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パワーマネジメント（ pmic ）（1138）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース 特徴 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー 電圧 -入力（最大） 出力タイプ 比率 -入力：出力 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 関数 電圧 -供給（ vcc/vdd） インタフェース 出力数 現在 -静止（IQ） 現在 -供給（最大） 障害保護 制御機能 出力構成 現在 -出力 rds on（typ） 電圧 -負荷 モータータイプ -ステッパー モータータイプ-ac 、dc ステップ解決 スイッチタイプ 現在 -出力（最大） 電圧 -min/固定） 電圧 -出力（最大） 規制当局の数 電圧ドロップアウト（最大） psrr 保護機能
TA78DS05BP(T6ND,AF Toshiba Semiconductor and Storage Ta78ds05bp -
RFQ
 ECAD 1742 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 Ta78ds 33V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 1 Ma - ポジティブ 30ma 5V - 1 0.3V @ 10MA - 電流、温度上、電圧、過渡電圧
TCR2EN15,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN15、LF 0.0896
RFQ
 ECAD 1672 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2EN テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド TCR2EN15 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.5V - 1 0.37V @ 150ma 73dB 現在の上
TB62208FG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FG 1.5141
RFQ
 ECAD 8251 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜150°C （TJ 汎用 表面マウント 28-BSOP （0.346 "、8.80mm + 2ヒートタブ TB62208 DMOS 4.5v〜5.5V 28-HSOP ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 1,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 1.8a 10V〜38V バイポーラ - 1、1/2
TB67H450AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H450AFNG 1.5300
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 汎用 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm ）露出したパッド TB67H450 Power Mosfet 4.5V〜44V 8-HSOP - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,500 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ - ハーフブリッジ 3a 4.5V〜44V バイポーラ dc -
TCR2LN19,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN19 lf -
RFQ
 ECAD 5768 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LN テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド TCR2LN19 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.9V - 1 0.6V @ 150MA - 現在の上
TA58L05S,LS4NSAQ(J Toshiba Semiconductor and Storage Ta58L05S -
RFQ
 ECAD 5801 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58L05 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 50 Ma - ポジティブ 250ma 5V - 1 0.4V @ 200mA - 電流で、温度を超えます
TCK22951G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22951G、LF 0.5100
RFQ
 ECAD 8256 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 6-ufbga、wlcsp 荷重放電 TCK22951 非反転 pチャネル 1：1 6-wcspe（0.80x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 必要ありません オン/オフ 1 電流制限（固定）、温度上、逆電流 ハイサイド 31mohm 1.1V〜5.5V 汎用 740ma
TB9057FG Toshiba Semiconductor and Storage TB9057FG 11.0300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜125°C 自動車 表面マウント 48-LQFP TB9057 bi-cmos 5V〜21V 48-lqfp（7x7） ダウンロード ROHS準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 250 ドライバ PWM プレドライバー - - バイポーラ dc -
TCR3LM33A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3LM33A 、RF 0.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3LM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド 5.5V 修理済み 4-dfn（1x1） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 2.2 µA 現在の制限、有効 ポジティブ 300mA 3.3V - 1 0.251V @ 200MA - 電流で、温度を超えます
TBD62004APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62004APG 1.1500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 16-dip （0.300 "、7.62mm） - TBD62004 反転 nチャネル 1：1 16-dip ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） TBD62004APG ear99 8542.39.0001 25 必要ありません オン/オフ 7 - ローサイド - 50V （最大） 汎用 500mA
TCR2EE33,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE33 、LM -
RFQ
 ECAD 7137 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2EE テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント SOT-553 TCR2EE33 5.5V 修理済み ESV ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 3.3V - 1 0.2V @ 150ma 73dB 現在の上
TCR2LF32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF32 、LM（CT 0.0721
RFQ
 ECAD 2819 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR2LF32 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 3.2V - 1 0.3V @ 150ma - 現在の上
TB6551FG(O,EL,DRY) Toshiba Semiconductor and Storage TB6551FG -
RFQ
 ECAD 4894 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜115°C（TA） ファンコントローラー 表面マウント 24 ソップ（0.236 "、幅6.00mm） TB6551 bi-cmos 6V〜10V 24ソップ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.31.0001 2,000 コントローラー -整流、方向管理 平行 プレドライバー -ハーフブリッジ（ 3） - - - dc （bldc） -
TCR2EF285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF285 0.0618
RFQ
 ECAD 3299 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tcr2ef テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR2EF285 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 2.85V - 1 0.23V @ 150ma 73dB 現在の上
TA58M05S(YAZK,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage ta58m05s -
RFQ
 ECAD 7841 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58M05 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 80 Ma - ポジティブ 500µA 5V - 1 0.65V @ 500MA - 電流、温度上、逆極性
TB67S158NG Toshiba Semiconductor and Storage TB67S158NG 5.0500
RFQ
 ECAD 5471 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -20°C〜150°C （TJ 汎用 穴を通して 24-sdip（0.300 "、7.62mm） TB67S158 DMOS 10V〜60V 24スディップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） TB67S158NG ear99 8542.39.0001 1,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（ 8） 1.5a 10V〜60V ユニポーラ - -
TBD62381AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62381AFWG 1.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 18-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） - TBD62381 - nチャネル 1：1 18ソップ ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 1,000 4.5v〜5.5V オン/オフ 8 - ローサイド 1OHM 0V〜50V 汎用 500mA
TB6552FNG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6552FNG 1.5800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜85°C（Ta） 汎用 表面マウント 16-lssop（0.173 "、幅4.40mm） TB6552 Power Mosfet 2.7V〜5.5V 16ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 2,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ PWM 、シリアル ハーフブリッジ（4） 800mA 2.5V〜13.5V - dc -
TCR3DM36,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM36、LF 0.0926
RFQ
 ECAD 8010 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-udfn露出パッド TCR3DM36 5.5V 修理済み 4-dfn（1x1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 65 µA 78 µA 有効にする ポジティブ 300mA 3.6V - 1 0.2V @ 300MA 70dB 電流で、温度を超えます
TCR2LN11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN11、LF -
RFQ
 ECAD 2442 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LN テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 4-XFDFN露出パッド TCR2LN11 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.1V - 1 1.28V @ 150ma - 現在の上
TCR2LE15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE15 0.0742
RFQ
 ECAD 5651 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tcr2le テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント SOT-553 TCR2LE15 5.5V 修理済み ESV ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.5V - 1 1.13V @ 150ma - 現在の上
TCR3RM09A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM09A lf -
RFQ
 ECAD 5897 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3RM テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR3RM09 5.5V 修理済み 4-dfnc ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 - ポジティブ 300mA 0.9V - 1 0.13V @ 300MA 100dB （1kHz） 電流で、温度を超えます
TCR2EF125,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF125 0.0618
RFQ
 ECAD 2335 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tcr2ef テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.25V - 1 0.57V @ 150ma 73dB 現在の上
TB67H480FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H480FNG、EL 2.1500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 汎用 表面マウント 28-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm ）露出したパッド DMOS 8.2V〜44V 28-htssop ダウンロード 1 （無制限） 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ オン/オフ ハーフブリッジ（4） 2.5a 8.2V〜44V バイポーラ dc 1
TCR2EN10,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN10 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド TCR2EN10 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1V - 1 0.75V @ 150ma - 現在の上
TCR3DG135,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG135、LF 0.1054
RFQ
 ECAD 5613 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFBGA 、CSPBGA TCR3DG135 5.5V 修理済み 4-wcspe（0.65x0.65） - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 有効にする ポジティブ 300mA 1.35V - 1 0.53V @ 300MA 70dB イングラッシュ電流、電流、温度上
TCK106AG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK106AG 、LF 0.4800
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 4-ufbga、wlcsp スルーレートが制御されました TCK106 非反転 pチャネル 1：1 4-WCSPD （0.79x0.79 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 必要ありません オン/オフ 1 - ハイサイド 34mohm 1.1V〜5.5V 汎用 1a
TCK22911G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22911G、LF 0.1675
RFQ
 ECAD 8653 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 6-ufbga、wlcsp 荷重放電 TCK22911 非反転 pチャネル 1：1 6-wcspe（0.80x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 必要ありません オン/オフ 1 uvlo ハイサイド 31mohm 1.1V〜5.5V 汎用 2a
TB67H400ANG Toshiba Semiconductor and Storage TB67H400ANG 6.2800
RFQ
 ECAD 997 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ アクティブ -20°C〜85°C（Ta） 汎用 穴を通して 24-sdip（0.300 "、7.62mm） TB67H400 Power Mosfet 2V〜5.5V 24スディップ ダウンロード ROHS3準拠 適用できない TB67H400ANG ear99 8542.39.0001 1,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ pwm ハーフブリッジ（4） 6a 10V〜47V - dc -
TB67S580FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S580FNG 2.1500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 汎用 表面マウント 28-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm ）露出したパッド DMOS 8.2V〜44V 28-htssop ダウンロード 1 （無制限） 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ オン/オフ ハーフブリッジ（4） 1.6a 8.2V〜44V バイポーラ - 1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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