SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース 特徴 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー 現在 -供給 電圧 -入力 電圧 -入力(最大) 出力タイプ 温度係数 sicプログラム可能 比率 -入力:出力 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 関数 参照タイプ 電圧 -供給( vcc/vdd) インタフェース 出力数 現在 -静止(IQ) 現在 -供給(最大) チャネルタイプ トポロジー 周波数 -切り替え 障害保護 制御機能 出力構成 同期整流器 センシング方法 正確さ 現在 -出力 rds on(typ) 電圧 -負荷 駆動型構成 ドライバーの数 ゲートタイプ 論理電圧-vil、vih 現在 -ピーク出力(ソース、シンク) 立ち上がり /上下時間(タイプ) モータータイプ -ステッパー モータータイプ-ac 、dc ステップ解決 スイッチタイプ 現在 -出力(最大) 電圧 -min/固定) ノイズ-0.1Hz10Hz ノイズ-10Hz10kHz 電圧 -出力(最大) 電圧 -入力(最小) 規制当局の数 電圧ドロップアウト(最大) psrr 保護機能
TCR2LN285,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN285 、LF -
RFQ
ECAD 5637 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LN テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド TCR2LN285 5.5V 修理済み 4-SDFN (0.8x0.8) ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 2.85V - 1 0.36V @ 150ma - 現在の上
TCKE805NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage tcke805nl、rf 1.5200
RFQ
ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 10-wfdfn露出パッド TCKE805 4.4V〜18V 10-wsonb(3x3) ダウンロード 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 4,000 電子ヒューズ - - 5a
TA48L033F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48L033F (TE12L -
RFQ
ECAD 3844 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント TO-243AA TA48L033 16V 修理済み pw-mini - ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 1,000 800 µA 5 Ma - ポジティブ 150ma 3.3V - 1 0.5V @ 100mA 68db (120Hz) 電流で、温度を超えます
TA76431S(6NETPP,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S -
RFQ
ECAD 9510 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA76431 - 調整可能 LSTM ダウンロード 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 1 - ポジティブ - 2.495V 36V 1 - - -
TC78H620FNG Toshiba Semiconductor and Storage TC78H620FNG -
RFQ
ECAD 5180 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -20°C〜85°C(Ta) 汎用 表面マウント 16-lssop(0.173 "、幅4.40mm) TC78H620 DMOS 2.7V〜5.5V 16ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 2,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ(4) 1a 2.5V〜15V ユニポーラ dc 1、1/2
TCR2DG32,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG32、LF 0.1394
RFQ
ECAD 4709 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2DG テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-ufbga、wlcsp 5.5V 修理済み 4-wcsp( 0.79x0.79) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 有効にする ポジティブ 200mA 3.2V - 1 0.11V @ 100mA - 電流で、温度を超えます
TB62215AFG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AFG 、C8、EL 1.9973
RFQ
ECAD 5550 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -20°C〜85°C(Ta) 汎用 表面マウント 28-BSOP (0.346 "、8.80mm + 2ヒートタブ TB62215 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 28-HSOP ダウンロード ROHS3準拠 TB62215AFGC8EL ear99 8542.39.0001 2,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ(4) 3a 10V〜38V バイポーラ dc 1、1/2、1/4
TCR8BM105A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM105A 、L3F 0.4600
RFQ
ECAD 6505 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR8BM テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C (TJ 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR8BM105 5.5V 修理済み 5-dfnb(1.2x1.2) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 有効にする ポジティブ 800mA 1.05V - 1 0.24V @ 800MA 98dB 電流、温度を超えて、電圧ロックアウト(ウブロ)
TCR2EF135,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF135 0.3300
RFQ
ECAD 3206 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tcr2ef テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR2EF135 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.35V - 1 - 73dB 現在の上
TA76L431S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage Ta76L431S -
RFQ
ECAD 9072 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 - -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA76L431 - - - - LSTM ダウンロード 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR2LF15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF15 0.0742
RFQ
ECAD 8105 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LF テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C (TJ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR2LF15 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.5V - 1 1.13V @ 150ma - 現在の上
TB67S512FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S512FTAG、EL 2.7700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -20°C〜85°C(Ta) 汎用 表面マウント 36-wfqfn露出パッド TB67S512 Power Mosfet 2V〜5.5V 36-wqfn ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ PWM プレドライバー -ハーフブリッジ(4) 2a 10V〜35V バイポーラ dc 1、1/2、1/4
TCR5BM105,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM105、L3F 0.4100
RFQ
ECAD 333 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR5BM テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR5BM105 5.5V 修理済み 5-dfnb(1.2x1.2) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 有効にする ポジティブ 500mA 1.05V - 1 0.14V @ 500MA 98dB 電流で、温度を超えます
TA76431S,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S -
RFQ
ECAD 3997 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA76431 - 調整可能 LSTM ダウンロード 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 1 - ポジティブ - 2.495V 36V 1 - - -
TPD7107F,BXH Toshiba Semiconductor and Storage TPD7107F 、BXH 1.3254
RFQ
ECAD 8343 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 10-wfdfn露出パッド TPD7107 非反転 確認されていません 5.75V〜26V 10-wson(3x3) ダウンロード ear99 8542.39.0001 4,000 シングル ハイサイド 1 nチャンネルmosfet 0.6V 、2.4V 5MA -
TB6614FNG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6614FNG -
RFQ
ECAD 4247 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 -20°C〜85°C(Ta) 汎用 表面マウント 16-lssop(0.173 "、幅4.40mm) TB6614 Power Mosfet 2.7V〜5.5V 16ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 2,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ(4) 1a 2.5V〜13.5V - dc -
TCR2EF10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF10 0.3300
RFQ
ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 tcr2ef テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR2EF10 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1V - 1 0.77V @ 150ma 73dB 現在の上
TCR2DG295,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG295 0.1394
RFQ
ECAD 5506 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2DG テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-ufbga、wlcsp 5.5V 修理済み 4-wcsp( 0.79x0.79) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 有効にする ポジティブ 200mA 2.95V - 1 0.12V @ 100MA - 電流で、温度を超えます
TBD62084APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62084APG 1.4900
RFQ
ECAD 517 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 穴を通して 18-dip(0.300 "、7.62mm) - TBD62084 反転 nチャネル 1:1 18ディップ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 25 必要ありません オン/オフ 8 - ローサイド - 50V (最大) 汎用 500mA
TA58L12S,ASHIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage ta58l12s -
RFQ
ECAD 2048 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58L12 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 1 1.2 Ma 50 Ma - ポジティブ 250ma 12V - 1 0.4V @ 200mA - 電流で、温度を超えます
TCR2EE50,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE50 0.0680
RFQ
ECAD 3748 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2EE テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SOT-553 TCR2EE50 5.5V 修理済み ESV ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 5V - 1 0.2V @ 150ma 73dB 現在の上
TCR2EN32,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN32、LF -
RFQ
ECAD 7523 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2EN テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド TCR2EN32 5.5V 修理済み 4-SDFN (0.8x0.8) ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 3.2V - 1 0.18V @ 150ma 73dB 現在の上
TB67S128FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S128FTG 7.8400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 汎用 表面マウント 64-VFQFN露出パッド TB67S128 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 64-VQFN (9x9) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ PWM ハーフブリッジ 5a 6.5V〜44V バイポーラ dc (bldc) 1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/128
TA76431S(T6NEPP,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S -
RFQ
ECAD 6843 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA76431 - 調整可能 LSTM ダウンロード 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 1 - ポジティブ - 2.495V 36V 1 - - -
TCK303G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK303G 、LF 1.3200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCK30 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 9-ufbga、wlcsp スルーレート制御、ステータスフラグ TCK303 - nチャネル 1:1 9-wcsp( 1.5x1.5) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 5,000 必要ありません オン/オフ 1 uvlo ハイサイド 73mohm 2.3V〜28V 汎用 3a
TBD62064APG,HZ Toshiba Semiconductor and Storage TBD6206444APG hz 1.4900
RFQ
ECAD 37 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 穴を通して 16-dip (0.300 "、7.62mm) - TBD62064 反転 nチャネル 1:1 16-dip ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 25 必要ありません オン/オフ 4 - ローサイド 430mohm 50V (最大) 汎用 1.25a
TCV7103F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7103F (TE12L -
RFQ
ECAD 4896 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 8-powertdfn TCV71 5.5V 調整可能 8 ソップアドバンス(5x5) ダウンロード 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 3,000 降圧 1 バック 1MHz ポジティブ はい 5a 0.8V 5.5V 2.7V
TBD62004AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62004AFG、EL 0.8900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.173 "、幅4.40mm) - TBD62004 反転 nチャネル 1:1 16ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 2,000 必要ありません オン/オフ 7 - ローサイド - 50V (最大) 汎用 500mA
TA76431S(6FJTN3,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S -
RFQ
ECAD 9855 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA76431 - 調整可能 LSTM ダウンロード 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 1 - ポジティブ - 2.495V 36V 1 - - -
TA4809BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA4809BF (T6L1 -
RFQ
ECAD 4546 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜150°C 表面マウント to-252-3 TA4809 16V 修理済み pw-mold - ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8542.39.0001 2,000 1.7 Ma 20 ma - ポジティブ 1a 9V - 1 0.69V @ 1a(タイプ) 55db (120Hz 電流で、温度を超えます
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫