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パワーマネジメント（ pmic ）（1138）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース 特徴 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー 電圧 -入力 電圧 -入力（最大） 出力タイプ 比率 -入力：出力 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 関数 電圧 -供給（ vcc/vdd） インタフェース 出力数 現在 -静止（IQ） 現在 -供給（最大） トポロジー 周波数 -切り替え 障害保護 制御機能 出力構成 同期整流器 センシング方法 正確さ 現在 -出力 rds on（typ） 電圧 -負荷 モータータイプ -ステッパー モータータイプ-ac 、dc ステップ解決 スイッチタイプ 現在 -出力（最大） 電圧 -min/固定） 電圧 -出力（最大） 電圧 -入力（最小） 規制当局の数 電圧ドロップアウト（最大） psrr 保護機能
TB6560AFG,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AFG 、8 3.8200
RFQ
 ECAD 5140 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -30°C〜85°C 汎用 表面マウント 64-TQFP露出パッド TB6560 4.5v〜5.5V 64-hqfp （10x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 1 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 1.5a 4.5V〜34V バイポーラ -
TB67S508FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S508FTG 3.1400
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜85°C（Ta） 汎用 表面マウント 36-VFQFN露出パッド TB67S508 DMOS 2V〜5.5V 36-vqfn （5x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバ PWM プレドライバー -ハーフブリッジ（2） 3a 10V〜35V バイポーラ dc 1、1/2、1/4
TCR8BM11,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM11、L3F 0.4500
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR8BM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR8BM11 5.5V 修理済み 5-dfnb（1.2x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 現在の制限、有効 ポジティブ 800mA 1.1V - 1 0.245V @ 800MA 98dB 電流で、温度を超えます
TB6575FNG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6575FNG 2.9800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜105°C（TA） 汎用 表面マウント 24-lssop（0.220 "、5.60mm 幅） TB6575 CMOS 4.5v〜5.5V 24ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.31.0001 2,000 コントローラー -整流、方向管理 平行 プレドライバー -ハーフブリッジ（ 3） - - - dc （bldc） -
TCR2LF13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF13 0.3800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR2LF13 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.3V - 1 1.13V @ 150ma - 現在の上
TCK301G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK301G 、LF 1.1500
RFQ
 ECAD 7356 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCK30 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 9-ufbga、wlcsp スルーレート制御、ステータスフラグ TCK301 - nチャネル 1：1 9-wcsp（ 1.5x1.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 必要ありません オン/オフ 1 uvlo ハイサイド 73mohm 2.3V〜28V 汎用 3a
TBD62502AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62502AFNG 1.0600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-lssop（0.173 "、幅4.40mm） - TBD62502 反転 nチャネル 1：1 16ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 必要ありません オン/オフ 7 - ローサイド - 50V （最大） 汎用 300mA
TCR2DG28,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG28、LF 0.5000
RFQ
 ECAD 9976 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2DG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-ufbga、wlcsp TCR2DG28 5.5V 修理済み 4-wcsp（ 0.79x0.79） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA - ポジティブ 200mA 2.8V - 1 0.12V @ 100MA - イングラッシュ電流、電流、サーマルシャットダウン
TCR3RM29A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM29A 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3RM テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR3RM29 5.5V 修理済み 4-dfnc ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 - ポジティブ 300mA 2.9V - 1 0.13V @ 300MA 100dB （1kHz） 電流で、温度を超えます
TA78L24F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ta78l24f （TE12L -
RFQ
 ECAD 4095 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C 表面マウント TO-243AA TA78L24 40V 修理済み pw-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1,000 6 Ma 6.5 Ma - ポジティブ 150ma 24V - 1 - 35db （120Hz） 電流で、温度を超えます
TC78H610FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H610FNG 0.7509
RFQ
 ECAD 6522 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜85°C（Ta） 汎用 表面マウント 16-lssop（0.173 "、幅4.40mm） TC78H610 DMOS 2.7V〜5.5V 16ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（2） 800mA 2.5V〜15V - dc -
TCR2LN32,LSF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN32 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LN テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 4-XFDFN露出パッド 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 3.2V - 1 0.28V @ 150ma - 現在の上
TA58M05S,KDQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S -
RFQ
 ECAD 2978 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58M05 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 80 Ma - ポジティブ 500µA 5V - 1 0.65V @ 500MA - 電流、温度上、逆極性
TCR13AGADJ,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR13AGADJ lf 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR13AG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 6-XFBGA 、WLCSP TCR13 6V 調整可能 6-wcsp（1.2x0.80） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 92 µA 有効にする ポジティブ 1.3a 0.55V 3.6V 1 0.163V @ 1a 90dB uvlo
TCK108AF,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK108AF 、LF 0.4800
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 負荷放電、スルーレートが制御されます TCK108 反転 pチャネル 1：1 SMV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 必要ありません オン/オフ 1 - ハイサイド 63mohm 1.1V〜5.5V 汎用 1a
TA58L06S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage Ta58L06S -
RFQ
 ECAD 5930 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58L06 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 50 Ma - ポジティブ 250ma 6V - 1 0.4V @ 200mA - 電流で、温度を超えます
TA78L012AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage ta78l012ap -
RFQ
 ECAD 9521 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L012 35V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - ポジティブ 150ma 12V - 1 1.7V @ 40ma（タイプ） 41db （120Hz） 現在の上
TCK108G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK108G 、LF -
RFQ
 ECAD 4705 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 4-ufbga スルーレートが制御されました TCK108 非反転 pチャネル 1：1 4-wcsp（ 0.79x0.79） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 必要ありません オン/オフ 1 - ハイサイド 49mohm 1.1V〜5.5V 汎用 1a
KIA78DL05PI Toshiba Semiconductor and Storage Kia78dl05pi -
RFQ
 ECAD 3058 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ アクティブ Kia78 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 50
TCV7102F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7102F （TE12L -
RFQ
 ECAD 6031 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 8-powertdfn TCV71 5.5V 調整可能 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 降圧 1 バック 1.4MHz ポジティブ はい 3a 0.8V 5.5V 2.7V
TB6641FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6641FTG 1.1263
RFQ
 ECAD 3247 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜150°C （TJ 汎用 表面マウント 32-VFQFN露出パッド TB6641 Power Mosfet 10V〜45V 32-VQFN （5x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 2,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ pwm ハーフブリッジ（2） 1.5a 10V〜45V - dc -
TCR2EE50,LM(T Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE50 -
RFQ
 ECAD 8145 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2EE テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント SOT-553 TCR2EE50 5.5V 修理済み ESV ダウンロード 1 （無制限） tcr2ee50lm（t ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 5V - 1 0.2V @ 150ma 73dB 現在の上
TCKE812NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE812NA 、RF 1.5200
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 10-wfdfn露出パッド TCKE812 4.4V〜18V 10-wsonb（3x3） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 電子ヒューズ - - 5a
TA78L10F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ta78l10f （TE12L -
RFQ
 ECAD 2002年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C 表面マウント TO-243AA TA78L10 35V 修理済み pw-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1,000 6 Ma 6.5 Ma - ポジティブ 150ma 10V - 1 - 43db （120Hz） 電流で、温度を超えます
TCR5SB30A(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TCR5SB30A -
RFQ
 ECAD 3406 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR5SB テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR5SB30 6V 修理済み SMV - 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 75 µA 有効にする ポジティブ 150ma 3V - 1 0.19V @ 50ma 80db （1kHz） 現在の上
TB67S149HG Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149HG 6.6200
RFQ
 ECAD 3968 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ アクティブ -20°C〜85°C（Ta） 汎用 穴を通して 25-sip形成リード TB67S149 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 25-hzip ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 17 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（2） 3a 10V〜40V ユニポーラ - 1〜1/32
TCK208G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK208G 、LF 0.1916
RFQ
 ECAD 4136 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 4-ufbga、wlcsp 負荷放電、スルーレートが制御されます TCK208 非反転 nチャネル 1：1 4-wlcsp（ 0.90x0.90） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 必要ありません オン/オフ 1 逆電流 ハイサイド 18.1mohm 0.75V〜3.6V 汎用 2a
TBD62003APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62003APG 1.1500
RFQ
 ECAD 5287 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 16-dip （0.300 "、7.62mm） - TBD62003 反転 nチャネル 1：1 16-dip ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） TBD62003APG ear99 8542.39.0001 25 必要ありません オン/オフ 7 - ローサイド - 50V （最大） 汎用 500mA
TA76431S,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage Ta76431S -
RFQ
 ECAD 3533 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA76431 - 調整可能 LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 - ポジティブ - 2.495V 36V 1 - - -
TBD62089APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62089APG 1.6600
RFQ
 ECAD 9502 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 20-dip （0.300 "、7.62mm） - TBD62089 非反転 nチャネル 1：1 20ディップ ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8542.39.0001 800 3V〜5.5V - 8 - ローサイド 1.6ohm 50V （最大） 汎用 500mA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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