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メモリ（ 131）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TC58NVG2S0HBAI6 | - |  | 3138 | 0.00000000 | Kioxia America | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 67-VFBGA | TC58NVG2 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 67-VFBGA （6.5x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 不揮発性 | 4gbit | 25 ns | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | 25ns | 確認されていません | |||
 | TC58NVG2S0HTA00 | - | | 6689 | 0.00000000 | Kioxia America | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | TC58NVG2 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 4gbit | 25 ns | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | 25ns | ||||
| TC58NYG1S3HBAI6 | - | | 4084 | 0.00000000 | Kioxia America | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 67-VFBGA | TC58NYG1 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 67-VFBGA （6.5x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991A2 | 8542.32.0071 | 338 | 不揮発性 | 2Gbit | 25 ns | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | 25ns | ||||
| TC58NYG2S0HBAI6 | 5.2300 | | 175 | 0.00000000 | Kioxia America | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 67-VFBGA | TC58NYG2 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 67-VFBGA （6.5x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 不揮発性 | 4gbit | 25 ns | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | 25ns | ||||
| TH58BVG2S3HTA00 | - | | 3565 | 0.00000000 | Kioxia America | Benand™ | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | Th58bvg2 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 4gbit | 25 ns | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | 25ns | ||||
 | thgbmhg8c2lbail | - | | 6916 | 0.00000000 | Kioxia America | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-WFBGA | thgbmhg | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-wfbga（11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 52 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC | - | ||||
| thgbmhg9c4lbair | - | | 6974 | 0.00000000 | Kioxia America | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-WFBGA | thgbmhg | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-wfbga（11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 52 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | EMMC | - | ||||
 | TC58CYG2S0HRAIG | - | | 4747 | 0.00000000 | Kioxia America | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | TC58CYG2 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | spi | - | ||||
 | TH58BVG2S3HBAI4 | 7.2400 | | 204 | 0.00000000 | Kioxia America | Benand™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | Th58bvg2 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 63-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | TH58BVG2S3HBAI4JDH | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 210 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | - | 25ns | ||||
| TH58BVG3S0HTAI0 | - | | 1969年 | 0.00000000 | Kioxia America | Benand™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | TH58BVG3 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | TH58BVG3S0HTAI0B4H | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 96 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 1g x 8 | - | 25ns | ||||
| TH58NVG4S0HTA20 | - | | 2465 | 0.00000000 | Kioxia America | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | TH58NVG4 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | th58nvg4s0hta20ycj | 3A991B1B1 | 8542.32.0051 | 96 | 不揮発性 | 16gbit | 25 ns | フラッシュ | 2g x 8 | 平行 | 25ns | |||
 | thgbmfg6c1lbail | - | | 4036 | 0.00000000 | Kioxia America | - | トレイ | 廃止 | 表面マウント | thgbmf | 153-FBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 152 | |||||||||||||||
| thgbmgt0u8lbaig | - | | 9622 | 0.00000000 | Kioxia America | - | トレイ | 廃止 | 表面マウント | thgbmg | 153-TFBGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | |||||||||||||||
| thgbmhg7c2lbail | - | | 6512 | 0.00000000 | Kioxia America | - | トレイ | 廃止 | 表面マウント | thgbmhg | 153-wfbga（11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | |||||||||||||||
| th58byg3s0hbai4 | 10.6500 | | 9411 | 0.00000000 | Kioxia America | Benand™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | th58byg3 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 63-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 210 | 不揮発性 | 8gbit | 25 ns | フラッシュ | 1g x 8 | 平行 | 25ns | ||||
| TH58NVG2S3HBAI4 | - | | 5035 | 0.00000000 | Kioxia America | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-BGA | TH58NVG2 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 63-BGA （9x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | TH58NVG2S3HBAI4JDH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | 25ns | ||||
 | thgbmhg6c1lbau6 | - | | 8630 | 0.00000000 | Kioxia America | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 153-WFBGA | thgbmhg | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 153-wfbga（11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 200 MHz | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 1g x 8 | EMMC | - | ||||
| thgbmhg9c8lbau8 | - | | 4704 | 0.00000000 | Kioxia America | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 153-WFBGA | thgbmhg | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 153-wfbga（11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 200 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | EMMC | - | ||||
| thgbmng5d1lbail | - | | 8045 | 0.00000000 | Kioxia America | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-WFBGA | thgbmng5 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 153-wfbga（11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 200 MHz | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | EMMC | - | ||||
| thgbmng5d1lbait | - | | 6315 | 0.00000000 | Kioxia America | E•MMC™ | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-WFBGA | thgbmng5 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-wfbga（11x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 168 | 52 MHz | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | EMMC | - | ||||
| thgjfgt1e45baip | 89.0200 | | 3 | 0.00000000 | Kioxia America | E•MMC™ | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-WFBGA | フラッシュ - （slc） | 2.4V〜3.6V | 153-wfbga（11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1853-THGJFGT1E45BAIP | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 1.16 GHz | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | EMMC | - | |||||
| thgamvg9t23bail | - | | 1055 | 0.00000000 | Kioxia America | - | トレイ | アクティブ | - | 3 （168 時間） | 1853-THGAMVG9T23BAIL | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | |||||||||||||||||||
| TC58NYG0S3HBAI6 | - | | 2590 | 0.00000000 | Kioxia America | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 67-VFBGA | TC58NYG0 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 67-VFBGA （6.5x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 不揮発性 | 1gbit | 25 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 25ns | ||||
| thgbmhg8c4lbawr | - | | 6882 | 0.00000000 | Kioxia America | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-WFBGA | thgbmhg | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-wfbga（11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 52 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC | - | ||||
| thgamvg7t13bail | - | | 3840 | 0.00000000 | Kioxia America | - | トレイ | アクティブ | - | 3 （168 時間） | 1853-THGAMVG7T13BAIL | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | |||||||||||||||||||
| TC58CVG2S0HRAIJ | - | | 5871 | 0.00000000 | Kioxia America | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | TC58CVG2 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1853-TC58CVG2S0HRAIJ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 不揮発性 | 4gbit | 300 µs | フラッシュ | 512m x 8 | spi | - | ||
| TC58CVG0S3HRAIJ | - | | 2831 | 0.00000000 | Kioxia America | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | TC58CVG0 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1853-TC58CVG0S3HRAIJ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 180 µs | フラッシュ | 128m x 8 | spi | - | ||
| thgamrt0t43bair | - | | 5450 | 0.00000000 | Kioxia America | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-WFBGA | thgamrt0 | フラッシュ -ナンド | - | 153-wfbga（11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | thgamrt0t43bairygj | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | EMMC | - | ||||
| thgbmjg7c2lbau8 | - | | 8424 | 0.00000000 | Kioxia America | E•MMC™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 153-WFBGA | thgbmjg7 | フラッシュ -ナンド | - | 153-wfbga（11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | EMMC | - | |||||
| thgbmjg8c2lbail | - | | 6398 | 0.00000000 | Kioxia America | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-WFBGA | thgbmjg8 | フラッシュ -ナンド | - | 153-wfbga（11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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