画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S29GL256S11TFIV20 | 7.9300 | ![]() | 6448 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29GL256 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | SP005664585 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | 不揮発性 | 256mbit | 110 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 60ns | ||
S29GL512P10FFCR20 | - | ![]() | 8272 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | トレイ | 廃止 | 0°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL512 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 64-FBGA (11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 180 | 不揮発性 | 512mbit | 100 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 100ns | ||||
![]() | S29GL512S11DHI020 | 9.7100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 60ns | |||
![]() | S29GL512S11DHIV20 | 10.8400 | ![]() | 1092 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL512 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,600 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 60ns | |||
![]() | S29GL512S11TFI010 | 10.8400 | ![]() | 910 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29GL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 60ns | |||
![]() | S29GL512S11TFI020 | 9.7100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29GL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 60ns | |||
![]() | S29GL256S10TFI010 | 7.9300 | ![]() | 8561 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | 不揮発性 | 256mbit | 100 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 60ns | |||
![]() | S29GL01GS10DHI010 | 13.4600 | ![]() | 477 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 不揮発性 | 1gbit | 100 ns | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | 60ns | |||
S29GL512S10FHI010 | 10.8400 | ![]() | 768 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 180 | 不揮発性 | 512mbit | 100 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
![]() | S29GL032N90TFI040 | - | ![]() | 9542 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-n | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29GL032 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 32mbit | 90 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 90ns | |||
![]() | S29GL064N90BFI040 | - | ![]() | 1140 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-n | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | S29GL064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-FBGA (8.15x6.15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 不揮発性 | 64mbit | 90 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 90ns | |||
![]() | S25FL128SAGNFI001 | 5.1100 | ![]() | 1743 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | S25FL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 82 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
![]() | S25FL256SAGNFI001 | 5.4100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 82 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
![]() | FM24C16B-GTR | 2.5600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Infineon Technologies | f-ram™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | FM24C16 | フラム(強誘電性ラム) | 4.5v〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 16kbit | 550 ns | フラム | 2k x 8 | i²c | - | ||
![]() | FM24C64B-GTR | 4.1200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | f-ram™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | FM24C64 | フラム(強誘電性ラム) | 4.5v〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 64kbit | 550 ns | フラム | 8k x 8 | i²c | - | ||
![]() | FM24CL04B-GTR | 2.2900 | ![]() | 9961 | 0.00000000 | Infineon Technologies | f-ram™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | FM24CL04 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 4kbit | 550 ns | フラム | 512 x 8 | i²c | - | ||
![]() | FM24CL64B-GATR | - | ![]() | 9166 | 0.00000000 | Infineon Technologies | f-ram™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | FM24CL64 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 64kbit | 550 ns | フラム | 8k x 8 | i²c | - | ||
![]() | FM24CL64B-GTR | 3.4300 | ![]() | 9253 | 0.00000000 | Infineon Technologies | f-ram™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | FM24CL64 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜3.65V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 64kbit | 550 ns | フラム | 8k x 8 | i²c | - | ||
![]() | FM24V05-GTR | 15.3200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | f-ram™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | FM24V05 | フラム(強誘電性ラム) | 2V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 3.4 MHz | 不揮発性 | 512kbit | 130 ns | フラム | 64k x 8 | i²c | - | ||
![]() | FM24VN10-GTR | 11.1475 | ![]() | 7451 | 0.00000000 | Infineon Technologies | f-ram™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | FM24VN10 | フラム(強誘電性ラム) | 2V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 3.4 MHz | 不揮発性 | 1mbit | 130 ns | フラム | 128k x 8 | i²c | - | ||
![]() | FM25640B-GATR | - | ![]() | 4697 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive、AEC-Q100 f-Ram™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | FM25640 | フラム(強誘電性ラム) | 4.5v〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 4 MHz | 不揮発性 | 64kbit | フラム | 8k x 8 | spi | - | |||
![]() | FM25C160B-GTR | 2.5600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | f-ram™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | FM25C160 | フラム(強誘電性ラム) | 4.5v〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 20 MHz | 不揮発性 | 16kbit | フラム | 2k x 8 | spi | - | |||
![]() | FM25H20-GTR | - | ![]() | 9223 | 0.00000000 | Infineon Technologies | f-ram™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | FM25H20 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 40 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラム | 256k x 8 | spi | - | |||
![]() | FM25L04B-DGTR | 2.2600 | ![]() | 4261 | 0.00000000 | Infineon Technologies | f-ram™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | FM25L04 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜3.6V | 8-dfn (4x4.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 20 MHz | 不揮発性 | 4kbit | フラム | 512 x 8 | spi | - | |||
![]() | FM25L04B-GATR | - | ![]() | 4773 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive、AEC-Q100 f-Ram™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | FM25L04 | フラム(強誘電性ラム) | 3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 10 MHz | 不揮発性 | 4kbit | フラム | 512 x 8 | spi | - | |||
![]() | FM25V02-GTR | - | ![]() | 4726 | 0.00000000 | Infineon Technologies | f-ram™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | FM25V02 | フラム(強誘電性ラム) | 2V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 40 MHz | 不揮発性 | 256kbit | フラム | 32k x 8 | spi | - | |||
![]() | FM25V10-GTR | 14.3200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | f-ram™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | FM25V10 | フラム(強誘電性ラム) | 2V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 40 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラム | 128k x 8 | spi | - | |||
![]() | FM25VN10-GTR | 13.7375 | ![]() | 2658 | 0.00000000 | Infineon Technologies | f-ram™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | FM25VN10 | フラム(強誘電性ラム) | 2V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 40 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラム | 128k x 8 | spi | - | |||
![]() | FM22L16-55-TG | 38.7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | f-ram™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | FM22L16 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 135 | 不揮発性 | 4mbit | 110 ns | フラム | 256k x 16 | 平行 | 110ns | |||
![]() | FM25L04B-DG | 2.2600 | ![]() | 4038 | 0.00000000 | Infineon Technologies | f-ram™ | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | FM25L04 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜3.6V | 8-dfn (4x4.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 81 | 20 MHz | 不揮発性 | 4kbit | フラム | 512 x 8 | spi | - |
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