SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 特徴 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー 現在 -供給 電圧 -入力 電圧 -入力(最大) 出力タイプ 温度係数 sicプログラム可能 出力 比率 -入力:出力 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 関数 参照タイプ 電圧 -供給( vcc/vdd) インタフェース 出力数 リセット 現在 -静止(IQ) 現在 -供給(最大) チャネルタイプ 障害保護 制御機能 出力構成 現在 -出力 rds on(typ) 電圧 -負荷 駆動型構成 ドライバーの数 ゲートタイプ 論理電圧-vil、vih 現在 -ピーク出力(ソース、シンク) 立ち上がり /上下時間(タイプ) モータータイプ -ステッパー モータータイプ-ac 、dc ステップ解決 スイッチタイプ 現在 -出力(最大) 監視されている電圧の数 電圧 -しきい値 電圧 -min/固定) ノイズ-0.1Hz10Hz ノイズ-10Hz10kHz 電圧 -出力(最大) 規制当局の数 電圧ドロップアウト(最大) psrr 保護機能
TA58M05S,HOTIKIQ(M Toshiba Semiconductor and Storage ta58m05s -
RFQ
ECAD 5233 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58M05 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 80 Ma - ポジティブ 500µA 5V - 1 0.65V @ 500MA - 電流、温度上、逆極性
TCR3DF12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF12 0.4200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DF テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR3DF12 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 3,000 65 µA 78 µA 有効にする ポジティブ 300mA 1.2V - 1 0.62V @ 300MA 70dB 電流で、温度を超えます
TA78L008AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage ta78l008ap -
RFQ
ECAD 9062 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L008 35V 修理済み LSTM ダウンロード 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - ポジティブ 150ma 8V - 1 1.7V @ 40ma(タイプ) 45db (120Hz 現在の上
TCR2EF18,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF18 0.3300
RFQ
ECAD 59 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tcr2ef テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR2EF18 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.8V - 1 0.31V @ 150ma 73dB 現在の上
TB67S142NG Toshiba Semiconductor and Storage TB67S142NG 4.8600
RFQ
ECAD 5990 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ アクティブ -20°C〜85°C(Ta) 汎用 穴を通して 24-sdip(0.300 "、7.62mm) TB67S142 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 24スディップ ダウンロード ROHS3準拠 適用できない TB67S142NG ear99 8542.39.0001 1,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ(2) 3a 10V〜40V ユニポーラ - 1、1/2、1/4
TCTH021AE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH021AE 0.5000
RFQ
ECAD 2210 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tcth0xxxe テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント サーマル プッシュプル、トーテムポール - ROHS3準拠 1 (無制限) 4,000 - 1 0.5V
TA78L018AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage Ta78l018ap -
RFQ
ECAD 2980 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L018 40V 修理済み LSTM ダウンロード 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - ポジティブ 150ma 18V - 1 1.7V @ 40ma(タイプ) 38db (120Hz) 現在の上
TB6568KQ,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6568KQ 、8 3.2200
RFQ
ECAD 7268 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 汎用 穴を通して 7-sip露出タブ TB6568 bi-cmos 10V〜45V 7-HSIP ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 25 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ(2) 1.5a 10V〜45V - dc -
TCR3DF39,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF39 0.0906
RFQ
ECAD 3123 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DF テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR3DF39 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 3,000 有効にする ポジティブ 300mA 3.9V - 1 0.22V @ 300MA 70dB イングラッシュ電流、電流、温度上
TB62261FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62261FTAG、EL 2.2800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -20°C〜150°C (TJ アプライアンス 表面マウント 36-wfqfn露出パッド TB62261 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 36-wqfn ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ(4) 800mA 10V〜35V バイポーラ dc 1、1/2、1/4
TB67S142HG Toshiba Semiconductor and Storage TB67S142HG 6.6200
RFQ
ECAD 34 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -20°C〜85°C(Ta) 汎用 穴を通して 25-sip形成リード TB67S142 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 25-hzip ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 17 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ(2) 3a 10V〜40V ユニポーラ - 1、1/2、1/4
TA58M08S(FJTN,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage ta58m08s -
RFQ
ECAD 4671 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58M08 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 80 Ma - ポジティブ 500mA 8V - 1 0.65V @ 500MA - 電流、温度上、逆極性
TCR2LE30,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE30 0.4100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tcr2le テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C (TJ 表面マウント SOT-553 TCR2LE30 5.5V 修理済み ESV ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 3V - 1 0.3V @ 150ma - 現在の上
KIA78DL08PI Toshiba Semiconductor and Storage Kia78dl08pi -
RFQ
ECAD 6694 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ アクティブ Kia78 - ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 50
TA48LS00F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ta48ls00f (TE85L -
RFQ
ECAD 2469 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜150°C 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TA48LS00 14V 調整可能 PS-8(2.9x2.4) - ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 3,000 1.7 Ma 10 Ma 有効にする ポジティブ 300mA 1.5V 5V 1 0.6V @ 300MA 60db (120Hz) 電流で、温度を超えます
TA78L09F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ta78l09f (TE12L -
RFQ
ECAD 6344 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C 表面マウント TO-243AA TA78L09 35V 修理済み pw-mini ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 1,000 6 Ma 6.5 Ma - ポジティブ 150ma 9V - 1 - 44dB (120Hz) 電流で、温度を超えます
TCR3DF31,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF31 0.0906
RFQ
ECAD 6906 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DF テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR3DF31 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 3,000 有効にする ポジティブ 300mA 3.1V - 1 0.27V @ 300MA 70dB イングラッシュ電流、電流、温度上
TCR3UM175A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM175A 、LF 0.0878
RFQ
ECAD 3614 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tcr3um テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-udfn露出パッド TCR3UM175 5.5V 修理済み 4-dfn(1x1) ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 10,000 680 na 現在の制限、有効 ポジティブ 300mA 1.75V - 1 0.273V @ 300MA 70dB 電流で、温度を超えます
TA78DS08BP(DNSO,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS08BP -
RFQ
ECAD 3785 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 Ta78ds 33V 修理済み LSTM ダウンロード 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 1 1.2 Ma 1.2 Ma - ポジティブ 30ma 8V - 1 0.3V @ 10MA - 電流、温度上、電圧、過渡電圧
TCK420G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK420G 、L3F 0.8500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 6-XFBGA 、WLCSP TCK420 非反転 確認されていません 2.7V〜28V 6-wcspg(0.8x1.2) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 5,000 シングル ハイサイド 1 nチャンネルmosfet 0.4V 、1.2V - -
TC78B015FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B015FTG 1.6758
RFQ
ECAD 1800 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 汎用 表面マウント 36-VFQFN露出パッド TC78B015 CMOS 6V〜22V 36-vqfn (5x5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.39.0001 5,000 ドライバ PWM ハーフブリッジ( 3) 3a - 多相 dc (bldc) -
TCR2LE33,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE33 0.4100
RFQ
ECAD 120 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tcr2le テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C (TJ 表面マウント SOT-553 TCR2LE33 5.5V 修理済み ESV ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 3.3V - 1 0.3V @ 150ma - 現在の上
TCR3DF275,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF275 0.0906
RFQ
ECAD 1612 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DF テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR3DF275 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 3,000 有効にする ポジティブ 300mA 2.75V - 1 0.31V @ 300MA 70dB イングラッシュ電流、電流、温度上
TCR3RM10A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM10A 0.4600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3RM テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR3RM10 5.5V 修理済み 4-dfnc ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 10,000 12 µA 現在の制限、有効 ポジティブ 300mA 1V - 1 - - 電流で、温度を超えます
TB62213AHQ,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AHQ 、8 5.9794
RFQ
ECAD 4342 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -20°C〜150°C (TJ 汎用 穴を通して 25-sip形成リード TB62213 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 25-hzip ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 17 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ(4) 2.4a 10V〜38V バイポーラ - 1、1/2、1/4
TB6588FG,8,EL,JU Toshiba Semiconductor and Storage TB6588FG 5.3500
RFQ
ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -30°C〜105°C(TA) 汎用 表面マウント 36-BSSOP (0.346 "、幅8.80mm + 2ヒートタブ TB6588 Power Mosfet 7V〜42V 36-hsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.39.0001 1,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ( 3) 1.5a 7V〜42V - dc (bldc) -
TCK127BG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK127BG 、LF 0.4800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 4-XFBGA 、CSPBGA 負荷放電、スルーレートが制御されます TCK127 非反転 pチャネル 1:1 4-wcspg(0.65x0.65) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 5,000 必要ありません オン/オフ 1 - ハイサイド 343mohm 1V〜5.5V 汎用 1a
TB9052FNG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage tb9052fng 3.6153
RFQ
ECAD 4372 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 自動車 表面マウント 48-TFSOP (0.240 "、6.10mm 幅)露出したパッド TB9052 bi-cmos 6V〜18V 48-htssop ダウンロード 3 (168 時間) ear99 8542.39.0001 1,000 コントローラー -速度 PWM プレドライバー -ハーフブリッジ(2) 100mA - - dc -
TA76431AS(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage Ta76431as -
RFQ
ECAD 8436 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 - -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA76431 - - - - LSTM ダウンロード 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR3DM35,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM35 0.4800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-udfn露出パッド 5.5V 修理済み 4-dfn(1x1) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 264-TCR3DM35LF (Setr ear99 8542.39.0001 10,000 有効にする ポジティブ 300mA 3.5V - 1 0.23V @ 300MA - 電流で、温度を超えます
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫