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パワーマネジメント（ pmic ）（1138）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 特徴 基本製品番号 入力タイプ 頻度 テクノロジー 電圧 -入力（最大） 出力タイプ 比率 -入力：出力 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 関数 現在 -出力 /チャネル 電圧 -供給（ vcc/vdd） インタフェース 出力数 現在 -静止（IQ） 現在 -供給（最大） 内部スイッチ トポロジー 周波数 -切り替え 障害保護 制御機能 電圧 -供給（最大） 出力構成 同期整流器 現在 -出力 rds on（typ） 電圧 -負荷 モータータイプ -ステッパー モータータイプ-ac 、dc ステップ解決 調光 電圧 -供給（最小） 電圧 -出力 スイッチタイプ 現在 -出力（最大） 電圧 -min/固定） 電圧 -出力（最大） 電圧 -入力（最小） 規制当局の数 電圧ドロップアウト（最大） psrr 保護機能
TB9080FG Toshiba Semiconductor and Storage TB9080FG 6.3062
RFQ
 ECAD 8444 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜125°C 自動車 表面マウント 64-LQFP TB9080 バイポーラ 7V〜18V 64-lqfp（10x10） ダウンロード 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 800 コントローラー -速度 PWM プレドライバー -ハーフブリッジ（ 3） - - - dc （bldc） -
TA78DS05BP(T6ND,AF Toshiba Semiconductor and Storage Ta78ds05bp -
RFQ
 ECAD 1742 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 Ta78ds 33V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 1 Ma - ポジティブ 30ma 5V - 1 0.3V @ 10MA - 電流、温度上、電圧、過渡電圧
TCR2EN15,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN15、LF 0.0896
RFQ
 ECAD 1672 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2EN テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド TCR2EN15 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.5V - 1 0.37V @ 150ma 73dB 現在の上
TA58L12S,LS1TOKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage Ta58L12S -
RFQ
 ECAD 2779 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58L12 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1.2 Ma 50 Ma - ポジティブ 250ma 12V - 1 0.4V @ 200mA - 電流で、温度を超えます
TB62208FG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FG 1.5141
RFQ
 ECAD 8251 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜150°C （TJ 汎用 表面マウント 28-BSOP （0.346 "、8.80mm + 2ヒートタブ TB62208 DMOS 4.5v〜5.5V 28-HSOP ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 1,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 1.8a 10V〜38V バイポーラ - 1、1/2
TB62785NG Toshiba Semiconductor and Storage TB62785NG 7.3500
RFQ
 ECAD 4891 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ - 穴を通して 24-sdip（0.300 "、7.62mm） リニア TB62785 - 24スディップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） TB62785NG ear99 8542.39.0001 20 50ma 8 はい シフトレジスタ 5.5V - 4.5V 17V
TCR2EN35,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN35 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 3.5V - 1 0.18V @ 150ma - 現在の上
TA78L005AP,6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage ta78l005ap 、6kehf（ m -
RFQ
 ECAD 6572 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L005 35V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 6 Ma - ポジティブ 150ma 5V - 1 1.7V @ 40ma（タイプ） 49db （120Hz） -
TBD62003AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62003AFWG、EL 0.8200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） - TBD62003 反転 nチャネル 1：1 16ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 必要ありません オン/オフ 7 - ローサイド - 50V （最大） 汎用 500mA
TB7106F(T2LPP1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TB7106F （T2LPP1 -
RFQ
 ECAD 4028 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 8-powertdfn TB7106 20V 調整可能 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 降圧 1 バック 380kHz ポジティブ はい 3a 0.8V 18V 4.5V
TB6617FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage tb6617fng -
RFQ
 ECAD 7426 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜85°C（Ta） 汎用 表面マウント 16-lssop（0.173 "、幅4.40mm） TB6617 Power Mosfet 2.7V〜5.5V 16ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（2） 1a 4.5V〜45V - dc -
TB7102AF(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7102AF （TE85L -
RFQ
 ECAD 9263 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TB7102 5.5V 調整可能 PS-8（2.9x2.4） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 降圧 1 バック 1MHz ポジティブ はい 1a 0.8V 4.5V 2.7V
TB7101AF(T5L1.2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101AF（T5L1.2 -
RFQ
 ECAD 8474 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TB7101 5.5V 修理済み PS-8（2.9x2.4） - 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 降圧 1 バック 1MHz ポジティブ はい 1a 1.2V - 2.7V
TB67S279FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S279FTG 3.8200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜85°C（Ta） 汎用 表面マウント 48-VFQFN露出パッド TB67S279 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 48-VQFN （7x7） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 2a 10V〜47V バイポーラ - 1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32
TB67S145FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S145FTG 1.9179
RFQ
 ECAD 9795 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜150°C （TJ 汎用 表面マウント 48-wfqfn露出パッド TB67S145 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 48-wqfn （7x7） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ シリアル ハーフブリッジ（2） 3a 10V〜40V ユニポーラ - 1、1/2
TBD62785AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62785AFWG 1.6000
RFQ
 ECAD 9191 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 18-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） - TBD62785 反転 pチャネル 1：1 18ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1,000 必要ありません オン/オフ 8 - ローサイド 1.6ohm 4.5V〜50V 汎用 500mA
TA78L015AP,6FNCF(J Toshiba Semiconductor and Storage ta78l015ap -
RFQ
 ECAD 4631 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L015 35V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - ポジティブ 150ma 15V - 1 1.7V @ 40ma（タイプ） 40dB （120Hz） 電流で、温度を超えます
TA78L005AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage ta78l005ap -
RFQ
 ECAD 8241 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L005 35V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 6 Ma - ポジティブ 150ma 5V - 1 1.7V @ 40ma（タイプ） 49db （120Hz） -
TCR2EN13,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN13、LF 0.0896
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2EN テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド TCR2EN13 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.3V - 1 0.45V @ 150ma 73dB 現在の上
TA78DS08BP(T6ND,FM Toshiba Semiconductor and Storage Ta78DS08bp -
RFQ
 ECAD 8654 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 Ta78ds 33V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1.2 Ma 1.2 Ma - ポジティブ 30ma 8V - 1 0.3V @ 10MA - 電流、温度上、電圧、過渡電圧
TBD62084AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62084AFG 1.3600
RFQ
 ECAD 7239 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 18-SOIC （0.276 "、幅7.00mm） - TBD62084 反転 nチャネル 1：1 18ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1,000 必要ありません オン/オフ 8 - ローサイド - 50V （最大） 汎用 500mA
TA4805BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA4805BF （T6L1 -
RFQ
 ECAD 7192 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜150°C 表面マウント to-252-3 TA4805 16V 修理済み pw-mold - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 1.7 Ma 20 ma - ポジティブ 1a 5V - 1 0.69V @ 1a（タイプ） 60db （120Hz） 電流で、温度を超えます
TPD4207F,FQ Toshiba Semiconductor and Storage TPD4207F 、FQ 9.7100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 汎用 表面マウント 30ソップ（0.433 "、11.00mm 幅） TPD4207 Power Mosfet 13.5V〜16.5V 30ソップ ダウンロード ROHS準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 1,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（ 3） 5a 50V〜450V - dc （bldc） -
TB6586FG,C8,EL,HZ Toshiba Semiconductor and Storage TB6586FG 2.0600
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜115°C（TA） 汎用 表面マウント 24 ソップ（0.236 "、幅6.00mm） TB6586 bi-cmos 6.5V〜16.5V 24ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 コントローラー -整流、方向管理 平行 プレドライバー -ハーフブリッジ（ 3） - - - dc （bldc） -
TCR2EN11,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN11 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.1V - 1 0.65V @ 150ma - 現在の上
TCR3UG32A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG32A 、LF 0.1229
RFQ
 ECAD 3637 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3UG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 4-XFBGA 、WLCSP TCR3UG32 5.5V 修理済み 4-wcspf（ 0.65x0.65） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 680 na 有効にする ポジティブ 300mA 3.2V - 1 0.273V @ 300MA 70dB イングラッシュ電流、電流、サーマルシャットダウン
TB6674FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6674FG 、8、EL 1.1201
RFQ
 ECAD 8652 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -30°C〜75°C（Ta） 汎用 表面マウント 16-BSOP （0.252 "、6.40mm + 2ヒートタブ TB6674 Power Mosfet 4.5v〜5.5V 16-hsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 1,500 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 350ma 2.7V〜22V バイポーラ - -
TB7101AF(T5L1.8,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101AF （T5L1.8 -
RFQ
 ECAD 2944 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TB7101 5.5V 修理済み PS-8（2.9x2.4） - 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 降圧 1 バック 1MHz ポジティブ はい 1a 1.8V - 2.8V
TA58L05S(FJTN,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage ta58l05s -
RFQ
 ECAD 6255 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58L05 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 50 Ma - ポジティブ 250ma 5V - 1 0.4V @ 200mA - 電流で、温度を超えます
TA58L05S(LS2DNS,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S -
RFQ
 ECAD 4984 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58L05 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 50 Ma - ポジティブ 250ma 5V - 1 0.4V @ 200mA - 電流で、温度を超えます
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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