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パワーマネジメント（ pmic ）（1138）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 基本製品番号 頻度 テクノロジー 現在 -供給 電圧 -入力 電圧 -入力（最大） 出力タイプ 温度係数 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 関数 現在 -出力 /チャネル 参照タイプ インタフェース 出力数 現在 -静止（IQ） 現在 -供給（最大） 内部スイッチ トポロジー 制御機能 電圧 -供給（最大） 出力構成 現在 -出力 電圧 -負荷 モータータイプ -ステッパー モータータイプ-ac 、dc ステップ解決 調光 電圧 -供給（最小） 電圧 -出力 電圧 -min/固定） ノイズ-0.1Hz10Hz ノイズ-10Hz10kHz 電圧 -出力（最大） 規制当局の数 電圧ドロップアウト（最大） psrr 保護機能
TCR2DG29,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG29、LF 0.1394
RFQ
 ECAD 4370 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2DG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-ufbga、wlcsp 5.5V 修理済み 4-wcsp（ 0.79x0.79） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 有効にする ポジティブ 200mA 2.9V - 1 0.12V @ 100MA - 電流で、温度を超えます
TA78L008AP,6MBSF(M Toshiba Semiconductor and Storage Ta78l008ap 、6mbsf（ m -
RFQ
 ECAD 7399 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L008 35V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - ポジティブ 150ma 8V - 1 1.7V @ 40ma（タイプ） 45db （120Hz 現在の上
TCR2EN33,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN33 0.3800
RFQ
 ECAD 981 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 3.3V - 1 0.18V @ 150ma - 現在の上
TCR2EN31,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN31、LF 0.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2EN テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド TCR2EN31 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 3.1V - 1 0.18V @ 150ma 73dB 現在の上
TA58L05S(LS2YAZ,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S -
RFQ
 ECAD 7052 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58L05 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 50 Ma - ポジティブ 250ma 5V - 1 0.4V @ 200mA - 電流で、温度を超えます
TCR2LN09,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN09 -
RFQ
 ECAD 3502 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LN テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド TCR2LN09 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 0.9V - 1 1.46V @ 150ma - 現在の上
TCR3UG50B,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG50B 、LF 0.4700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3UG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 4-XFBGA 、WLCSP TCR3UG50 5.5V 修理済み 4-wcsp-f（0.65x0.65） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 680 na 有効にする ポジティブ 300mA 5V - 1 0.195V @ 300MA 70dB イングラッシュ電流、電流、サーマルシャットダウン
TB62D786FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62D786FTG 0.9553
RFQ
 ECAD 6622 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ - 表面マウント 24-VFQFN露出パッド リニア TB62D786 - 24-VQFN （4x4） - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 40ma 9 はい - 28V PWM 7V 28V
TA78L018AP,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage Ta78l018ap -
RFQ
 ECAD 5551 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L018 40V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - ポジティブ 150ma 18V - 1 1.7V @ 40ma（タイプ） 38db （120Hz） 現在の上
TA76431AS,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage Ta76431as -
RFQ
 ECAD 9634 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 - -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA76431 - - - - LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR3DM33,RF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM33 0.4800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-udfn露出パッド 5.5V 修理済み 4-dfn（1x1） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 有効にする ポジティブ 300mA 3.3V - 1 0.23V @ 300MA - 電流で、温度を超えます
TA78L008AP(DNSO,FM Toshiba Semiconductor and Storage ta78l008ap -
RFQ
 ECAD 7130 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L008 35V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - ポジティブ 150ma 8V - 1 1.7V @ 40ma（タイプ） 45db （120Hz 現在の上
TA78L005AP(TORI,FM Toshiba Semiconductor and Storage ta78l005ap -
RFQ
 ECAD 2935 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L005 35V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 6 Ma - ポジティブ 150ma 5V - 1 1.7V @ 40ma（タイプ） 49db （120Hz） -
TA58L05S,ASHIQ(M Toshiba Semiconductor and Storage Ta58L05S -
RFQ
 ECAD 5236 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58L05 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 50 Ma - ポジティブ 250ma 5V - 1 0.4V @ 200mA - 電流で、温度を超えます
TCR5BM12,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM12 、L3F 0.1357
RFQ
 ECAD 1343 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR5BM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR5BM12 5.5V 修理済み 5-dfnb（1.2x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 現在の制限、有効 ポジティブ 500mA 1.2V - 1 0.15V @ 500MA 98dB 電流で、温度を超えます
TA58L05S,COMTQ(M Toshiba Semiconductor and Storage Ta58l05s、comtq（m -
RFQ
 ECAD 2376 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58L05 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 50 Ma - ポジティブ 250ma 5V - 1 0.4V @ 200mA - 電流で、温度を超えます
TB67S539FTG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB67S539FTG 1.8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 汎用 表面マウント 32-VFQFN露出パッド TB67S539 NMOS 6V 32-VQFN （5x5） - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ PWM プレドライバー -ハーフブリッジ（4） 2a 4.5V〜34V バイポーラ dc 1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32
TCR2EN10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN10、LF 0.0798
RFQ
 ECAD 5878 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2EN テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド TCR2EN10 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1V - 1 0.75V @ 150ma 73dB 現在の上
TCR3DF40,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF40 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR3DF40 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 有効にする ポジティブ 300mA 4V - 1 0.22V @ 300MA 70dB イングラッシュ電流、電流、温度上
TCR5BM10A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM10A 、L3F 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR5BM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR5BM10 5.5V 修理済み 5-dfnb（1.2x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 現在の制限、有効 ポジティブ 500mA 1V - 1 0.14V @ 500MA 98dB 電流で、温度を超えます
TCR2LN11,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN11 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LN テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 4-XFDFN露出パッド 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.1V - 1 1.28V @ 150ma - 現在の上
TCR2LF11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF11 0.3800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR2LF11 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.1V - 1 1.3V @ 150ma - 現在の上
TA78DS05BP,T6STF(M Toshiba Semiconductor and Storage Ta78ds05bp -
RFQ
 ECAD 1267 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 Ta78ds 33V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 1 Ma - ポジティブ 30ma 5V - 1 0.3V @ 10MA - 電流、温度上、電圧、過渡電圧
TA58M08S(FJTN,QM) Toshiba Semiconductor and Storage ta58m08s -
RFQ
 ECAD 9550 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58M08 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 80 Ma - ポジティブ 500mA 8V - 1 0.65V @ 500MA - 電流、温度上、逆極性
TA76432S(T6MURATFM Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S（T6Muratfm -
RFQ
 ECAD 4941 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 - -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA76432 - - - - LSTM ダウンロード 1 （無制限） TA76432ST6MURATFM ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TA78DS10BP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage Ta78ds10bp -
RFQ
 ECAD 3616 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 Ta78ds 33V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1.4 Ma 1.4 Ma - ポジティブ 30ma 10V - 1 0.3V @ 10MA - 電流、温度上、電圧、過渡電圧
TCR5BM12A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM12A 、L3F 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR5BM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR5BM12 5.5V 修理済み 5-dfnb（1.2x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 現在の制限、有効 ポジティブ 500mA 1.2V - 1 0.15V @ 500MA 98dB 電流で、温度を超えます
TCR15AG105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG105、LF 0.2294
RFQ
 ECAD 6398 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR15AG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 6-XFBGA 、WLCSP TCR15AG105 6V 修理済み 6-wcsp（1.2x0.80） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 40 µA 有効にする ポジティブ 1.5a 1.05V - 1 0.228V @ 1.5a 95db〜60db（1khz） uvlo
TB9080FG Toshiba Semiconductor and Storage TB9080FG 6.3062
RFQ
 ECAD 8444 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜125°C 自動車 表面マウント 64-LQFP TB9080 バイポーラ 7V〜18V 64-lqfp（10x10） ダウンロード 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 800 コントローラー -速度 PWM プレドライバー -ハーフブリッジ（ 3） - - - dc （bldc） -
TA78DS05BP(T6ND,AF Toshiba Semiconductor and Storage Ta78ds05bp -
RFQ
 ECAD 1742 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 Ta78ds 33V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 1 Ma - ポジティブ 30ma 5V - 1 0.3V @ 10MA - 電流、温度上、電圧、過渡電圧
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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