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パワーマネジメント（ pmic ）（1138）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース 特徴 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー 現在 -供給 電圧 -入力 電圧 -入力（最大） 出力タイプ 温度係数 比率 -入力：出力 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 関数 現在 -出力 /チャネル 参照タイプ 電圧 -供給（ vcc/vdd） インタフェース 出力数 現在 -静止（IQ） 現在 -供給（最大） 障害保護 制御機能 出力構成 現在 -出力 負荷タイプ rds on（typ） 現在 -ピーク出力 電圧 -負荷 モータータイプ -ステッパー モータータイプ-ac 、dc ステップ解決 スイッチタイプ 現在 -出力（最大） 電圧 -min/固定） ノイズ-0.1Hz10Hz ノイズ-10Hz10kHz 電圧 -出力（最大） 規制当局の数 電圧ドロップアウト（最大） psrr 保護機能
TB67H452FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H452FTG 、EL 3.8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜85°C（Ta） 汎用 表面マウント 48-VFQFN露出パッド TB67H452 Power Mosfet 4.5v〜5.5V 48-QFN （7x7） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 2,000 ドライバ PWM ハーフブリッジ（4） 5a 6.3V〜38V バイポーラ dc -
TA58M12S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M12S -
RFQ
 ECAD 7335 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58M12 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1.2 Ma 80 Ma - ポジティブ 500mA 12V - 1 0.65V @ 500MA - 電流、温度上、逆極性
TB67Z800FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67Z800FTG、EL 2.7700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 汎用 表面マウント 36-VFQFN露出パッド - TB67Z800 - 5.5V〜22V 36-vqfn （5x5） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 2,000 3a 論理 uvlo ハーフブリッジ（ 3） 誘導性、容量性 - - 5.5V〜22V
TB6613FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6613FTG 1.2236
RFQ
 ECAD 2740 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * テープ＆リール（ tr） アクティブ TB6613 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） TB6613FTG8EL ear99 8542.39.0001 2,000
TCR3UM28A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr3um28a 0.4700
RFQ
 ECAD 9199 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-udfn露出パッド 5.5V 修理済み 4-dfn（1x1） - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 680 na 現在の制限、有効 ポジティブ 300mA 2.8V - 1 0.327V @ 300MA - 電流で、温度を超えます
TCR8BM08A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM08A 、L3F 0.4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR8BM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XDFN露出パッド 5.5V 修理済み 5-dfnb（1.2x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 現在の制限、有効 ポジティブ 800mA 0.8V - 1 0.21V @ 800MA 98dB 電流、温度を超えて、電圧ロックアウト（ウブロ）
TCR3DF45,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF45 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR3DF45 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 125 µA 有効にする ポジティブ 300mA 4.5V - 1 0.22V @ 300MA 70dB イングラッシュ電流、電流、温度上
TCR3DG33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG33 、LF 0.1054
RFQ
 ECAD 3467 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 4-XFBGA 、CSPBGA TCR3DG33 5.5V 修理済み 4-wcspe（0.65x0.65） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 65 µA 78 µA - ポジティブ 300mA 3.3V - 1 0.215V @ 300MA 70dB 電流で、温度を超えます
TA78L007AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage ta78l007ap -
RFQ
 ECAD 6232 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L007 35V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - ポジティブ 150ma 7V - 1 1.7V @ 40ma（タイプ） 46db （120Hz） 現在の上
TA78L015AP(TPE6,FM Toshiba Semiconductor and Storage ta78l015ap -
RFQ
 ECAD 6651 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L015 35V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - ポジティブ 150ma 15V - 1 1.7V @ 40ma（タイプ） 40dB （120Hz） 電流で、温度を超えます
TA58L09S,LS2PAIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage Ta58l09s -
RFQ
 ECAD 1483 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58L09 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 50 Ma - ポジティブ 250ma 9V - 1 0.4V @ 200mA - 電流で、温度を超えます
TCR8BM105,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM105 、L3F 0.4600
RFQ
 ECAD 9938 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR8BM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR8BM105 5.5V 修理済み 5-dfnb（1.2x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 現在の制限、有効 ポジティブ 800mA 1.05V - 1 0.24V @ 800MA 98dB 電流で、温度を超えます
TCR5AM10A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM10A 、LF 0.1357
RFQ
 ECAD 7913 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR5AM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 4-XDFN露出パッド 5.5V 修理済み 5-dfnb（1.2x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 現在の制限、有効 ポジティブ 500mA 1V - 1 0.25V @ 500MA 90dB 電流、温度を超えて、電圧ロックアウト（ウブロ）
TA78DS05BP,T6NHF(J Toshiba Semiconductor and Storage Ta78ds05bp -
RFQ
 ECAD 6489 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 Ta78ds 33V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 1 Ma - ポジティブ 30ma 5V - 1 0.3V @ 10MA - 電流、温度上、電圧、過渡電圧
TA76432S,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage Ta76432S -
RFQ
 ECAD 4672 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 - -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA76432 - - - - LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TB67S261FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S261FTG 2.5800
RFQ
 ECAD 370 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜150°C （TJ 汎用 表面マウント 48-wfqfn露出パッド TB67S261 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 48-wqfn （7x7） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 2a 10V〜47V バイポーラ - 1、1/2、1/4
TCR15AG11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG11、LF 0.6400
RFQ
 ECAD 5742 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR15AG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 6-XFBGA 、WLCSP TCR15AG11 6V 修理済み 6-wcsp（1.2x0.80） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 40 µA 有効にする ポジティブ 1.5a 1.1V - 1 0.24V @ 1.5a 95db〜60db（1khz） uvlo
TB9083FTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9083FTG 8.2600
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜150°C（ta） 汎用 表面マウント、濡れ可能な側面 48-VFQFN露出パッド Power Mosfet 3V〜5.5V、4.5V〜28V 48-VQFN （7x7） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 2,000 コントローラー -現在の管理 spi プレドライバー -ハーフブリッジ（ 3） - - 多相 dc （bldc） -
TB62213AHQ Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AHQ -
RFQ
 ECAD 3279 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ 廃止 -20°C〜150°C （TJ 汎用 穴を通して 25-sip形成リード TB62213 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 25-hzip ダウンロード 1 （無制限） TB62213AHQ ear99 8542.39.0001 504 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 2.4a 10V〜38V バイポーラ - 1、1/2、1/4
TCR3DG12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG12 、LF 0.1054
RFQ
 ECAD 5253 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 4-XFBGA 、CSPBGA TCR3DG12 5.5V 修理済み 4-wcspe（0.65x0.65） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 65 µA 78 µA - ポジティブ 300mA 1.2V - 1 0.6V @ 300MA 70dB 電流で、温度を超えます
TB6642FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6642FTG 2.3700
RFQ
 ECAD 2373 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 汎用 表面マウント 32-VFQFN露出パッド TB6642 bi-cmos 10V〜45V 32-VQFN （5x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 2,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ pwm ハーフブリッジ（2） 1.5a 10V〜45V - dc -
TA76432AS,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432AS -
RFQ
 ECAD 3225 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 - -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA76432 - - - - LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR2LN30,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN30 、LF 0.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LN テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 4-XFDFN露出パッド TCR2LN30 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 3V - 1 0.28V @ 150ma - 現在の上
TA78L005AP,T6WNF(J Toshiba Semiconductor and Storage ta78l005ap -
RFQ
 ECAD 9553 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L005 35V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 6 Ma - ポジティブ 150ma 5V - 1 1.7V @ 40ma（タイプ） 49db （120Hz） -
TBD62084AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62084AFNG 1.4000
RFQ
 ECAD 214 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 18-lssop（ 0.173 "、幅4.40mm） - TBD62084 反転 nチャネル 1：1 18ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 必要ありません オン/オフ 8 - ローサイド - 50V （最大） 汎用 500mA
TC78H651FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H651FNG、EL 1.5300
RFQ
 ECAD 6457 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C 汎用 表面マウント 16-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） TC78H651 DMOS 1.8V〜6V 16-tssop ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ - ハーフブリッジ（4） 1.5a 1.8V〜6V バイポーラ dc -
TB62215AHQ Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AHQ -
RFQ
 ECAD 6418 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ 廃止 -20°C〜150°C （TJ 汎用 穴を通して 25-sip形成リード TB62215 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 25-hzip ダウンロード 1 （無制限） TB62215AHQ ear99 8542.39.0001 504 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 3a 10V〜38V バイポーラ - 1、1/2、1/4
TCR5RG1225A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG1225A 、LF 0.5300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR5RG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFBGA 、WLCSP TCR5RG1225 5.5V 修理済み 4-wcspf（ 0.65x0.65） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 13 µA - ポジティブ 500mA 1.225V - 1 - 100db〜59db（1khz1mhz 電流で、温度を超えます
TA76L431S(T6SOY,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431S -
RFQ
 ECAD 2963 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 - -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA76L431 - - - - LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR2LN105,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN105 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LN テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 4-XFDFN露出パッド 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.05V - 1 1.38V @ 150ma - 現在の上
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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