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パワーマネジメント（ pmic ）（1138）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース 特徴 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー 現在 -供給 電圧 -入力 電圧 -入力（最大） 出力タイプ 温度係数 比率 -入力：出力 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 関数 参照タイプ 電圧 -供給（ vcc/vdd） インタフェース 出力数 現在 -静止（IQ） 現在 -供給（最大） トポロジー 周波数 -切り替え 障害保護 制御機能 出力構成 同期整流器 現在 -出力 rds on（typ） 電圧 -負荷 モータータイプ -ステッパー モータータイプ-ac 、dc ステップ解決 スイッチタイプ 現在 -出力（最大） 電圧 -min/固定） ノイズ-0.1Hz10Hz ノイズ-10Hz10kHz 電圧 -出力（最大） 電圧 -入力（最小） 規制当局の数 電圧ドロップアウト（最大） psrr 保護機能
TA76431S(T6MURATFM Toshiba Semiconductor and Storage Ta76431S（T6Muratfm -
RFQ
 ECAD 7643 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA76431 - 調整可能 LSTM ダウンロード 1 （無制限） Ta76431st6muratfm ear99 8542.39.0001 1 - ポジティブ - 2.495V 36V 1 - - -
TCK22892G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22892G、LF 0.1643
RFQ
 ECAD 2432 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 6-ufbga、wlcsp 荷重放電 TCK22892 非反転 pチャネル 1：1 6-wcspe（0.80x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 必要ありません オン/オフ 1 現在の制限（固定）、温度上 ハイサイド 31mohm 1.4V〜5.5V 汎用 740ma
TCR2EN34,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN34 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 3.4V - 1 0.18V @ 150ma - 現在の上
TCR2LF20,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF20 0.0700
RFQ
 ECAD 3018 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 2V - 1 0.56V @ 150ma - 現在の上
TB67S213FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S213FTAG、EL 1.3699
RFQ
 ECAD 2068 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜150°C （TJ 汎用 表面マウント 36-wfqfn露出パッド TB67S213 bicdmos 4.75v〜5.25V 36-wqfn ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 2a 10V〜35V バイポーラ - 1、1/2、1/4
TCR3RM10A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM10A 、LF -
RFQ
 ECAD 2170 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3RM テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR3RM10 5.5V 修理済み 4-dfnc ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 - ポジティブ 300mA 1V - 1 0.13V @ 300MA 100dB （1kHz） 電流で、温度を超えます
TCK22910G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22910G、LF 0.4800
RFQ
 ECAD 6283 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 6-ufbga、wlcsp - TCK22910 非反転 pチャネル 1：1 6-wcspe（0.80x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 必要ありません オン/オフ 1 uvlo ハイサイド 31mohm 1.1V〜5.5V 汎用 2a
TCR5BM105A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM105A 、L3F 0.4900
RFQ
 ECAD 5309 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR5BM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR5BM105 5.5V 修理済み 5-dfnb（1.2x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 現在の制限、有効 ポジティブ 500mA 1.05V - 1 0.14V @ 500MA 98dB 電流で、温度を超えます
TB6600HG Toshiba Semiconductor and Storage TB6600HG 6.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ アクティブ -30°C〜85°C（TA） 汎用 穴を通して 25-sip形成リード TB6600 Power Mosfet 8V〜42V 25-hzip ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） TB6600HG ear99 8542.39.0001 510 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 4.5a 8V〜42V バイポーラ - 1、1/2、1/4、1/8、1/16
TB62218AFG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62218AFG 、C8、EL 1.5754
RFQ
 ECAD 8118 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜150°C （TJ 汎用 表面マウント 28-BSOP （0.346 "、8.80mm + 2ヒートタブ TB62218 DMOS 4.75v〜5.25V 28-HSOP ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 2,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 2a 10V〜38V バイポーラ - 1、1/2、1/4
TA78L005AP(TE6,F,M Toshiba Semiconductor and Storage Ta78L005ap -
RFQ
 ECAD 9780 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L005 35V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 6 Ma - ポジティブ 150ma 5V - 1 1.7V @ 40ma（タイプ） 49db （120Hz） -
TCR3DM28,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM28 、LF 0.0926
RFQ
 ECAD 9748 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-udfn露出パッド TCR3DM28 5.5V 修理済み 4-dfn（1x1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 65 µA 78 µA 有効にする ポジティブ 300mA 2.8V - 1 0.25V @ 300MA 70dB 電流で、温度を超えます
TCR2LE105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE105 0.3900
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tcr2le テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント SOT-553 TCR2LE105 5.5V 修理済み ESV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.05V - 1 1.4V @ 150ma - 現在の上
TCR3UG285A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG285A 、LF 0.1229
RFQ
 ECAD 9683 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3UG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 4-XFBGA 、WLCSP TCR3UG285 5.5V 修理済み 4-wcspf（ 0.65x0.65） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 680 na 有効にする ポジティブ 300mA 2.85V - 1 0.327V @ 300MA 70dB イングラッシュ電流、電流、サーマルシャットダウン
TBD62083AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083AFG 1.3600
RFQ
 ECAD 8193 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 18-SOIC （0.276 "、幅7.00mm） - TBD62083 反転 nチャネル 1：1 18ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1,000 必要ありません オン/オフ 8 - ローサイド - 50V （最大） 汎用 500mA
TA48S05AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA48S05AF （T6L1 -
RFQ
 ECAD 7233 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜150°C 表面マウント TO-252-6 TA48S05 16V 修理済み 5-hsip ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 1.7 Ma 20 ma 有効にする ポジティブ 1a 5V - 1 0.69V @ 1a（タイプ） 60db （120Hz） 電流で、温度を超えます
TCV7108FN(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7108FN -
RFQ
 ECAD 1774 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TCV71 5.6V 調整可能 PS-8（2.9x2.4） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 降圧 1 バック 1.5MHz ポジティブ はい 2a 0.8V 5.6V 2.7V
TA78L008AP(TORI,FM Toshiba Semiconductor and Storage ta78l008ap -
RFQ
 ECAD 7522 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L008 35V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - ポジティブ 150ma 8V - 1 1.7V @ 40ma（タイプ） 45db （120Hz 現在の上
TCR5AM10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM10、LF 0.5000
RFQ
 ECAD 8528 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR5AM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR5AM10 5.5V 修理済み 5-dfnb（1.2x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA 有効にする ポジティブ 500mA 1V - 1 0.25V @ 500MA 70db〜40db（1kHz10Hz 電流、温度を超えて、電圧ロックアウト（ウブロ）
TA78L015AP,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage Ta78l015ap -
RFQ
 ECAD 4437 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L015 35V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - ポジティブ 150ma 15V - 1 1.7V @ 40ma（タイプ） 40dB （120Hz） 電流で、温度を超えます
TA58M09S,MATUDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage Ta58m09s -
RFQ
 ECAD 2222 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58M09 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 80 Ma - ポジティブ 500mA 9V - 1 0.65V @ 500MA - 電流、温度上、逆極性
TB9101FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9101FNG、EL 5.1900
RFQ
 ECAD 7188 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 自動車 表面マウント 24-lssop（0.220 "、5.60mm 幅） TB9101 bi-cmos 7V〜18V 24ソップ ダウンロード ROHS準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 2,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ オン/オフ プレドライバー -ハーフブリッジ（4） 1.5a 0.3V〜40V - dc -
TCR2LN27,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN27 0.3800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LN テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 4-XFDFN露出パッド 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 2.7V - 1 0.36V @ 150ma - 現在の上
TB6608FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6608FNG、C8、EL 2.7300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜85°C（Ta） 汎用 表面マウント 20-lssop （0.173 "、幅4.40mm） TB6608 Power Mosfet 2.7V〜5.5V 20ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 600MA 2.5V〜13.5V バイポーラ - 1、1/2、1/4、1/8
KIA78L06BP Toshiba Semiconductor and Storage KIA78L06bp -
RFQ
 ECAD 4285 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * バルク アクティブ Kia78 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1
TA58M08F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M08F （TE16L1 、NQ -
RFQ
 ECAD 3340 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C 表面マウント to-252-3 TA58M08 29V 修理済み pw-mold - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 1 Ma 80 Ma - ポジティブ 500mA 8V - 1 0.65V @ 500MA - 電流、温度上、逆極性
TA76431AS(T6CNO,FM Toshiba Semiconductor and Storage Ta76431as -
RFQ
 ECAD 6014 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 - -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA76431 - - - - LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TC78H600FNG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H600FNG 1.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜85°C（Ta） 汎用 表面マウント 20-lssop （0.173 "、幅4.40mm） TC78H600 DMOS 2.7V〜5.5V 20ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ PWM ハーフブリッジ（4） 800mA 2.5V〜15V - dc -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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