画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | アプリケーション | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 特徴 | 基本製品番号 | 入力タイプ | 現在 -供給 | 出力タイプ | 回路の数 | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | ロジックタイプ | 要素の数 | 要素ごとのビット数 | 電流 -出力が高く、低い | 関数 | 現在 -静止(最大) | 入力数 | i/oの数 | コアプロセッサ | コアサイズ | スピード | 接続性 | 周辺機器 | プログラムメモリサイズ | プログラムメモリタイプ | eepromサイズ | ラムサイズ | 電圧 -供給( vcc/vdd) | データコンバーター | オシレータータイプ | コア/バス幅の数 | 共同プロセッサ/dsp | ラムコントローラー | グラフィックの加速 | ディスプレイとインターフェイスコントローラー | イーサネット | サタ | USB | 電圧-i/o | セキュリティ機能 | 追加のインターフェイス | クロック周波数 | 出力数 | 電圧供給源 | トリガータイプ | Max Propagation Delay @ V | 現在 -静止(IQ) | 入力容量 | 入力ロジックレベル -低い | 入力ロジックレベル -高 | 回路 | 独立した回路 | トポロジー | 周波数 -切り替え | LEDドライバー付き | 監督官 | w/sequencer | sicプログラム可能 |
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![]() | 74HCT4040DB 、112 | 0.2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74HCT4040 | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-74HCT4040DB 、112-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74LV04PW、112 | 0.1100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74LV04 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-74LV04PW、112-954 | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74AUP1G79GM 、132 | 0.0800 | ![]() | 154 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74aup | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 6-xfdfn | dタイプ | 74AUP1G79 | 非反転 | 0.8V〜3.6V | 6-XSON | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-74AUP1G79GM、132-954 | 3,963 | 1 | 1 | 4ma 、4ma | 標準 | 309 MHz | ポジティブエッジ | 5.8ns @ 3.3V 、30pf | 500 Na | 0.8 pf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74AUP1GU04GS、132 | 0.1500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74aup | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 6-xfdfn | - | 74AUP1GU04 | 1 | 0.8V〜3.6V | 6-XSON | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-74AUP1GU04GS 、132-954 | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | インバーター | 4ma 、4ma | 500 Na | 1 | 4.3NS @ 3.3V 、30pf | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74HCT32D 、652 | 0.1000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74HCT32 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-74HCT32D 、652-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74LVCH1T45GS、132 | 0.1200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74LVCH1T45 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-74LVCH1T45GS、132-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74HCT04D 、652 | 0.0900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74HCT04 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-74HCT04D 、652-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC68HC98LJ12CFUE | - | ![]() | 5279 | 0.00000000 | NXP半導体 | HC08 | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-QFP | MC68HC98 | 64-QFP(14x14 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-MC68HC98LJ12CFUE-954 | ear99 | 8542.31.0001 | 1 | 54 | M68HC08 | 8ビット | 8MHz | i²c、irsci、 spi | LCD 、LVD | 12kb( 12k x 8) | フラッシュ | - | 512 x 8 | 3V〜5.5V | A/D 6x10B SAR | 外部、内部 | 確認されていません | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | K9S08SG16E1MTG | 2.0800 | ![]() | 400 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | K9S08 | - | 未定義のベンダー | 未定義のベンダー | 2156-K9S08SG16E1MTG-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74AUP1G74GD、125 | 0.1400 | ![]() | 191 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74aup | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-xfdfn | dタイプ | 74AUP1G74 | 相補的 | 0.8V〜3.6V | 8-xson (2x3) | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-74AUP1G74GD、125-954 | 1 | 1 | 1 | 4ma 、4ma | セット(プリセット)とリセット | 315 MHz | ポジティブエッジ | 5.8ns @ 3.3V 、30pf | 500 Na | 0.6 pf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74LVC2G07GXZ | 0.0700 | ![]() | 110 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74LVC | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 6-xfdfn | 74LVC2G07 | - | ドレインを開いてください | 1.65V〜5.5V | 6-X2SON(1.0x0.8 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-74LVC2G07GXZ-954 | ear99 | 8542.39.0001 | 4,287 | バッファー、非反転 | 2 | 1 | -、32ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74LVC157AD 、118 | 0.1200 | ![]() | 45 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74LVC | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 16-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | マルチプレクサ | 74LVC157 | 1.2V〜3.6V | 16-SO | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-74LVC157AD 、118-954 | 1 | 24ma 、24ma | 単一の供給 | 4 x 2:1 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74LV4060DB 、112 | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74LV4060 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-74LV4060DB 、112-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74HCT365D 、652 | 0.2400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74HCT | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 74HCT365 | - | 3状態 | 4.5v〜5.5V | 16-SO | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-74HCT365D 、652-954 | 1 | バッファー、非反転 | 1 | 6 | 6ma 、6ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74LVT245D 、118 | 0.2600 | ![]() | 9005 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74lvt | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 20-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | 74LVT245 | - | 3状態 | 2.7V〜3.6V | 20-SO | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-74LVT245D 、118-954 | 1 | トランシーバー、非反転 | 1 | 8 | 32ma 、64ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74lvt640pw、118 | 0.8000 | ![]() | 199 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74lvt | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 20-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 74LVT640 | - | 3状態 | 2.7V〜3.6V | 20-tssop | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-74LVT640PW 、118-954 | 1 | トランシーバー、反転 | 1 | 8 | 32ma 、64ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74LVT241D 、112 | 0.2200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74lvt | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 20-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | 74LVT241 | - | 3状態 | 2.7V〜3.6V | 20-SO | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-74LVT241D 、112-954 | 1 | バッファー、非反転 | 2 | 4 | 32ma 、64ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74LVC240AD 、118 | - | ![]() | 3634 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74LVC | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 20-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | 74LVC240 | - | 3状態 | 1.2V〜3.6V | 20-SO | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-74LVC240AD 、118-954 | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | バッファ、反転 | 2 | 4 | 24ma 、24ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74LVC1G332GXZ | 0.0700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74LVC1G332 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-74LVC1G332GXZ-954 | ear99 | 8542.39.0001 | 4,351 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S9S08AW16E7MFGE | - | ![]() | 9032 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 44-LQFP | S9S08 | 44-lqfp(10x10) | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-S9S08AW16E7MFGE | 3A991 | 8542.31.0001 | 1 | 34 | HCS08 | 8ビット | 40MHz | i²c、sci、spi | LVD | 16kb(16k x 8) | フラッシュ | - | 1k x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 8x10B SAR | 外部、内部 | 確認されていません | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC9RS08KA4CTG | 1.2100 | ![]() | 8482 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | MC9RS08 | 16-tssop | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-MC9RS08KA4CTG-954 | ear99 | 8542.31.0001 | 1 | 14 | RS08 | 8ビット | 20MHz | i²c | LVD | 4kb (4k x 8) | フラッシュ | - | 126 x 8 | 1.8V〜5.5V | A/D 12x10B SAR | 内部 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC34PF1510A7EP | 2.4800 | ![]() | 490 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 40-VFQFN露出パッド | 4.1V〜6V | 40-HVQFN (5x5) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-MC34PF1510A7EP | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 6 | ステップダウン(バック)( 3 | 2MHz | いいえ | いいえ | はい | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74ABT245D 、623 | 0.2900 | ![]() | 2595 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74ABT | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 20-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | 74ABT245 | - | 3状態 | 4.5v〜5.5V | 20-SO | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-74ABT245D 、623-954 | 1 | トランシーバー、非反転 | 1 | 8 | 32ma 、64ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC34910BAC | 2.5500 | ![]() | 250 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | システムベースチップ | 表面マウント | 32-LQFP | MC34910 | 4.5mA | 5.5V〜18V | 32-lqfp(7x7) | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-MC34910BAC-954 | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LS1027AXN7NQA | 71.6800 | ![]() | 40 | 0.00000000 | NXP半導体 | Qoriq®Layerscape | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 448-BFBGA | 448-FBGA | - | 2156-LS1027AXN7NQA | 5 | ARM®Cortex®-A72 | 1.3GHz | 2 コア、64ビット | - | DDR3L 、DDR4 | はい | - | 1gbps | SATA 6Gbps | USB 3.0(2) | - | セキュアブート、trustzone® | Canbus | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC9S12XDT256MAL | - | ![]() | 4892 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 112-LQFP | MC9S12 | 112-lqfp(20x20) | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-MC9S12XDT256MAL-954 | 3A991 | 8542.31.0001 | 1 | 91 | HCS12X | 16ビット | 80MHz | キャンバス、 ebi/emi | LVD | 256kb(256k x 8) | フラッシュ | 4k x 8 | 16k x 8 | 2.35V〜2.75V | A/D 16x10B SAR | 外部、内部 | 確認されていません | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74HCT02BQ-Q100,115 | - | ![]() | 9715 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74HCT02 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-74HCT02BQ-Q100,115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74HC32DB 、112 | 0.1700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74HC32 | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-74HC32DB 、112-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74HCU04BQ-Q100X | - | ![]() | 6184 | 0.00000000 | NXP半導体 | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 14-VFQFN露出パッド | - | 6 | 2V〜6V | 14-DHVQFN (2.5x3 | - | 2156-74HCU04BQ-Q100X | 1 | インバーター | 5.2ma 、5.2ma | 2 µA | 6 | 12NS @ 6V 、50pf | 0.3V〜1.2V | 1.4V〜3.4V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | M68LC302CAF16VCT | - | ![]() | 7479 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 100-lqfp(14x14) | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-M68LC302CAF16VCT | 3A991 | 8542.31.0001 | 1 | 68000 | 16.67MHz | 1 コア、 8 ビット、16ビット | コミュニケーション; RISC CPM | ドラム | いいえ | - | - | - | - | 3.3V | - | gci、idl |
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