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パワーマネジメント（ pmic ）（1138）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース 特徴 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー 電圧 -入力 電圧 -入力（最大） 出力タイプ 比率 -入力：出力 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 関数 電圧 -供給（ vcc/vdd） インタフェース 出力数 現在 -静止（IQ） 現在 -供給（最大） トポロジー 周波数 -切り替え 障害保護 制御機能 出力構成 同期整流器 現在 -出力 rds on（typ） 電圧 -負荷 モータータイプ -ステッパー モータータイプ-ac 、dc ステップ解決 電圧 -出力 モード 現在 -スタートアップ スイッチタイプ 現在 -出力（最大） 電圧 -min/固定） 電圧 -出力（最大） 電圧 -入力（最小） 規制当局の数 電圧ドロップアウト（最大） psrr 保護機能
TBD62503AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62503AFWG、EL 0.9300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） - TBD62503 反転 nチャネル 1：1 16ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 必要ありません オン/オフ 7 - ローサイド - 50V （最大） 汎用 300mA
TB6819AFG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6819AFG 0.5768
RFQ
 ECAD 2379 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TB6819 10V〜25V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 20kHz〜150kHz 批判的伝導（ crm） 72.5 µA
TA78DS05AF(TE12L,F Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05AF （TE12L f -
RFQ
 ECAD 2237 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント TO-243AA Ta78ds 29V 修理済み pw-mini - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1,000 1 Ma - ポジティブ 30ma 5V - 1 0.3V @ 10MA - 電流、温度上、電圧、過渡電圧
TCR2LN085,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN085 -
RFQ
 ECAD 6604 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LN テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド TCR2LN085 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 0.85V - 1 1.56V @ 150ma - 現在の上
TCR3DG31,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG31、LF 0.1054
RFQ
 ECAD 1144 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFBGA 、CSPBGA TCR3DG31 5.5V 修理済み 4-wcspe（0.65x0.65） - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 有効にする ポジティブ 300mA 3.1V - 1 0.235V @ 300MA 70dB イングラッシュ電流、電流、温度上
TB9044AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9044AFNG、EL 11.2332
RFQ
 ECAD 6472 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 電源、自動車アプリケーション 表面マウント 48-TFSOP （0.240 "、6.10mm 幅）露出したパッド TB9044 - 48-htssop ダウンロード 3 （168 時間） 264-TB9044Afngeltr ear99 8542.39.0001 1,000 2 6V
TCR2DG22,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG22、LF 0.1394
RFQ
 ECAD 4566 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2DG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-ufbga、wlcsp 5.5V 修理済み 4-wcsp（ 0.79x0.79） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 有効にする ポジティブ 200mA 2.2V - 1 0.14V @ 100MA - 電流で、温度を超えます
TC78B004AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B004AFTG、EL 2.7700
RFQ
 ECAD 3673 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C 汎用 表面マウント 40-wfqfn露出パッド TC78B004 NMOS 10V〜28V 40-wqfn ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 4,000 コントローラー -速度 PWM プレドライバー -ハーフブリッジ（ 3） 100mA - 多相 dc （bldc） -
TCR5RG14A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG14A 、LF 0.5300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR5RG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFBGA 、WLCSP TCR5RG14 5.5V 修理済み 4-wcspf（ 0.65x0.65） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 13 µA - ポジティブ 500mA 1.4V - 1 - 100db〜59db（1khz1mhz 電流で、温度を超えます
TB67S142FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S142FTG 1.6439
RFQ
 ECAD 8253 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜85°C（Ta） 汎用 表面マウント 48-wfqfn露出パッド TB67S142 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 48-wqfn （7x7） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（2） 3a 10V〜40V ユニポーラ - 1、1/2、1/4
TA58M15S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M15S -
RFQ
 ECAD 7560 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58M15 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1.4 Ma 80 Ma - ポジティブ 500mA 15V - 1 0.65V @ 500MA - 電流、温度上、逆極性
TB6560AHQ,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AHQ 、8 7.2800
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -30°C〜85°C（TA） 汎用 穴を通して 25-SSIPが形成されたリード TB6560 Power Mosfet 4.5v〜5.5V 25-hzip ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 14 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 3a 4.5V〜34V バイポーラ - 1、1/2、1/4、1/8、1/16
TBD62786AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62786AFWG、EL 1.6300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 18-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） - TBD62786 反転 pチャネル 1：1 18ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1,000 2V〜50V オン/オフ 8 - ハイサイド - 0V〜50V 汎用 400mA
TB67S101AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S101AFTG 3.1400
RFQ
 ECAD 1948年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜150°C （TJ 汎用 表面マウント 48-wfqfn露出パッド TB67S101 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 48-wqfn （7x7） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 3a 10V〜47V バイポーラ - 1、1/2、1/4
TCR2DG34,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG34、LF 0.1394
RFQ
 ECAD 5469 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2DG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-ufbga、wlcsp 5.5V 修理済み 4-wcsp（ 0.79x0.79） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 有効にする ポジティブ 200mA 3.4V - 1 0.11V @ 100mA - 電流で、温度を超えます
TPD1044F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPD1044F （TE85L -
RFQ
 ECAD 3217 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SMD 、フラットリード - TPD1044 非反転 nチャネル 1：1 PS-8（2.9x2.4） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 必要ありません オン/オフ 1 電流制限（固定）、温度上、電圧上の電圧 ローサイド 440mohm 3V〜6V 汎用 1a
TA48L02F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ta48l02f （TE12L -
RFQ
 ECAD 3550 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント TO-243AA TA48L02 16V 修理済み pw-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1,000 800 µA 5 Ma - ポジティブ 150ma 2V - 1 0.5V @ 100mA 70db （120Hz 電流で、温度を超えます
TC78B009FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B009FTG 2.9800
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 汎用 表面マウント 36-wfqfn露出パッド TC78B009 NMOS 5.5V〜27V 36-wqfn（5x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 5,000 コントローラー -整流、方向管理 i²c、pwm プレドライバー -ハイサイド/ローサイド 240ma - 多相 dc （bldc） -
TB6633AFNG,C8EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6633AFNG、C8EL 2.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 汎用 表面マウント 24-lssop（0.220 "、5.60mm 幅） TB6633 Power Mosfet 5.5V〜22V 24ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ アナログ ハーフブリッジ（ 3） 1a 5.5V〜22V - dc （bldc） -
TB62262FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62262FTAG、EL 2.1700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜150°C （TJ アプライアンス 表面マウント 36-wfqfn露出パッド TB62262 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 36-wqfn ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ PWM ハーフブリッジ（4） 800mA 10V〜35V バイポーラ dc 1、1/2、1/4
TC78H651FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC78H651FNG 1.5300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C 汎用 表面マウント 16-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） TC78H651 DMOS - 16-tssop ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ - ハーフブリッジ（4） 1.5a 1.8V〜6V - dc -
TCR2LE36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE36 0.0762
RFQ
 ECAD 1807 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tcr2le テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント SOT-553 TCR2LE36 5.5V 修理済み ESV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 3.6V - 1 0.3V @ 150ma - 現在の上
TBD62502AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62502AFG、EL 0.6316
RFQ
 ECAD 1298 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） - TBD62502 反転 nチャネル 1：1 16ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 必要ありません オン/オフ 7 - ローサイド - 50V （最大） 汎用 300mA
TA78L006AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage ta78l006ap -
RFQ
 ECAD 3934 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L006 35V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 6 Ma - ポジティブ 150ma 6V - 1 1.7V @ 40ma（タイプ） 47db （120Hz） 現在の上
TCV7100F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7100F （TE12L -
RFQ
 ECAD 8795 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 8-powertdfn TCV71 5.5V 調整可能 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 降圧 1 バック 800kHz ポジティブ はい 2.5a 0.8V 5.5V 2.7V
TCR2EN105,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド TCR2EN105 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.05V - 1 0.75V @ 150ma - 現在の上
TCR3DF33,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF33、LM -
RFQ
 ECAD 5204 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DF テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR3DF33 5.5V 修理済み SMV ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 65 µA 78 µA 有効にする ポジティブ 300mA 3.3V - 1 0.25V @ 300MA 70dB 電流で、温度を超えます
TCR2EE135,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE135 0.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2EE テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SOT-553 TCR2EE135 5.5V 修理済み ESV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.35V - 1 0.47V @ 150ma 73dB 現在の上
TA78L015AP(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage ta78l015ap -
RFQ
 ECAD 3595 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L015 35V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 6 Ma 6.5 Ma - ポジティブ 150ma 15V - 1 - 41db （120Hz） 電流で、温度を超えます
TCR5AM18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM18A 、LF 0.1357
RFQ
 ECAD 2718 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR5AM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR5AM18 5.5V 修理済み 5-dfnb（1.2x1.2） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 有効にする ポジティブ 500mA 1.8V - 1 0.43V @ 500MA 90dB 電流、温度を超えて、電圧ロックアウト（ウブロ）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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