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パワーマネジメント（ pmic ）（1138）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース 特徴 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー 現在 -供給 電圧 -入力 電圧 -入力（最大） 出力タイプ 温度係数 sicプログラム可能 比率 -入力：出力 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 関数 参照タイプ 電圧 -供給（ vcc/vdd） インタフェース 出力数 現在 -静止（IQ） 現在 -供給（最大） チャネルタイプ 障害保護 制御機能 出力構成 センシング方法 正確さ 現在 -出力 rds on（typ） 電圧 -負荷 駆動型構成 ドライバーの数 ゲートタイプ 論理電圧-vil、vih 現在 -ピーク出力（ソース、シンク） 立ち上がり /上下時間（タイプ） モータータイプ -ステッパー モータータイプ-ac 、dc ステップ解決 スイッチタイプ 現在 -出力（最大） 電圧 -min/固定） ノイズ-0.1Hz10Hz ノイズ-10Hz10kHz 電圧 -出力（最大） 規制当局の数 電圧ドロップアウト（最大） psrr 保護機能
TC78B006FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B006FNG、EL 0.6922
RFQ
 ECAD 8459 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 汎用 表面マウント 16-lssop（0.173 "、幅4.40mm） TC78B006 Power Mosfet 3.5V〜16V 16ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 コントローラー -整流、方向管理 PWM プレドライバー -ハーフブリッジ（2） - - - dc （bldc） -
TCR3DF185,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF185 0.0906
RFQ
 ECAD 4999 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR3DF185 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 有効にする ポジティブ 300mA 1.85V - 1 0.4V @ 300MA 70dB イングラッシュ電流、電流、温度上
TCKE712BNL,RF Toshiba Semiconductor and Storage tcke712bnl 、rf 1.6700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 10-wfdfn露出パッド TCKE712 4.4V〜13.2V 10-wsonb（3x3） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 電子ヒューズ - - -
TCR2EN11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN11、LF 0.0798
RFQ
 ECAD 3856 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2EN テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド TCR2EN11 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.1V - 1 0.65V @ 150ma 73dB 現在の上
KIA78L12BP Toshiba Semiconductor and Storage Kia78L12bp -
RFQ
 ECAD 3569 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * バルク アクティブ Kia78 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1
TCR8BM30A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM30A 、L3F 0.4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR8BM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XDFN露出パッド 5.5V 修理済み 5-dfnb（1.2x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 現在の制限、有効 ポジティブ 800mA 3V - 1 0.285V @ 800MA - 電流、温度を超えて、電圧ロックアウト（ウブロ）
TB67S265FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S265FTG 1.1819
RFQ
 ECAD 3827 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜150°C （TJ 汎用 表面マウント 48-wfqfn露出パッド TB67S265 Power Mosfet 4.75v〜5.25V 48-wqfn （7x7） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行、シリアル ハーフブリッジ（4） 2a 10V〜47V バイポーラ - 1、1/2
TCR3DF28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF28 0.0927
RFQ
 ECAD 8485 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR3DF28 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 65 µA 78 µA 有効にする ポジティブ 300mA 2.8V - 1 0.27V @ 300MA 70dB 電流で、温度を超えます
TBD62064AFAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD620644444444444 1.2300
RFQ
 ECAD 3705 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24 ソップ（0.236 "、幅6.00mm） - TBD62064 反転 nチャネル 1：1 24ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 必要ありません オン/オフ 4 - ローサイド 430mohm 50V （最大） 汎用 1.25a
TCR2EN25,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN25、LF 0.0896
RFQ
 ECAD 8573 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2EN テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド TCR2EN25 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 2.5V - 1 0.21V @ 150ma 73dB 現在の上
TBD62308AFAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62308888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888 1.1900
RFQ
 ECAD 1058 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24 ソップ（0.236 "、幅6.00mm） - TBD62308 反転 nチャネル 1：1 24ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 2,000 4.5v〜5.5V オン/オフ 4 - ローサイド 370mohm 50V （最大） 汎用 1.5a
TCR3DF33,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF33 0.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR3DF33 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 65 µA 78 µA 有効にする ポジティブ 300mA 3.3V - 1 0.25V @ 300MA 70dB 電流で、温度を超えます
TCR2EN285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN285 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XFDFN露出パッド 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 有効にする ポジティブ 200mA 2.85V - 1 0.21V @ 150ma - 現在の上
TCR3DF27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF27 0.0906
RFQ
 ECAD 6228 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR3DF27 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 有効にする ポジティブ 300mA 2.7V - 1 0.31V @ 300MA 70dB イングラッシュ電流、電流、温度上
TCR3DF10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF10 0.0906
RFQ
 ECAD 6534 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR3DF10 5.5V 修理済み SMV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 65 µA 78 µA 有効にする ポジティブ 300mA 1V - 1 0.77V @ 300MA 70dB 電流で、温度を超えます
TB6641FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6641FG 2.7700
RFQ
 ECAD 1586 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜150°C （TJ 汎用 表面マウント 16-BSOP （0.252 "、6.40mm + 2ヒートタブ TB6641 Power Mosfet 10V〜45V 16-hsop ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 1,500 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ pwm ハーフブリッジ（2） 1.5a 10V〜45V - dc -
TCR3DG10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG10、LF 0.1054
RFQ
 ECAD 4302 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR3DG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 4-XFBGA 、CSPBGA TCR3DG10 5.5V 修理済み 4-wcspe（0.65x0.65） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 65 µA 78 µA - ポジティブ 300mA 1V - 1 0.75V @ 300MA 70dB 電流で、温度を超えます
TCR1HF33B,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR1HF33B 0.4800
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * テープ＆リール（ tr） アクティブ - 3,000
TCR3DM18,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM18 0.4800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-udfn露出パッド 5.5V 修理済み 4-dfn（1x1） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 有効にする ポジティブ 300mA 1.8V - 1 0.38V @ 300MA - 電流で、温度を超えます
TCR2LN32,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN32 、LF 0.0896
RFQ
 ECAD 9032 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2LN テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 4-XFDFN露出パッド TCR2LN32 5.5V 修理済み 4-SDFN （0.8x0.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 有効にする ポジティブ 200mA 3.2V - 1 0.28V @ 150ma - 現在の上
TCK126BG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK126BG 、LF 0.4800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 4-XFBGA 、CSPBGA スルーレートが制御されました TCK126 非反転 pチャネル 1：1 4-wcspg（0.65x0.65） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 必要ありません オン/オフ 1 - ハイサイド 343mohm 1V〜5.5V 汎用 1a
TCK421G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK421G、L3F 0.8500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 6-XFBGA 、WLCSP TCK421 非反転 確認されていません 2.7V〜28V 6-wcspg（0.8x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 同期 ハイサイドとローサイド 2 nチャンネルmosfet 0.4V 、1.2V - -
TA58L05S(LS2PEV,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S -
RFQ
 ECAD 6732 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜105°C 穴を通して TO-220-3フルパック TA58L05 29V 修理済み TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 50 Ma - ポジティブ 250ma 5V - 1 0.4V @ 200mA - 電流で、温度を超えます
TCR5SB33A(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TCR5SB33A -
RFQ
 ECAD 5687 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR5SB テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 TCR5SB33 6V 修理済み SMV - 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 3,000 75 µA 有効にする ポジティブ 150ma 3.3V - 1 0.19V @ 50ma 80db （1kHz） 現在の上
TA78L012AP(6TOJ,AF Toshiba Semiconductor and Storage ta78l012ap -
RFQ
 ECAD 4697 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -30°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA78L012 35V 修理済み LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - ポジティブ 150ma 12V - 1 1.7V @ 40ma（タイプ） 41db （120Hz） 現在の上
TA7291P(O) Toshiba Semiconductor and Storage Ta7291p -
RFQ
 ECAD 3971 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -30°C〜75°C（Ta） 汎用 穴を通して 10シップ露出タブ TA7291 バイポーラ 4.5V〜20V 10-hsip - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 22 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ 平行 ハーフブリッジ（2） 1a 0V〜20V - dc -
TCR8BM11A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM11A 、L3F 0.1628
RFQ
 ECAD 8877 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR8BM テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-XDFN露出パッド TCR8BM11 5.5V 修理済み 5-dfnb（1.2x1.2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 現在の制限、有効 ポジティブ 800mA 1.1V - 1 0.245V @ 800MA 98dB 電流、温度を超えて、電圧ロックアウト（ウブロ）
TCR2DG185,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG185、LF 0.1394
RFQ
 ECAD 7925 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TCR2DG テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 4-ufbga、wlcsp 5.5V 修理済み 4-wcsp（ 0.79x0.79） - ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 有効にする ポジティブ 200mA 1.85V - 1 0.19V @ 500MA - 電流で、温度を超えます
TC78H670FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H670FTG 、EL 1.5300
RFQ
 ECAD 8443 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 汎用 表面マウント 16-VFQFN露出パッド TC78H670 DMOS 1.5v〜5.5V 16-VQFN（3x3） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 4,000 ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ シリアル ハーフブリッジ（4） 2a 2.5V〜16V バイポーラ dc 1、1/2
TA76432S,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S -
RFQ
 ECAD 6788 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 - -40°C〜85°C 穴を通して TO-226-3 TA76432 - - - - LSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8542.39.0001 1 - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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