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パワーマネジメント（ pmic ）（1138）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース 特徴 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー 現在 -供給 電圧 -入力 電圧 -入力（最大） 出力タイプ 温度係数 sicプログラム可能 比率 -入力：出力 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 関数 参照タイプ 電圧 -供給（ vcc/vdd） インタフェース 出力数 現在 -静止（IQ） 現在 -供給（最大） チャネルタイプ 障害保護 制御機能 出力構成 センシング方法 正確さ 現在 -出力 rds on（typ） 電圧 -負荷 駆動型構成 ドライバーの数 ゲートタイプ 論理電圧-vil、vih 現在 -ピーク出力（ソース、シンク） 立ち上がり /上下時間（タイプ） モータータイプ -ステッパー モータータイプ-ac 、dc ステップ解決 スイッチタイプ 現在 -出力（最大） 電圧 -min/固定） ノイズ-0.1Hz10Hz ノイズ-10Hz10kHz 電圧 -出力（最大） 規制当局の数 電圧ドロップアウト（最大） psrr 保護機能
TA78L009AP,APNF(M Toshiba Semiconductor and Storage ta78l009ap、apnf（m -
RFQ
 ECAD 9174 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L009 35V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - ポジティブ 150ma 9V - 1 1.7V @ 40ma（タイプ） 44dB （120Hz） 現在の上
TCR3DF33,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF33 0.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR3DF33 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 65 µA 78 µA 有効にする ポジティブ 300mA 3.3V - 1 0.25V @ 300MA 70dB 電流で、温度を超えます
TCR2EN285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN285 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 2.85V - 1 0.21V @ 150ma - 現在の上
TCR5AM095,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM095、LF 0.1344
RFQ
 ECAD 9016 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR5AM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR5AM095 5.5V 修理済み 5-dfnb（1.2x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA 有効にする ポジティブ 500mA 0.95V - 1 0.23V @ 500MA 70db〜40db（1kHz10Hz 電流、温度を超えて、電圧ロックアウト（ウブロ）
TCR3DF27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF27 0.0906
RFQ
 ECAD 6228 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR3DF27 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 有効にする ポジティブ 300mA 2.7V - 1 0.31V @ 300MA 70dB イングラッシュ電流、電流、温度上
TCR3DF10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF10 0.0906
RFQ
 ECAD 6534 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR3DF10 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 65 µA 78 µA 有効にする ポジティブ 300mA 1V - 1 0.77V @ 300MA 70dB 電流で、温度を超えます
TB6641FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6641FG 2.7700
RFQ
 ECAD 1586 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜150°C （TJ 汎用 表面マウント 16-BSOP （0.252 "、6.40mm + 2ヒートタブ TB6641 Power Mosfet 10V〜45V 16-hsop ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 1,500 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ pwm ハーフブリッジ（2） 1.5a 10V〜45V - dc -
TCR3DG10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG10、LF 0.1054
RFQ
 ECAD 4302 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 4-XFBGA 、CSPBGA TCR3DG10 5.5V 修理済み 4-wcspe（0.65x0.65） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 65 µA 78 µA - ポジティブ 300mA 1V - 1 0.75V @ 300MA 70dB 電流で、温度を超えます
TCR1HF33B,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR1HF33B 0.4800
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * テープ＆リール（ tr） アクティブ - 3,000
TCR3DM18,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM18 0.4800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-udfn露出パッド 5.5V 修理済み 4-dfn（1x1） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 有効にする ポジティブ 300mA 1.8V - 1 0.38V @ 300MA - 電流で、温度を超えます
TCR2LN32,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN32 、LF 0.0896
RFQ
 ECAD 9032 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LN テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 4-XFDFN露出パッド TCR2LN32 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 3.2V - 1 0.28V @ 150ma - 現在の上
TCK126BG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK126BG 、LF 0.4800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 4-XFBGA 、CSPBGA スルーレートが制御されました TCK126 非反転 pチャネル 1：1 4-wcspg（0.65x0.65） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 必要ありません オン/オフ 1 - ハイサイド 343mohm 1V〜5.5V 汎用 1a
TCK421G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK421G、L3F 0.8500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 6-XFBGA 、WLCSP TCK421 非反転 確認されていません 2.7V〜28V 6-wcspg（0.8x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 同期 ハイサイドとローサイド 2 nチャンネルmosfet 0.4V 、1.2V - -
TA58L05S(LS2PEV,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S -
RFQ
 ECAD 6732 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58L05 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 50 Ma - ポジティブ 250ma 5V - 1 0.4V @ 200mA - 電流で、温度を超えます
TCR5SB33A(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TCR5SB33A -
RFQ
 ECAD 5687 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR5SB テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR5SB33 6V 修理済み SMV - 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 75 µA 有効にする ポジティブ 150ma 3.3V - 1 0.19V @ 50ma 80db （1kHz） 現在の上
TC78S121FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S121FTG 3.1400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜150°C （TJ 汎用 表面マウント 48-VFQFN露出パッド TC78S121 Power Mosfet 4.5v〜5.5V 48-QFN （7x7） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（ 8） 2a 8V〜38V バイポーラ dc -
TA78L012AP(6TOJ,AF Toshiba Semiconductor and Storage ta78l012ap -
RFQ
 ECAD 4697 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L012 35V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - ポジティブ 150ma 12V - 1 1.7V @ 40ma（タイプ） 41db （120Hz） 現在の上
TA7291P(O) Toshiba Semiconductor and Storage Ta7291p -
RFQ
 ECAD 3971 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -30°C〜75°C（Ta） 汎用 穴を通して 10シップ露出タブ TA7291 バイポーラ 4.5V〜20V 10-hsip - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 22 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（2） 1a 0V〜20V - dc -
TCR8BM11A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM11A 、L3F 0.1628
RFQ
 ECAD 8877 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR8BM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR8BM11 5.5V 修理済み 5-dfnb（1.2x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 現在の制限、有効 ポジティブ 800mA 1.1V - 1 0.245V @ 800MA 98dB 電流、温度を超えて、電圧ロックアウト（ウブロ）
TCR2DG185,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG185、LF 0.1394
RFQ
 ECAD 7925 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2DG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-ufbga、wlcsp 5.5V 修理済み 4-wcsp（ 0.79x0.79） - ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.85V - 1 0.19V @ 500MA - 電流で、温度を超えます
TC78H670FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H670FTG 、EL 1.5300
RFQ
 ECAD 8443 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 汎用 表面マウント 16-VFQFN露出パッド TC78H670 DMOS 1.5v〜5.5V 16-VQFN（3x3） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ シリアル ハーフブリッジ（4） 2a 2.5V〜16V バイポーラ dc 1、1/2
TA76432S,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S -
RFQ
 ECAD 6788 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 - -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA76432 - - - - LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TB6560AFG,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AFG 、8 3.8200
RFQ
 ECAD 5140 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -30°C〜85°C 汎用 表面マウント 64-TQFP露出パッド TB6560 4.5v〜5.5V 64-hqfp （10x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 1 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 1.5a 4.5V〜34V バイポーラ -
TB67S508FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S508FTG 3.1400
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜85°C（Ta） 汎用 表面マウント 36-VFQFN露出パッド TB67S508 DMOS 2V〜5.5V 36-vqfn （5x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバ PWM プレドライバー -ハーフブリッジ（2） 3a 10V〜35V バイポーラ dc 1、1/2、1/4
TCR8BM11,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM11、L3F 0.4500
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR8BM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR8BM11 5.5V 修理済み 5-dfnb（1.2x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 現在の制限、有効 ポジティブ 800mA 1.1V - 1 0.245V @ 800MA 98dB 電流で、温度を超えます
TB6575FNG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6575FNG 2.9800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜105°C（TA） 汎用 表面マウント 24-lssop（0.220 "、5.60mm 幅） TB6575 CMOS 4.5v〜5.5V 24ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.31.0001 2,000 コントローラー -整流、方向管理 平行 プレドライバー -ハーフブリッジ（ 3） - - - dc （bldc） -
TCKE800NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage tcke800na、rf 1.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 10-wfdfn露出パッド TCKE800 4.4V〜18V 10-wsonb（3x3） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 電子ヒューズ - - 5a
TCR2LF13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF13 0.3800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR2LF13 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.3V - 1 1.13V @ 150ma - 現在の上
TCK301G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK301G 、LF 1.1500
RFQ
 ECAD 7356 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCK30 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 9-ufbga、wlcsp スルーレート制御、ステータスフラグ TCK301 - nチャネル 1：1 9-wcsp（ 1.5x1.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 必要ありません オン/オフ 1 uvlo ハイサイド 73mohm 2.3V〜28V 汎用 3a
TBD62502AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62502AFNG 1.0600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-lssop（0.173 "、幅4.40mm） - TBD62502 反転 nチャネル 1：1 16ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 必要ありません オン/オフ 7 - ローサイド - 50V （最大） 汎用 300mA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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