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パワーマネジメント（ pmic ）（1138）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース 特徴 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー 電圧 -入力（最大） 出力タイプ 比率 -入力：出力 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 関数 電圧 -供給（ vcc/vdd） インタフェース 出力数 現在 -静止（IQ） 現在 -供給（最大） 障害保護 制御機能 出力構成 現在 -出力 rds on（typ） 電圧 -負荷 モータータイプ -ステッパー モータータイプ-ac 、dc ステップ解決 スイッチタイプ 現在 -出力（最大） 電圧 -min/固定） 電圧 -出力（最大） 規制当局の数 電圧ドロップアウト（最大） psrr 保護機能
TCR3UF19A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF19A 0.4100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3UF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR3UF19 5.5V 修理済み SMV - ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TCR3UF19ALM（TR ear99 8542.39.0001 3,000 680 na 有効にする ポジティブ 300mA 1.9V - 1 0.464V @ 300MA 70dB 電流で、温度を超えます
TCR3RM09A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM09A lf -
RFQ
 ECAD 5897 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3RM テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR3RM09 5.5V 修理済み 4-dfnc ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 - ポジティブ 300mA 0.9V - 1 0.13V @ 300MA 100dB （1kHz） 電流で、温度を超えます
TCR2EF125,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF125 0.0618
RFQ
 ECAD 2335 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tcr2ef テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.25V - 1 0.57V @ 150ma 73dB 現在の上
TCR3DG135,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG135、LF 0.1054
RFQ
 ECAD 5613 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFBGA 、CSPBGA TCR3DG135 5.5V 修理済み 4-wcspe（0.65x0.65） - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 有効にする ポジティブ 300mA 1.35V - 1 0.53V @ 300MA 70dB イングラッシュ電流、電流、温度上
TCR2EE145,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE145 0.0680
RFQ
 ECAD 5542 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2EE テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SOT-553 TCR2EE145 5.5V 修理済み ESV ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.45V - 1 - 73dB 現在の上
TLE4276SV Toshiba Semiconductor and Storage TLE4276SV -
RFQ
 ECAD 2001年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ アクティブ TLE4276 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 50
TCR3UG1825A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG1825A 、LF 0.1261
RFQ
 ECAD 4531 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3UG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFBGA 、WLCSP 5.5V 修理済み 4-wcspf（ 0.65x0.65） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 5,000 0.68 µA 現在の制限、有効 ポジティブ 300mA 1.825V - 1 - 70dB 電流で、温度を超えます
TCR2DG24,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG24、LF 0.1394
RFQ
 ECAD 3967 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2DG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-ufbga、wlcsp 5.5V 修理済み 4-wcsp（ 0.79x0.79） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 有効にする ポジティブ 200mA 2.4V - 1 0.13V @ 100MA - 電流で、温度を超えます
TCR2LE11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE11 0.0742
RFQ
 ECAD 8537 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tcr2le テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント SOT-553 TCR2LE11 5.5V 修理済み ESV ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.1V - 1 1.3V @ 150ma - 現在の上
TA58L12S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L12S -
RFQ
 ECAD 8687 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58L12 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1.2 Ma 50 Ma - ポジティブ 250ma 12V - 1 0.4V @ 200mA - 電流で、温度を超えます
TCK106AG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK106AG 、LF 0.4800
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 4-ufbga、wlcsp スルーレートが制御されました TCK106 非反転 pチャネル 1：1 4-WCSPD （0.79x0.79 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 必要ありません オン/オフ 1 - ハイサイド 34mohm 1.1V〜5.5V 汎用 1a
TCR2LN085,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN085 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LN テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 4-XFDFN露出パッド 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 0.85V - 1 1.56V @ 150ma - 現在の上
TB67S141FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S141FTG 3.1800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜85°C（Ta） 汎用 表面マウント 48-wfqfn露出パッド TB67S141 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 48-wqfn （7x7） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（2） 3a 10V〜40V ユニポーラ - 1、1/2、1/4
TCR2LN12,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN12 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LN テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 4-XFDFN露出パッド 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.2V - 1 1.23V @ 150ma - 現在の上
TCR2LE12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE12 0.4100
RFQ
 ECAD 1177 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tcr2le テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント SOT-553 TCR2LE12 5.5V 修理済み ESV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.2V - 1 1.25V @ 150ma - 現在の上
TCR3UG19A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG19A 、LF 0.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3UG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 4-XFBGA 、WLCSP TCR3UG19 5.5V 修理済み 4-wcspf（ 0.65x0.65） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 680 na 有効にする ポジティブ 300mA 1.9V - 1 0.457V @ 300MA 70dB 電流で、温度を超えます
TCR2EE275,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE275 0.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2EE テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SOT-553 TCR2EE275 5.5V 修理済み ESV ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 2.75V - 1 0.23V @ 150ma 73dB 現在の上
TCR3RM18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM18A lf 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3RM テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR3RM18 5.5V 修理済み 4-dfnc ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 - ポジティブ 300mA 1.8V - 1 0.13V @ 300MA 100dB （1kHz） 電流で、温度を超えます
TBD62387APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62387APG 1.8600
RFQ
 ECAD 121 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜85°C 穴を通して 20-dip （0.300 "、7.62mm） - TBD62387 反転 nチャネル 1：1 20ディップ ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8542.39.0001 20 4.5v〜5.5V オン/オフ 8 - ローサイド 1.5ohm 0V〜50V 汎用 500mA
TCR5AM08,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM08、LF 0.1344
RFQ
 ECAD 9515 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR5AM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR5AM08 5.5V 修理済み 5-dfnb（1.2x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA 有効にする ポジティブ 500mA 0.8V - 1 0.22V @ 500MA 70db〜40db（1kHz10Hz 電流、温度を超えて、電圧ロックアウト（ウブロ）
TB67S149FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149FG 3.6800
RFQ
 ECAD 970 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜85°C（Ta） 汎用 表面マウント 28ソップ（ 0.295 "、幅7.50mm + 2ヒートタブ TB67S149 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 28-hssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（2） 3a 10V〜40V ユニポーラ - 1〜1/32
TAR5S15U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S15U 0.1676
RFQ
 ECAD 3500 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 6-smd（5 リード）、フラットリード TAR5S15 15V 修理済み UFV ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 850 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.5V - 1 - 70dB 電流で、温度を超えます
TCR2LN09,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN09 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LN テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 4-XFDFN露出パッド 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 0.9V - 1 1.46V @ 150ma - 現在の上
TB67S102AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S102AFTG、EL 3.1400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜150°C （TJ 汎用 表面マウント 48-wfqfn露出パッド TB67S102 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 48-wqfn （7x7） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 3a 10V〜47V バイポーラ - 1、1/2、1/4
TB67H410FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H410FTG 、EL 1.2515
RFQ
 ECAD 8734 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜150°C （TJ 汎用 表面マウント 48-wfqfn露出パッド TB67H410 bicdmos 4.75v〜5.25V 48-wqfn （7x7） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ pwm ハーフブリッジ（4） 5a 10V〜47V - dc -
TB67H301FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H301FTG 、EL 1.6700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 汎用 表面マウント 24-WFQFN露出パッド TB67H301 bicdmos 3V〜5.5V 24-wqfn （4x4） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（2） 1a 4.5V〜38V - dc -
TCR3UF30A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF30A 0.4100
RFQ
 ECAD 2099 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3UF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR3UF30 5.5V 修理済み SMV - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 680 na 有効にする ポジティブ 300mA 3V - 1 0.287V @ 300MA 70dB 電流で、温度を超えます
KIA78DL15PI Toshiba Semiconductor and Storage Kia78dl15pi -
RFQ
 ECAD 3334 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ アクティブ Kia78 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 50
TCR3DM12,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM12 0.4800
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-udfn露出パッド 5.5V 修理済み 4-dfn（1x1） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 有効にする ポジティブ 300mA 1.2V - 1 0.6V @ 300MA - 電流で、温度を超えます
TCR1HF18B,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR1HF18B 0.4800
RFQ
 ECAD 6805 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * テープ＆リール（ tr） アクティブ - 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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