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ICS ）（40280）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -入力（最大） | 出力タイプ | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | i/oの数 | コアプロセッサ | コアサイズ | スピード | 接続性 | 周辺機器 | プログラムメモリサイズ | プログラムメモリタイプ | eepromサイズ | ラムサイズ | 電圧 -供給（ vcc/vdd） | データコンバーター | オシレータータイプ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | 現在 -静止（IQ） | アクセス時間 | 現在 -供給（最大） | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | 制御機能 | 出力構成 | 現在 -出力 | 電圧 -min/固定） | 電圧 -出力（最大） | 規制当局の数 | 電圧ドロップアウト（最大） | psrr | 保護機能 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 40060327 | - |  | 4757 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 前回購入します | - | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY15V108Q-20BFXIT | 24.7500 | | 3582 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 448-CY15V108QI-20BFXITTR | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Cy8C4046LQI-T411 | 3.2100 | | 1496 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | トレイ | アクティブ | 表面マウント | 16-ufqfn | 16-QFN（3x3） | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 448-CY8C4046LQI-T411 | 980 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S25HL02GTDPBHV153 | 21.9375 | | 3177 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 448-S25HL02GTDPBHV153TR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY15B108Q-20BFXIT | 23.2000 | | 3349 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 448-CY15B108QI-20BFXITTR | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY15V104QSN-108BFXI | 19.2125 | | 2108 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 448-CY15V104QSN-108BFXI | 4,900 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Cy8C4147LCE-HV403 | 4.8995 | | 7368 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 4,900 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Cy8C4148azss555xqla1 | 6.8831 | | 9933 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 448-CY8C4148AZSS555XQLA1 | 1,600 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P7700180F2C000 | - | | 3054 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 前回購入します | - | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLE4275D | 1.2500 | | 8215 | 0.00000000 | Infineon Technologies | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C （TJ | 表面マウント | TO-252-5 | 42V | 修理済み | PG-to252-5-11 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 220 µA | 22 Ma | リセット | ポジティブ | 450ma | 5V | - | 1 | 0.5V @ 300MA | 60db （100Hz） | 現在、温度を超えて、逆極性、短絡 | ||||||||||||||||||||||||||
| MB89888P-G-XXX-SHE1 | - | | 4910 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | - | MB89888 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | MB95F136NBSPFV-GSE1 | - | | 4521 | 0.00000000 | Infineon Technologies | f²mcmb95130mb | チューブ | sicで中止されました | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 30-lssop （0.220 "、5.60mm 幅） | MB95F136 | 30ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2015-MB95F136NBSPFV-GSE1 | ear99 | 8542.31.0001 | 1 | 19 | f²mc-8fx | 8ビット | 16MHz | Linbus | LVD | 32kb（32k x 8） | フラッシュ | - | 1k x 8 | 2.4V〜5.5V | A/D 8x8/10b | 外部の | ||||||||||||||||||||||||
 | cy14b101ka-sp25xi | 33.2700 | | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-BSSOP （0.295 "、幅7.50mm） | Cy14B101 | nvsram （不揮発性 sram） | 2.7V〜3.6V | 48スソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 30 | 不揮発性 | 1mbit | 25 ns | nvsram | 128k x 8 | 平行 | 25ns | |||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL128P11FAIV20 | 7.6800 | | 2918 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL128 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 64-FBGA（13x11） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 不揮発性 | 128mbit | 110 ns | フラッシュ | 16m x 8 | 平行 | 110ns | |||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL256SAGBHIS03 | 5.0435 | | 2886 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga （8x6） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Cy7C12481KV18-400BZXC | - | | 5418 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C12481 | sram- ddr II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 400 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 2m x 18 | 平行 | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| Cy7C1393Kv18-250bzi | - | | 4395 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1393 | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 1m x 18 | 平行 | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| CY90022PF-GS-145-BNDE1 | - | | 6621 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | CY90022 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 66 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CG8353aft | - | | 1125 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | - | - | - | CG8353 | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | Cy7C131-15Nxi | - | | 1075 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 52-BQFP | Cy7C131 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-PQFP （10x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 96 | 揮発性 | 8kbit | 15 ns | sram | 1k x 8 | 平行 | 15ns | |||||||||||||||||||||||||||||
 | S70GL02GT11FHB020 | 36.1375 | | 5165 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-t | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 64-lbga | S70GL02 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA（13x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 180 | 不揮発性 | 2Gbit | 110 ns | フラッシュ | 256m x 8、128m x 16 | 平行 | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | MB89637PF-GT-1308-BND | - | | 3926 | 0.00000000 | Infineon Technologies | F²MC-8L MB89630 | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-BQFP | MB89637 | 64-QFP | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.31.0001 | 66 | 53 | f²mc-8l | 8ビット | 10MHz | ebi/emi | por、pwm wdt | 32kb（32k x 8） | マスクrom | - | 1k x 8 | 2.2V〜6V | A/D 8x10B | 外部の | |||||||||||||||||||||||||
| S6E2C2AL0AGL2000G | 21.2300 | | 6865 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FM4 S6E2C2 | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 216-LQFP | 216-LQFP （24x24） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 40 | 190 | ARM®Cortex®M4F | 32ビット | 200MHz | csio、ebi/emi | dma | 2MB （2m x 8） | フラッシュ | - | 256k x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 32X12B; D/A 2x12B | 内部 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL512S11TFB010 | 12.2675 | | 9345 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100、GL-S | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | S29GL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | SP005668451 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 910 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 60ns | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Cy14E256L-SZ25XI | - | | 5794 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 32-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | Cy14E256 | nvsram （不揮発性 sram） | 4.5v〜5.5V | 32-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 22 | 不揮発性 | 256kbit | 25 ns | nvsram | 32k x 8 | 平行 | 25ns | |||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1324H-133AXCT | - | | 9740 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1324 | sram- sdr | 3.15V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 133 MHz | 揮発性 | 2mbit | 6.5 ns | sram | 128k x 18 | 平行 | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | CYD18S18V18-200BBAXC | - | | 6050 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 256-lbga | CYD18S18 | sram- デュアルポート、同期 | 1.42V〜1.58V、1.7V〜1.9V | 256-FBGA （17x17 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 90 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.3 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | S29JL064J60TFA003 | 8.5900 | | 4266 | 0.00000000 | Infineon Technologies | JL-J | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | S29JL064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 64mbit | 60 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 70ns | |||||||||||||||||||||||||||||
| CY15B102N-ZS60XET | 21.0406 | | 7687 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive、AEC-Q100 f-Ram™ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | フラム（強誘電性ラム） | 2V〜3.6V | 44-TSOP II | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1,000 | 不揮発性 | 2mbit | 90 ns | フラム | 128k x 16 | 平行 | 90ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL256SAGNFI003 | 7.1000 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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