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パワーマネジメント（ pmic ）（1138）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 特徴 基本製品番号 入力タイプ 頻度 テクノロジー 現在 -供給 電圧 -入力 電圧 -入力（最大） 出力タイプ 温度係数 sicプログラム可能 比率 -入力：出力 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 関数 現在 -出力 /チャネル 参照タイプ 電圧 -供給（ vcc/vdd） インタフェース 出力数 現在 -静止（IQ） 現在 -供給（最大） チャネルタイプ 内部スイッチ トポロジー 周波数 -切り替え 障害保護 制御機能 電圧 -供給（最大） 出力構成 同期整流器 現在 -出力 rds on（typ） 電圧 -負荷 駆動型構成 ドライバーの数 ゲートタイプ 論理電圧-vil、vih 現在 -ピーク出力（ソース、シンク） 立ち上がり /上下時間（タイプ） モータータイプ -ステッパー モータータイプ-ac 、dc ステップ解決 調光 電圧 -供給（最小） 電圧 -出力 スイッチタイプ 現在 -出力（最大） 電圧 -min/固定） ノイズ-0.1Hz10Hz ノイズ-10Hz10kHz 電圧 -出力（最大） 電圧 -入力（最小） 規制当局の数 電圧ドロップアウト（最大） psrr 保護機能
TCR3DF10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF10 0.0906
RFQ
 ECAD 6534 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR3DF10 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 65 µA 78 µA 有効にする ポジティブ 300mA 1V - 1 0.77V @ 300MA 70dB 電流で、温度を超えます
TB6641FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6641FG 2.7700
RFQ
 ECAD 1586 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜150°C （TJ 汎用 表面マウント 16-BSOP （0.252 "、6.40mm + 2ヒートタブ TB6641 Power Mosfet 10V〜45V 16-hsop ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 1,500 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ pwm ハーフブリッジ（2） 1.5a 10V〜45V - dc -
TCV7100AF(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7100AF （TE12L -
RFQ
 ECAD 4873 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 8-powertdfn TCV71 5.5V 調整可能 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 降圧 1 バック 800kHz ポジティブ はい 2.5a 0.8V 5.5V 2.7V
TCR3DG10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG10、LF 0.1054
RFQ
 ECAD 4302 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 4-XFBGA 、CSPBGA TCR3DG10 5.5V 修理済み 4-wcspe（0.65x0.65） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 65 µA 78 µA - ポジティブ 300mA 1V - 1 0.75V @ 300MA 70dB 電流で、温度を超えます
TCR3RM09A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM09A 0.4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3RM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR3RM09 5.5V 修理済み 4-dfnc ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 12 µA 現在の制限、有効 ポジティブ 300mA 0.9V - 1 - - 電流で、温度を超えます
TCR1HF33B,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR1HF33B 0.4800
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * テープ＆リール（ tr） アクティブ - 3,000
TCR3DM18,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM18 0.4800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-udfn露出パッド 5.5V 修理済み 4-dfn（1x1） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 有効にする ポジティブ 300mA 1.8V - 1 0.38V @ 300MA - 電流で、温度を超えます
TCR2LN32,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN32 、LF 0.0896
RFQ
 ECAD 9032 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LN テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 4-XFDFN露出パッド TCR2LN32 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 3.2V - 1 0.28V @ 150ma - 現在の上
TA8428FG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage ta8428fg -
RFQ
 ECAD 2826 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C（TA） 汎用 表面マウント 20-BSOP （0.346 "、幅8.80mm + 2ヒートタブ TA8428 バイポーラ 7V〜27V 20-hsop ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（2） 800mA 7V〜27V - dc -
TCK126BG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK126BG 、LF 0.4800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 4-XFBGA 、CSPBGA スルーレートが制御されました TCK126 非反転 pチャネル 1：1 4-wcspg（0.65x0.65） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 必要ありません オン/オフ 1 - ハイサイド 343mohm 1V〜5.5V 汎用 1a
TCK421G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK421G、L3F 0.8500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 6-XFBGA 、WLCSP TCK421 非反転 確認されていません 2.7V〜28V 6-wcspg（0.8x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 同期 ハイサイドとローサイド 2 nチャンネルmosfet 0.4V 、1.2V - -
TBD62503AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62503AFNG 1.0600
RFQ
 ECAD 5309 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-lssop（0.173 "、幅4.40mm） - TBD62503 反転 nチャネル 1：1 16ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 必要ありません オン/オフ 7 - ローサイド - 50V （最大） 汎用 300mA
TA58L05S(LS2PEV,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S -
RFQ
 ECAD 6732 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58L05 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 50 Ma - ポジティブ 250ma 5V - 1 0.4V @ 200mA - 電流で、温度を超えます
TCR5SB33A(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TCR5SB33A -
RFQ
 ECAD 5687 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR5SB テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR5SB33 6V 修理済み SMV - 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 75 µA 有効にする ポジティブ 150ma 3.3V - 1 0.19V @ 50ma 80db （1kHz） 現在の上
TC78S121FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S121FTG 3.1400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜150°C （TJ 汎用 表面マウント 48-VFQFN露出パッド TC78S121 Power Mosfet 4.5v〜5.5V 48-QFN （7x7） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（ 8） 2a 8V〜38V バイポーラ dc -
TA78L012AP(6TOJ,AF Toshiba Semiconductor and Storage ta78l012ap -
RFQ
 ECAD 4697 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L012 35V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - ポジティブ 150ma 12V - 1 1.7V @ 40ma（タイプ） 41db （120Hz） 現在の上
TB62214AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFTG 、C8、EL 1.1958
RFQ
 ECAD 9899 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜150°C （TJ 汎用 表面マウント 48-VFQFN露出パッド TB62214 DMOS 4.75v〜5.25V 48-QFN （7x7） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 2,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 2a 10V〜38V バイポーラ - 1、1/2、1/4
TA7291P(O) Toshiba Semiconductor and Storage Ta7291p -
RFQ
 ECAD 3971 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -30°C〜75°C（Ta） 汎用 穴を通して 10シップ露出タブ TA7291 バイポーラ 4.5V〜20V 10-hsip - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 22 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（2） 1a 0V〜20V - dc -
TA78L12PF(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ta78l12pf -
RFQ
 ECAD 9901 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TA78L12 35V 修理済み PS-8（2.9x2.4） - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 6 Ma 6.5 Ma - ポジティブ 150ma 12V - 1 2V @ 150ma 41db （120Hz） 電流で、温度を超えます
TCR8BM11A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM11A 、L3F 0.1628
RFQ
 ECAD 8877 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR8BM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR8BM11 5.5V 修理済み 5-dfnb（1.2x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 現在の制限、有効 ポジティブ 800mA 1.1V - 1 0.245V @ 800MA 98dB 電流、温度を超えて、電圧ロックアウト（ウブロ）
TCR2DG185,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG185、LF 0.1394
RFQ
 ECAD 7925 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2DG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-ufbga、wlcsp 5.5V 修理済み 4-wcsp（ 0.79x0.79） - ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.85V - 1 0.19V @ 500MA - 電流で、温度を超えます
KIA78L24BP Toshiba Semiconductor and Storage KIA78L24bp -
RFQ
 ECAD 4448 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * バルク アクティブ Kia78 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1
TC78H670FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H670FTG 、EL 1.5300
RFQ
 ECAD 8443 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 汎用 表面マウント 16-VFQFN露出パッド TC78H670 DMOS 1.5v〜5.5V 16-VQFN（3x3） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ シリアル ハーフブリッジ（4） 2a 2.5V〜16V バイポーラ dc 1、1/2
TA76432S,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S -
RFQ
 ECAD 6788 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 - -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA76432 - - - - LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TC62D748CFNAG,C,EB Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFNAG -
RFQ
 ECAD 8057 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ - 表面マウント 24-ssop （0.154 "、3.90mm 幅） リニア TC62D748 - 24ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 90ma 16 はい シフトレジスタ 5.5V - 3V 17V
TB6560AFG,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AFG 、8 3.8200
RFQ
 ECAD 5140 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -30°C〜85°C 汎用 表面マウント 64-TQFP露出パッド TB6560 4.5v〜5.5V 64-hqfp （10x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 1 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 1.5a 4.5V〜34V バイポーラ -
TB6562ANG,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6562ANG 、8 3.5735
RFQ
 ECAD 3561 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -20°C〜150°C （TJ 汎用 穴を通して 24-sdip（0.300 "、7.62mm） TB6562 DMOS 10V〜34V 24スディップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 500 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（4） 1.5a 10V〜34V バイポーラ dc 1、1/2、1/4
TB67S508FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S508FTG 3.1400
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜85°C（Ta） 汎用 表面マウント 36-VFQFN露出パッド TB67S508 DMOS 2V〜5.5V 36-vqfn （5x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバ PWM プレドライバー -ハーフブリッジ（2） 3a 10V〜35V バイポーラ dc 1、1/2、1/4
TCR8BM11,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM11、L3F 0.4500
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR8BM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR8BM11 5.5V 修理済み 5-dfnb（1.2x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 現在の制限、有効 ポジティブ 800mA 1.1V - 1 0.245V @ 800MA 98dB 電流で、温度を超えます
TCR15AG11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG11、LF 0.6400
RFQ
 ECAD 5742 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR15AG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 6-XFBGA 、WLCSP TCR15AG11 6V 修理済み 6-wcsp（1.2x0.80） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 40 µA 有効にする ポジティブ 1.5a 1.1V - 1 0.24V @ 1.5a 95db〜60db（1khz） uvlo
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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