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メモリ（ 3）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	水分感度レベル（MSL）	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
hyb25d512800ce-6	7.1400	RFQ	1	キモンダ	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	hyb25d512	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	1 （無制限）	ear99	8542.32.0036	1,500	166 MHz	揮発性	512mbit	ドラム	64m x 8	平行	-
hyb25d512800ce-5	7.3200	RFQ	2	キモンダ	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	hyb25d512	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	1 （無制限）	ear99	8542.32.0036	1,500	200 MHz	揮発性	512mbit	ドラム	64m x 8	平行	-
HYB18T1G800BF-3S	35.1000	RFQ	87	キモンダ	-	カットテープ（CT）	sicで中止されました	0°C〜95°C （TC	表面マウント	68-TFBGA	hyb18t1g	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V		ダウンロード	3 （168 時間）	ear99	8542.32.0036	2,000	333 MHz	揮発性	1gbit	ドラム	128m x 8	平行	-