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA （8x12.5	-				1982-NDB56PFC-4DITTR			2,500	400 MHz	揮発性	512mbit	400 PS	ドラム	32m x 16	SSTL_18	15ns
NDL26PFI-8KEK	6.4500	RFQ	2743	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13	-				1982-NDL26PFI-8KEK			1,500	800 MHz	揮発性	2Gbit		ドラム	128m x 16	平行	-
NDQ46PFP-8NIT TR	-	RFQ	3459	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜95°C（TC）	-	-		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	-	-				1982-NDQ46PFP-8NITTR	廃止		2,500	1.2 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	256m x 16	ポッド	15ns
ndl16pfj-9met tr	3.7465	RFQ	7004	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （8x13）	-				1982-NDL16PFJ-9METTR			1,500	933 MHz	揮発性	1gbit		ドラム	64m x 16	平行	-
ndl56pfj-8kit tr	3.0757	RFQ	8072	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （8x13）	-				1982-NDL56PFJ-8KITTR			2,500	800 MHz	揮発性	512mbit	20 ns	ドラム	32m x 16	平行	15ns
NDQ48PFQ-8XET	8.2500	RFQ	3202	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	78-FBGA （7.5x10.6	-				1982-NDQ48PFQ-8XET			2,500	1.2 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	512m x 8	ポッド	15ns
NDQ46PFP-8XIT	-	RFQ	6354	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-FBGA （7.5x13.5）	-				1982-NDQ46PFP-8XIT	廃止		2,500	1.2 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	256m x 16	ポッド	15ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（364）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²