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統合サーキット（ICS ）（1935）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	特徴	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	出力タイプ	回路の数	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	ロジックタイプ	要素の数	要素ごとのビット数	電流 -出力が高く、低い	関数	現在 -静止（最大）	入力数	i/oの数	コアプロセッサ	コアサイズ	スピード	接続性	周辺機器	プログラムメモリサイズ	プログラムメモリタイプ	eepromサイズ	ラムサイズ	電圧 -供給（ vcc/vdd）	データコンバーター	オシレータータイプ	Max Output Power X Channels @ Load	インタフェース	コア/バス幅の数	共同プロセッサ/dsp	ラムコントローラー	グラフィックの加速	ディスプレイとインターフェイスコントローラー	イーサネット	サタ	USB	電圧-i/o	セキュリティ機能	追加のインターフェイス	クロック周波数	電圧供給源	トリガータイプ	Max Propagation Delay @ V	現在 -静止（IQ）	入力容量	入力ロジックレベル -低い	入力ロジックレベル -高	回路	独立した回路	出力構成	現在 -出力	電圧 -負荷	モータータイプ -ステッパー	モータータイプ-ac 、dc	ステップ解決	sicプログラム可能
MKV10Z16VLF7	-	RFQ	6953	NXP半導体	*	バルク	アクティブ														-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-MKV10Z16VLF7-954			1
74LVCH16224444ADGG：1	0.3000	RFQ	7	NXP半導体	74lvch	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ		表面マウント	48-tfsop （0.240 "、幅6.10mm）			74LVCH162244	-		3状態		1.2V〜3.6V	48-tssop	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-74LVCH162244444444444444444444444444	ear99	8542.39.0001	1	バッファー、非反転	4	4	12ma、12ma
MC908QY2AMDWER	-	RFQ	5384	NXP半導体	HC08	バルク	廃止	-40°C〜125°C（タタ		表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）			MC908						16-SOIC	-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-MC908QY2AMDWER-954	3A991	8542.31.0001	1								13	M68HC08	8ビット	8MHz	-	LVD	1.5kb（1.5kx 8）	フラッシュ	-	128 x 8	2.7V〜5.5V	A/D 4x8B SAR	内部
74ABT125D 、623	0.1800	RFQ	3	NXP半導体	74ABT	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	14-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			74ABT125	-		3状態		4.5v〜5.5V	14-SO	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-74ABT125D 、623-954		0000.00.0000	1	バッファー、非反転	4	1	32ma 、64ma
LPC1788FET180,551	-	RFQ	7437	NXP半導体	LPC178X	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	180-tfbga									180-TFBGA	-				2156-LPC1788FET180,551			1								141	ARM®Cortex®M3	32ビット	120MHz	canbus、ebi/emi	ブラウンアウト検出/リセット、 dma	512kb （512k x 8）	フラッシュ	4k x 8	96k x 8	2.4V〜3.6V	A/D 8x12B SAR; D/A 1x10B	内部
CBT3245apw、112	-	RFQ	7600	NXP半導体	74CBT	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C		表面マウント	20-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）	バススイッチ		CBT3245					4V〜5.5V	20-tssop	ダウンロード						0000.00.0000	1				-																															単一の供給							8 x 1：1	1
MKL46Z256VMP4	-	RFQ	4285	NXP半導体	-	バルク	廃止	-40°C〜105°C（Ta）		表面マウント	64-LFBGA			MKL46Z256						64-mapbga	-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-MKL46Z256VMP4	3A991	8542.31.0001	1								50	ARM®Cortex®M0+	32ビット	48MHz	i²c、 sai	dma	256kb（256k x 8）	フラッシュ	-	32k x 8	1.71V〜3.6V	A/D 16B SAR; D/A 1x12B	内部																														確認されていません
74HC126D 、652	0.1400	RFQ	4064	NXP半導体	-	バルク	廃止	-40°C〜125°C（タタ		表面マウント	14-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			74HC126	-		3状態		2V〜6V	14-SO	-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-74HC126D 、652-954	ear99	8542.39.0001	1	バッファー、非反転	4	1	7.8ma 、7.8ma
74LVC1G32GM 、115	0.0700	RFQ	208	NXP半導体	*	バルク	アクティブ							74LVC1G32							ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-74LVC1G32GM、115-954			4,459
MC33771ATP5AE551	24.1300	RFQ	160	NXP半導体	-	バルク	廃止														-				2156-MC33771ATP5AE551			13
SAF3555HV/N151	26.0000	RFQ	900	NXP半導体	*	バルク	アクティブ														ダウンロード		未定義のベンダー	未定義のベンダー	2156-SAF3555HV/N151-954			1
74HC153D 、652	0.1700	RFQ	18	NXP半導体	74hc	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C		表面マウント	16-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	マルチプレクサ		74HC153					2V〜6V	16-SO	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない				1				5.2ma 、5.2ma																															単一の供給							2 x 4：1	1
74AUP1T45GS、132	0.1100	RFQ	89	NXP半導体	74aup	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ		表面マウント	6-xfdfn			74AUP1T45	-		3状態		1.1V〜3.6V	6-XSON	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-74AUP1T45GS 、132-954	ear99	8542.39.0001	1	トランシーバー、非反転	1	1	4ma 、4ma
TDA8595SD/N2S/S10、	7.6900	RFQ	912	NXP半導体	-	バルク	廃止	-40°C〜105°C（Ta）		穴を通して	27-SSIP 、形成されたリード	-	-				4 チャンネル（ Quad）		8V〜18V	RDBS27P	-	ROHS非準拠		影響を受けていない	2156-TDA8595SD/N2S/S10、	ear99	8542.33.0001	1																					64w x 4 @ 2ohm
74AVC2T45GT 、115	-	RFQ	5401	NXP半導体	*	バルク	アクティブ							74AVC2T45							ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-74AVC2T45GT 、115-954			1
74LVC574ADB 、112	0.2200	RFQ	1	NXP半導体	74LVC	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ		表面マウント	20-SSOP （0.209 "、幅5.30mm）	dタイプ		74LVC574			3 つの状態、非反転		1.65v〜3.6V	20ソップ	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-74LVC574ADB 、112-954	ear99	8542.39.0001	1		1	8	24ma 、24ma	標準																													200 MHz		ポジティブエッジ	7NS @ 3.3V 、50pf	10 µA	5 pf
74AUP1G98GM、132	-	RFQ	2812	NXP半導体	*	バルク	アクティブ							74AUP1G98							ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-74AUP1G98GM、132-954			1
74AUP1G126GN、132	0.1400	RFQ	5	NXP半導体	74aup	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ		表面マウント	6-xfdfn			74AUP1G126	-		3状態		0.8V〜3.6V	6-xson （0.9x1）	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-74AUP1G126GN、132-954	ear99	8542.39.0001	1	バッファー、非反転	1	1	4ma 、4ma
74LVT125D 、112	0.1500	RFQ	49	NXP半導体	74lvt	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	14-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			74LVT125	-		3状態		2.7V〜3.6V	14-SO	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-74LVT125D 、112-954			1	バッファー、非反転	4	1	32ma 、64ma
74HCT02D 、652	0.1100	RFQ	63	NXP半導体	-	バルク	廃止	-40°C〜125°C		表面マウント	14-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		-	74HCT02				4	4.5v〜5.5V	14-SO	ダウンロード	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-74HCT02D 、652-954	ear99	8542.39.0001	1	ゲートも			4ma 、5.2ma		2 µA	2																														19ns @ 4.5V 、50pf			0.8V	2V
74AUP1G07GM 、132	0.0800	RFQ	73	NXP半導体	74aup	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ		表面マウント	6-xfdfn			74AUP1G07	-		ドレインを開いてください		0.8V〜3.6V	6-XSON	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-74AUP1G07GM、132-954			3,963	バッファー、非反転	1	1	-、4ma
MCF5274LVM166	-	RFQ	3022	NXP半導体	-	バルク	廃止	0°C〜70°C（Ta）		表面マウント	196-lbga			MCF5274						196-pbga （15x15	-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-MCF5274LVM166-954	5A992	8542.31.0001	1									Coldfire V2	32ビット	166MHz	ebi/emi	dma wdt	-	ロンレス	-	64k x 8	1.4V〜1.6V	-	外部、内部																														確認されていません
SPC5748GGK1MMJ6R	-	RFQ	6079	NXP半導体	MPC57XX	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ		表面マウント	256-lbga									256-MAPPBGA	-				2156-SPC5748GGK1MMJ6R			1								178	E200Z2 、E200Z4	32ビットトライコア	80MHz 、160MHz、160MHz	CANBUS	DMA 、LVD	6MB （6m x 8）	フラッシュ	-	768k x 8	1.08V〜1.32V	A/D 80x10b 、64x12b sar	内部
CBT3245AD 、118	0.1700	RFQ	3	NXP半導体	74CBT	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C		表面マウント	20-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	バススイッチ		CBT3245					4V〜5.5V	20-SO	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-CBT3245AD 、118-954			1				-																															単一の供給							8 x 1：1	1
SPC5602BF2VLL4	-	RFQ	8701	NXP半導体	MPC56XX Qorivva	バルク	廃止	-40°C〜105°C（Ta）		表面マウント	100-lqfp			SPC5602						100-lqfp（14x14）	-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-SPC5602BF2VLL4	3A991	8542.31.0001	1								79	E200Z0H	32ビット	48MHz	Canbus	dma	256kb（256k x 8）	フラッシュ	64k x 8	24k x 8	3V〜5.5V	A/D 28x10B SAR	外部、内部
74LVT125PW、112	0.1500	RFQ	37	NXP半導体	74lvt	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	14-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）			74LVT125	-		3状態		2.7V〜3.6V	14-tssop	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-74LVT125PW、112-954			1	バッファー、非反転	4	1	32ma 、64ma
74AHC1G125GM、132	-	RFQ	4227	NXP半導体	74AHC	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ		表面マウント	6-xfdfn			74AHC1G125	-		3状態		2V〜5.5V	6-xson （1.45x1）	ダウンロード						0000.00.0000	1	バッファー、非反転	1	1	8ma 、8ma
MC34GD3000EP	5.6800	RFQ	208	NXP半導体	aec-q100	バルク	アクティブ	-20°C〜105°C（TA）	汎用	表面マウント	56-VFQFN露出パッド					Power Mosfet			6V〜58V	56-QFN （8x8）	-				2156-MC34GD3000EP			53					コントローラー -整流、方向管理																	spi																						ハーフブリッジ（ 3）	-	6V〜58V	多相	dc （bldc）	-
MC9S08JM32CGT	-	RFQ	5913	NXP半導体	-	バルク	廃止	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	48-VFQFN露出パッド			MC9S08						48-QFN （7x7）	ダウンロード	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-MC9S08JM32CGT-954	ear99	8542.31.0001	1								37	HCS08	8ビット	48MHz	i²c、 linbus	LVD	32kb（32k x 8）	フラッシュ	-	2k x 8	2.7V〜5.5V	A/D 8x12B SAR	外部、内部
MCIMX6Q4AVT10AE	-	RFQ	5492	NXP半導体	i.mx6	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C		表面マウント	624-FBGA fcbga									624-FCBGA	-				2156-MCIMX6Q4AVT10AE			1									ARM®Cortex®-A9		1GHz												4 コア、32ビット	マルチメディア; Neon™Simd	DDR3	はい	hdmi	10/100/1000Mbps	SATA 3GBPS	USB 2.0 + PHY（3 ）、USB2.0 OTG + PHY（1）	1.8v	アームtz	Canbus