画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 647883-S21-C | 37.0000 | ![]() | 5515 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-647883-S21-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | NM27C010V150 | - | ![]() | 9845 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | - | 2156-NM27C010V150 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 11LC040T-I/MNY | 0.3750 | ![]() | 6103 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wfdfn露出パッド | 11LC040 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-tdfn (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 100 kHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 512 x 8 | 単一ワイヤ | 5ms | ||||
AT24C512C-CUM-T-834 | - | ![]() | 4993 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-vfbga dsbga | AT24C512C | Eeprom | 1.7V〜3.6V | 8-dbga (2.35x3.73) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 512kbit | 900 ns | Eeprom | 64k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | Cy7C1312BV18-200BZXC | - | ![]() | 5027 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1312 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | 593921-B21-C | 43.7500 | ![]() | 7423 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-593921-B21-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | STK14C88-NF45ITR | - | ![]() | 6796 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | STK14C88 | nvsram (不揮発性 sram) | 4.5v〜5.5V | 32-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 不揮発性 | 256kbit | 45 ns | nvsram | 32k x 8 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | 24AA256T-E/SM | 1.2600 | ![]() | 7665 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | 24AA256 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-SOIJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,100 | 400 kHz | 不揮発性 | 256kbit | 900 ns | Eeprom | 32k x 8 | i²c | 5ms | |||
CAT25080VGE-26773 | 0.1700 | ![]() | 3626 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | CAT25080 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | spi | 5ms | ||||||
![]() | NM24C08N | 0.4300 | ![]() | 3401 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | NM24C08 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 8ディップ | ダウンロード | ROHS非準拠 | ear99 | 8542.32.0051 | 40 | 100 kHz | 不揮発性 | 8kbit | 3.5 µs | Eeprom | 1k x 8 | i²c | 10ms | |||||
![]() | HM1-65162S-9 | - | ![]() | 2048 | 0.00000000 | ハリスコーポレーション | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 24-CDIP (0.600 "、15.24mm) | HM1-65162 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 24カーディップ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 16kbit | 55 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | S34ML04G200TFB003 | - | ![]() | 1970年 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | S34ML04 | - | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 2120-S34ML04G200TFB003 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 確認されていません | ||||||||||||||||
AT93C86A-10TU-1.8 | 0.4100 | ![]() | 6607 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | at93c86a | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | AT93C86A10TU18 | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 2 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8、1k x 16 | 3線シリアル | 10ms | ||||
![]() | cy62148vnll-70zsxi | 15.9000 | ![]() | 328 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | mobl® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-SOIC (0.400 "、幅 10.16mm) | Cy62148 | sram-非同期 | 2.7V〜3.6V | 32-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 19 | 揮発性 | 4mbit | 70 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 70ns | 確認されていません | |||||
![]() | upd48576118f1-e24y-dw1-a | - | ![]() | 4389 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 144-TBGA | Upd48576118 | lldram2 | 1.7V〜1.9V | 144-TFBGA (11x18.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 559-UPD48576118F1-E24Y-DW1-A | 廃止 | 1 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 32m x 18 | HSTL | - | |||
![]() | Cy7C1145KV18-450BZXC | 49.9275 | ![]() | 1651 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1145 | sram- qdr ii+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 450 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||||
93LC46BT-E/OT | 0.3600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | SOT-23-6 | 93LC46 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | SOT-23-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 2 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 64 x 16 | マイクロワイヤ | 6ms | |||||
R1EX24032ASAS0I #U0 | 2.9100 | ![]() | 6154 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | R1EX24XXX | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2,500 | 400 kHz | 不揮発性 | 32kbit | 900 ns | Eeprom | 4k x 8 | i²c | 5ms | ||||||||
![]() | AS4C32M8SA-6TINTR | 3.6397 | ![]() | 2341 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | AS4C32 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 32m x 8 | 平行 | - | |||
![]() | 6116la55db | - | ![]() | 7831 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -55°C〜125°C | 穴を通して | 24-CDIP (0.600 "、15.24mm) | 6116la | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 24-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 15 | 揮発性 | 16kbit | 55 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | 71T75602S166BGG | 44.5700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 119-BGA | 71T75602 | sram- sdr(zbt) | 2.375V〜2.625V | 119-PBGA | ダウンロード | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.5 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||||||
![]() | GS81314LD19GK-933I | 622.5000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜100°C (TJ | 表面マウント | 260-BGA | GS81314LD19 | sram- qdr ive | 1.25V〜1.35V | 260-BGA (22x14) | - | ROHS3準拠 | 4 (72 時間) | 影響を受けていない | 2364-GS81314LD19GK-933I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 933 MHz | 揮発性 | 144mbit | sram | 8m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | CAT93C76ZD4I-GT3 | - | ![]() | 3616 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | CAT93C76 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tdfn(3x3) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 3 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8、512 x 16 | マイクロワイヤ | - | |||||
![]() | AT27LV010A-12JI | - | ![]() | 7305 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-lcc | AT27LV010 | eprom -otp | 3V〜3.6V | 32-PLCC( 13.97x11.43 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | AT27LV010A12JI | ear99 | 8542.32.0061 | 32 | 不揮発性 | 1mbit | 120 ns | eprom | 128k x 8 | 平行 | - | |||
![]() | CAT93C66YGI-T3 | 0.1000 | ![]() | 66 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | CAT93C66 | Eeprom | 2.5V〜6V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-CAT93C66YGI-T3-488 | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 2 MHz | 不揮発性 | 4kbit | 250 ns | Eeprom | 256 x 16、512 x 8 | マイクロワイヤ | - | |||
![]() | Cy7C1387KV33-167AXC | 30.9750 | ![]() | 3208 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1387 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 720 | 167 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.4 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | |||
S25HL02GTDPBHM050 | 39.7425 | ![]() | 9081 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 24-FBGA (8x8) | ダウンロード | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,600 | 133 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 6.5 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 1.7ms | ||||||||
![]() | S29GL256P11FFIS42 | - | ![]() | 7674 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 500 | 不揮発性 | 256mbit | 110 ns | フラッシュ | 32m x 8 | 平行 | 110ns | 確認されていません | |||
![]() | 24LC04B-I/MS | 0.3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | 24LC04B | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 4kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 x 2 | i²c | 5ms | |||
![]() | AT45DB041E-SHN-T | 1.3900 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | AT45DB041 | フラッシュ | 1.65v〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 85 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 264バイトx 2048ページ | spi | 8µs、3ms |
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