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パワーマネジメント（ pmic ）（1138）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 特徴 基本製品番号 入力タイプ 頻度 テクノロジー 現在 -供給 電圧 -入力 電圧 -入力（最大） 出力タイプ 温度係数 比率 -入力：出力 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 関数 現在 -出力 /チャネル 参照タイプ 電圧 -供給（ vcc/vdd） インタフェース 出力数 現在 -静止（IQ） 現在 -供給（最大） 内部スイッチ トポロジー 周波数 -切り替え 障害保護 制御機能 電圧 -供給（最大） 出力構成 同期整流器 現在 -出力 rds on（typ） 電圧 -負荷 モータータイプ -ステッパー モータータイプ-ac 、dc ステップ解決 調光 電圧 -供給（最小） 電圧 -出力 スイッチタイプ 現在 -出力（最大） 電圧 -min/固定） ノイズ-0.1Hz10Hz ノイズ-10Hz10kHz 電圧 -出力（最大） 電圧 -入力（最小） 規制当局の数 電圧ドロップアウト（最大） psrr 保護機能
TBD62003AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62003AFWG、EL 0.8200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） - TBD62003 反転 nチャネル 1：1 16ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 必要ありません オン/オフ 7 - ローサイド - 50V （最大） 汎用 500mA
TA78L015AP,6FNCF(J Toshiba Semiconductor and Storage ta78l015ap -
RFQ
 ECAD 4631 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L015 35V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - ポジティブ 150ma 15V - 1 1.7V @ 40ma（タイプ） 40dB （120Hz） 電流で、温度を超えます
TB7101AF(T5L1.2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101AF（T5L1.2 -
RFQ
 ECAD 8474 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TB7101 5.5V 修理済み PS-8（2.9x2.4） - 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 降圧 1 バック 1MHz ポジティブ はい 1a 1.2V - 2.7V
TB6617FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage tb6617fng -
RFQ
 ECAD 7426 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜85°C（Ta） 汎用 表面マウント 16-lssop（0.173 "、幅4.40mm） TB6617 Power Mosfet 2.7V〜5.5V 16ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（2） 1a 4.5V〜45V - dc -
TB7102AF(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7102AF （TE85L -
RFQ
 ECAD 9263 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TB7102 5.5V 調整可能 PS-8（2.9x2.4） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 降圧 1 バック 1MHz ポジティブ はい 1a 0.8V 4.5V 2.7V
TA78L005AP,6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage ta78l005ap 、6kehf（ m -
RFQ
 ECAD 6572 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L005 35V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 6 Ma - ポジティブ 150ma 5V - 1 1.7V @ 40ma（タイプ） 49db （120Hz） -
TB7106F(T2LPP1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TB7106F （T2LPP1 -
RFQ
 ECAD 4028 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 8-powertdfn TB7106 20V 調整可能 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 降圧 1 バック 380kHz ポジティブ はい 3a 0.8V 18V 4.5V
TC62D749CFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D749CFG 0.4038
RFQ
 ECAD 1973年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ LED照明 表面マウント 24 ソップ（0.236 "、幅6.00mm） リニア TC62D749 - 24ソップ ダウンロード ROHS3準拠 2,000 90ma 16 はい シフトレジスタ 5.5V - 3V 17V
TA58L05S,LS2MTDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage Ta58L05S -
RFQ
 ECAD 2696 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58L05 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 50 Ma - ポジティブ 250ma 5V - 1 0.4V @ 200mA - 電流で、温度を超えます
TA78DS08BP(T6ND,FM Toshiba Semiconductor and Storage Ta78DS08bp -
RFQ
 ECAD 8654 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 Ta78ds 33V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1.2 Ma 1.2 Ma - ポジティブ 30ma 8V - 1 0.3V @ 10MA - 電流、温度上、電圧、過渡電圧
TA78L005AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage ta78l005ap -
RFQ
 ECAD 8241 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L005 35V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 6 Ma - ポジティブ 150ma 5V - 1 1.7V @ 40ma（タイプ） 49db （120Hz） -
TBD62084AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62084AFG 1.3600
RFQ
 ECAD 7239 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 18-SOIC （0.276 "、幅7.00mm） - TBD62084 反転 nチャネル 1：1 18ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1,000 必要ありません オン/オフ 8 - ローサイド - 50V （最大） 汎用 500mA
TCR2EN13,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN13、LF 0.0896
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2EN テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド TCR2EN13 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.3V - 1 0.45V @ 150ma 73dB 現在の上
TCR3UM18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage tcr3um18a lf 0.4500
RFQ
 ECAD 203 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tcr3um テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 4-udfn露出パッド TCR3UM18 5.5V 修理済み 4-dfn（1x1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 680 na 現在の制限、有効 ポジティブ 300mA 1.8V - 1 0.457V @ 300MA 70dB 電流で、温度を超えます
TA4805BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA4805BF （T6L1 -
RFQ
 ECAD 7192 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜150°C 表面マウント to-252-3 TA4805 16V 修理済み pw-mold - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 1.7 Ma 20 ma - ポジティブ 1a 5V - 1 0.69V @ 1a（タイプ） 60db （120Hz） 電流で、温度を超えます
TPD4207F,FQ Toshiba Semiconductor and Storage TPD4207F 、FQ 9.7100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 汎用 表面マウント 30ソップ（0.433 "、11.00mm 幅） TPD4207 Power Mosfet 13.5V〜16.5V 30ソップ ダウンロード ROHS準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 1,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（ 3） 5a 50V〜450V - dc （bldc） -
TA58L06S,SUMISQ(M Toshiba Semiconductor and Storage ta58l06s -
RFQ
 ECAD 2351 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58L06 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 50 Ma - ポジティブ 250ma 6V - 1 0.4V @ 200mA - 電流で、温度を超えます
TA58L05S(LS2DNS,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S -
RFQ
 ECAD 4984 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58L05 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 50 Ma - ポジティブ 250ma 5V - 1 0.4V @ 200mA - 電流で、温度を超えます
TCR5BM12A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM12A 、L3F 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR5BM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR5BM12 5.5V 修理済み 5-dfnb（1.2x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 現在の制限、有効 ポジティブ 500mA 1.2V - 1 0.15V @ 500MA 98dB 電流で、温度を超えます
TA58M08S(FJTN,QM) Toshiba Semiconductor and Storage ta58m08s -
RFQ
 ECAD 9550 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58M08 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 80 Ma - ポジティブ 500mA 8V - 1 0.65V @ 500MA - 電流、温度上、逆極性
TA76432S(T6MURATFM Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S（T6Muratfm -
RFQ
 ECAD 4941 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 - -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA76432 - - - - LSTM ダウンロード 1 （無制限） TA76432ST6MURATFM ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR2EE36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE36 -
RFQ
 ECAD 8242 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SOT-553 TCR2EE36 5.5V 修理済み ESV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 3.6V - 1 - 73dB 現在の上
TA58LT00F(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage Ta58lt00f -
RFQ
 ECAD 5745 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント TO-252-6 TA58L 26V 調整可能 5-hsip ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 0.8 Ma 15 Ma 有効にする ポジティブ 150ma 2.5V 13.4V 1 0.6V @ 100MA - 電流、温度上、逆極性
TB67B000HG Toshiba Semiconductor and Storage TB67B000HG -
RFQ
 ECAD 4240 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ 廃止 -30°C〜115°C（TA） 汎用 穴を通して 30-POWERDIPモジュール TB67B000 IGBT 13.5V〜16.5V 30-hdip ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TB67B000HG ear99 8542.39.0001 15 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ PWM ハーフブリッジ（ 3） 2a 50V〜450V - dc （bldc） -
TCR4DG35,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG35 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR4DG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFBGA 、CSPBGA TCR4DG35 5.5V 修理済み 4-wcspe（0.65x0.65） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 68 µA 有効にする ポジティブ 420ma 3.5V - 1 0.26V @ 420ma 70dB 現在、温度を超えて、短絡
TPD2017FN,L1F(S Toshiba Semiconductor and Storage TPD2017FN 4.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 24 ソップ（0.236 "、幅6.00mm） - TPD2017 非反転 nチャネル 1：1 24ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 2,000 必要ありません オン/オフ 8 現在の制限（調整可能）、温度経過 ローサイド 1OHM 0.8V〜2V リレー、ソレノイドドライバー 500mA
TCR2LF21,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF21 0.0700
RFQ
 ECAD 1084 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR2LF21 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 2.1V - 1 0.56V @ 150ma - 現在の上
TB6562AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6562AFG 、8、EL 3.2200
RFQ
 ECAD 1755 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜85°C（Ta） 汎用 表面マウント 30-BSOP （0.295 "、幅7.50mm） TB6562 DMOS 10V〜34V 30ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 1.5a 10V〜34V バイポーラ - 1、1/2、1/4
TA78L012AP,HOTIF(M Toshiba Semiconductor and Storage ta78l012ap -
RFQ
 ECAD 9964 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L012 35V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - ポジティブ 150ma 12V - 1 1.7V @ 40ma（タイプ） 41db （120Hz） 現在の上
TB62D786FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62D786FTG 0.9553
RFQ
 ECAD 6622 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ - 表面マウント 24-VFQFN露出パッド リニア TB62D786 - 24-VQFN （4x4） - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 40ma 9 はい - 28V PWM 7V 28V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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