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パワーマネジメント（ pmic ）（1138）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 特徴 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー 現在 -供給 電圧 -入力 電圧 -入力（最大） 出力タイプ 温度係数 出力 比率 -入力：出力 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 関数 参照タイプ 電圧 -供給（ vcc/vdd） インタフェース 出力数 リセット 現在 -静止（IQ） 現在 -供給（最大） 障害保護 制御機能 出力構成 センシング方法 正確さ 現在 -出力 rds on（typ） 電圧 -負荷 モータータイプ -ステッパー モータータイプ-ac 、dc ステップ解決 スイッチタイプ 現在 -出力（最大） 監視されている電圧の数 電圧 -しきい値 電圧 -min/固定） ノイズ-0.1Hz10Hz ノイズ-10Hz10kHz 電圧 -出力（最大） 規制当局の数 電圧ドロップアウト（最大） psrr 保護機能
TB6604FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6604FTG 、8、EL -
RFQ
 ECAD 1396 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 - - 表面マウント - TB6604 - - 48-qfn ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 コントローラー -整流、方向管理 - プレドライバー -ハーフブリッジ（ 3） - 30V - dc （bldc） -
TCR3UM175A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM175A 0.4700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-udfn露出パッド 5.5V 修理済み 4-dfn（1x1） - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 680 na 現在の制限、有効 ポジティブ 300mA 1.75V - 1 0.573V @ 300MA - 電流で、温度を超えます
TCR3UG18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG18A 、LF 0.4700
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3UG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 4-XFBGA 、WLCSP TCR3UG18 5.5V 修理済み 4-wcsp-f（0.65x0.65） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 680 na 有効にする ポジティブ 300mA 1.8V - 1 0.457V @ 300MA 70dB イングラッシュ電流、電流、サーマルシャットダウン
TCR2LF08,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF08 0.0700
RFQ
 ECAD 3714 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR2LF08 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 0.8V - 1 1.58V @ 150ma - 現在の上
TCR3UG185A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG185A 、LF 0.1237
RFQ
 ECAD 2215 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3UG テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 4-XFBGA 、WLCSP 4-wcspf（ 0.65x0.65） - ROHS3準拠 264-TCR3UG185A 、LFTR 5,000
TC78H630FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H630FNG 1.5800
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C（TA） 汎用 表面マウント 16-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） TC78H630 DMOS 2.7V〜5.5V 16-tssop ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバ PWM プレドライバー -ハーフブリッジ 2.1a 2.5V〜15V バイポーラ dc -
TCR2LF12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF12 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR2LF12 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.2V - 1 1.25V @ 150ma - 現在の上
TCR2DG36,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG36、LF 0.1394
RFQ
 ECAD 4942 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2DG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-ufbga、wlcsp 5.5V 修理済み 4-wcsp（ 0.79x0.79） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 有効にする ポジティブ 200mA 3.6V - 1 0.11V @ 100mA - 電流で、温度を超えます
TCR5AM075,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM075、LF 0.1344
RFQ
 ECAD 7559 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR5AM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR5AM075 5.5V 修理済み 5-dfnb（1.2x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA 有効にする ポジティブ 500mA 0.75V - 1 0.21V @ 500MA 70db〜40db（1kHz10Hz 電流、温度を超えて、電圧ロックアウト（ウブロ）
TCKE800NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage tcke800nl、rf 1.5200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 10-wfdfn露出パッド TCKE800 4.4V〜18V 10-wsonb（3x3） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 電子ヒューズ - - 5a
TA78DS05CP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage Ta78ds05cp -
RFQ
 ECAD 3579 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 Ta78ds 33V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 1 Ma - ポジティブ 30ma 5V - 1 0.3V @ 10MA - 電流、温度上、電圧、過渡電圧
TA76431AS(T6MURAFM Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS（T6Murafm -
RFQ
 ECAD 5109 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 - -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA76431 - - - - LSTM ダウンロード 1 （無制限） TA76431AST6MURAFM ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR3DM285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM285 0.4800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-udfn露出パッド 5.5V 修理済み 4-dfn（1x1） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 有効にする ポジティブ 300mA 2.85V - 1 0.25V @ 300MA - 電流で、温度を超えます
TCR3DF29,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF29 0.4900
RFQ
 ECAD 788 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR3DF29 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 有効にする ポジティブ 300mA 2.9V - 1 0.27V @ 300MA 70dB イングラッシュ電流、電流、温度上
TCR2EE45,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE45 0.3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2EE テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SOT-553 TCR2EE45 5.5V 修理済み ESV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 4.5V - 1 0.2V @ 150ma 73dB 現在の上
TCK22913G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22913G、LF 0.5100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 6-ufbga、wlcsp 荷重放電 TCK22913 非反転 pチャネル 1：1 6-wcspe（0.80x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 必要ありません オン/オフ 1 uvlo ハイサイド 31mohm 1.1V〜5.5V 汎用 2a
TCR2EN13,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN13 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.3V - 1 0.45V @ 150ma - 現在の上
TCR3DG18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG18 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFBGA 、CSPBGA TCR3DG18 5.5V 修理済み 4-wcspe（0.65x0.65） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 有効にする ポジティブ 300mA 1.8V - 1 0.365V @ 300MA 70dB イングラッシュ電流、電流、温度上
TCR2EN18,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN18 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.8V - 1 0.29V @ 300MA 、0.3V @ 300MA - 現在の上
TB9061AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9061AFNG 4.6865
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 汎用 表面マウント 24-lssop（0.220 "、5.60mm 幅） TB9061 bi-cmos 5.5V〜18V 24ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 コントローラー -整流、方向管理 平行 プレドライバー -ハーフブリッジ（ 3） - - - dc （bldc） -
TA58M05S,HOTIKIQ(M Toshiba Semiconductor and Storage ta58m05s -
RFQ
 ECAD 5233 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58M05 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 80 Ma - ポジティブ 500µA 5V - 1 0.65V @ 500MA - 電流、温度上、逆極性
TB67S142NG Toshiba Semiconductor and Storage TB67S142NG 4.8600
RFQ
 ECAD 5990 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ アクティブ -20°C〜85°C（Ta） 汎用 穴を通して 24-sdip（0.300 "、7.62mm） TB67S142 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 24スディップ ダウンロード ROHS3準拠 適用できない TB67S142NG ear99 8542.39.0001 1,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（2） 3a 10V〜40V ユニポーラ - 1、1/2、1/4
TCTH021AE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH021AE 0.5000
RFQ
 ECAD 2210 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tcth0xxxe テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント サーマル プッシュプル、トーテムポール - ROHS3準拠 1 （無制限） 4,000 - 1 0.5V
TA78L018AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage Ta78l018ap -
RFQ
 ECAD 2980 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L018 40V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - ポジティブ 150ma 18V - 1 1.7V @ 40ma（タイプ） 38db （120Hz） 現在の上
TB6568KQ,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6568KQ 、8 3.2200
RFQ
 ECAD 7268 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 汎用 穴を通して 7-sip露出タブ TB6568 bi-cmos 10V〜45V 7-HSIP ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 25 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（2） 1.5a 10V〜45V - dc -
TCR3DF39,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF39 0.0906
RFQ
 ECAD 3123 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR3DF39 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 有効にする ポジティブ 300mA 3.9V - 1 0.22V @ 300MA 70dB イングラッシュ電流、電流、温度上
TB62261FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62261FTAG、EL 2.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜150°C （TJ アプライアンス 表面マウント 36-wfqfn露出パッド TB62261 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 36-wqfn ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 800mA 10V〜35V バイポーラ dc 1、1/2、1/4
TB67S142HG Toshiba Semiconductor and Storage TB67S142HG 6.6200
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -20°C〜85°C（Ta） 汎用 穴を通して 25-sip形成リード TB67S142 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 25-hzip ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 17 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（2） 3a 10V〜40V ユニポーラ - 1、1/2、1/4
TA58M08S(FJTN,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage ta58m08s -
RFQ
 ECAD 4671 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58M08 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 80 Ma - ポジティブ 500mA 8V - 1 0.65V @ 500MA - 電流、温度上、逆極性
TCR2LE30,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE30 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tcr2le テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント SOT-553 TCR2LE30 5.5V 修理済み ESV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 3V - 1 0.3V @ 150ma - 現在の上
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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