画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | アプリケーション | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -入力(最大) | 出力タイプ | sicプログラム可能 | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 関数 | i/oの数 | コアプロセッサ | コアサイズ | スピード | 接続性 | 周辺機器 | プログラムメモリサイズ | プログラムメモリタイプ | eepromサイズ | ラムサイズ | 電圧 -供給( vcc/vdd) | データコンバーター | オシレータータイプ | プロトコル | ドライバー/レシーバーの数 | 二重 | レシーバーヒステリシス | データレート | クロック周波数 | 出力数 | メモリタイプ | メモリサイズ | 現在 -静止(IQ) | アクセス時間 | 現在 -供給(最大) | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | トポロジー | 周波数 -切り替え | 制御機能 | 出力構成 | 同期整流器 | 現在 -出力 | 電圧 -min/固定) | 電圧 -出力(最大) | 電圧 -入力(最小) | 規制当局の数 | 電圧ドロップアウト(最大) | psrr | 保護機能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TLF2931GV50XUMA2 | - | ![]() | 6140 | 0.00000000 | Infineon Technologies | aec-q100 | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜125°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 28V | 修理済み | PG-DSO-8 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,500 | 1 Ma | 15 Ma | - | ポジティブ | 100mA | 5V | - | 1 | 0.6V @ 100MA | 80db (120Hz) | 鏡像挿入、電流、温度上、逆極性 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cy9AF0A1MPW-G-XXX-ERE1 | - | ![]() | 5866 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | - | Cy9AF0A1 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SLS32AIA020A2USON10XTMA2 | - | ![]() | 5773 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 産業制御/自動化、家電、スマートホーム、医療 | 表面マウント | 10-ufdfn露出パッド | 強化されたセキュリティソリューション | 確認されていません | PG-USON-10-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 4,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLE8250VSJXUMA1 | 1.0082 | ![]() | 5039 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | トランシーバー | TLE8250 | 4.5v〜5.5V | PG-DSO-8-16 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | カンバス | 1/1 | - | 2Mbps | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S25FS064SDSNFI033 | 2.3975 | ![]() | 1621 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FS-S | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wlga | S25FS064 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-lga (5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 80 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S26KL128SDABHA030 | 6.4750 | ![]() | 8453 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100、HyperFlash™Kl | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-VBGA | S26KL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 338 | 100 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 96 ns | フラッシュ | 16m x 8 | 平行 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S26KL512SDABHA030 | 11.6550 | ![]() | 6268 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100、HyperFlash™Kl | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-VBGA | S26KL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 676 | 100 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 96 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S26KS128SDABHB030 | 7.8400 | ![]() | 7824 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100、HyperFlash™KS | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-VBGA | S26KS128 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,690 | 100 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 96 ns | フラッシュ | 16m x 8 | 平行 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S26KS256SDABHI030 | 10.0975 | ![]() | 8124 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hyperflash™ks | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-VBGA | S26KS256 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 1,690 | 100 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 96 ns | フラッシュ | 32m x 8 | 平行 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL01GT11DHIV23 | 13.5800 | ![]() | 5418 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-t | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL01 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,200 | 不揮発性 | 1gbit | 110 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 60ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL01GT12DHM020 | 10.0625 | ![]() | 7654 | 0.00000000 | Infineon Technologies | 自動車、AEC-Q100、GL-T | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 不揮発性 | 1gbit | 120 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 60ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S70FS01GSDSBHM210 | 24.8300 | ![]() | 7393 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100、FS-S | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | S70FS01 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-bga (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 80 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S26KL512SDABHM030 | 17.3775 | ![]() | 8129 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100、HyperFlash™Kl | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-VBGA | S26KL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,380 | 100 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 96 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S26KS128SDGBHN030 | 7.2520 | ![]() | 3661 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hyperflash™ks | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-VBGA | S26KS128 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 1,690 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 96 ns | フラッシュ | 16m x 8 | 平行 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S26KS512SDGBHM030 | 20.8425 | ![]() | 3301 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100、HyperFlash™KS | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-VBGA | S26KS512 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,690 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 96 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S26KS512SDPBHN020 | 17.9025 | ![]() | 1446 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hyperflash™ks | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-VBGA | S26KS512 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,690 | 166 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 96 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S79FL256SDSMFVG01 | 10.0700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S79FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 235 | 80 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cy8C4146FNI-S423T | 2.5200 | ![]() | 4364 | 0.00000000 | Infineon Technologies | PSOC®4CY8C4100S | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 35-XFBGA 、WLCSP | Cy8C4146 | 35-wlcsp(2.11x2.6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 2,000 | 31 | ARM®Cortex®M0+ | 32ビットシングルコア | 48MHz | i²c、irda、linbus | Brown-Out検出/リセットCapsense | 64kb(64k x 8) | フラッシュ | - | 8k x 8 | 1.71V〜5.5V | A/D 16x10B D/A 2XIDAC | 内部 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S25FL128SAGMFBR00 | 5.6300 | ![]() | 2703 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,400 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S25FL256LAGBHI020 | 6.6400 | ![]() | 459 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-l | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S25FL256LAGNFI010 | 6.6400 | ![]() | 668 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-l | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S25FL256SAGMFM000 | 9.7500 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S25FS512SDSMFV010 | 9.4325 | ![]() | 1989年年 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FS-S | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FS512 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,400 | 80 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S26KS512SDABHN030 | 17.9025 | ![]() | 8786 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hyperflash™ks | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-VBGA | S26KS512 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,690 | 100 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 96 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S27KS0641DPBHB020 | - | ![]() | 9335 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-VBGA | S27KS0641 | psram(pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | -S27KS0641DPBHB020 | ear99 | 8542.32.0002 | 1,690 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 40 ns | psram | 8m x 8 | 平行 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLE62513GXUMA2 | 3.1100 | ![]() | 1237 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | - | 表面マウント | 14-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | トランシーバー | TLE62513 | 4.75v〜5.25V | PG-DSO-14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2a (4 週間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | カンバス | 1/1 | 半分 | 100 mV | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IR3883MTRPBF | 1.7500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Supirbuck® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 16-POWERVFQFN | IR3883 | 14V | 調整可能 | 16-PQFN(3x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 降圧 | 1 | バック | 800kHz | ポジティブ | はい | 3a | 0.5V | 5V | 2.5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY15B064J-SXE | 5.7200 | ![]() | 42 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive、AEC-Q100 f-Ram™ | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | CY15B064 | フラム(強誘電性ラム) | 3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 970 | 1 MHz | 不揮発性 | 64kbit | フラム | 8k x 8 | i²c | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cy15e004q-sxet | 1.6187 | ![]() | 1922年年 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive、AEC-Q100 f-Ram™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | Cy15E004 | フラム(強誘電性ラム) | 4.5v〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | SP005650543 | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 16 MHz | 不揮発性 | 4kbit | フラム | 512 x 8 | spi | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FM25L04B-GA4 | - | ![]() | 3637 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive、AEC-Q100 f-Ram™ | チューブ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | FM25L04 | フラム(強誘電性ラム) | 3V〜3.6V | 8-SOIC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 100 | 不揮発性 | 4kbit | フラム | 512 x 8 | spi | - |
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