画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
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![]() | Hy27US08281A-TPCB | 2.2500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Sk Hynix | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C | 表面マウント | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | 3277-HY27US08281A-TPCB | ear99 | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | 平行 | 確認されていません | |||||||
![]() | hy27ut084g2a-tpcb | 4.9000 | ![]() | 960 | 0.00000000 | Sk Hynix | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C | 表面マウント | フラッシュ-nand (mlc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | 3277-HY27UT084G2A-TPCB | ear99 | 8542.32.0071 | 192 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | 確認されていません | |||||||
![]() | H5ANAG8NCJR-XNC | 6.9500 | ![]() | 250 | 0.00000000 | Sk Hynix | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 2655-H5ANAG8NCJR-XNCTR | ear99 | 160 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 2g x 8 | - | - |
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