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統合サーキット（ICS ）（1935）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | アプリケーション | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | 出力タイプ | sicプログラム可能 | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | ロジックタイプ | 要素の数 | 要素ごとのビット数 | 電流 -出力が高く、低い | 関数 | i/oの数 | コアプロセッサ | コアサイズ | スピード | 接続性 | 周辺機器 | プログラムメモリサイズ | プログラムメモリタイプ | eepromサイズ | ラムサイズ | 電圧 -供給（ vcc/vdd） | データコンバーター | オシレータータイプ | コア/バス幅の数 | 共同プロセッサ/dsp | ラムコントローラー | グラフィックの加速 | ディスプレイとインターフェイスコントローラー | イーサネット | サタ | USB | 電圧-i/o | セキュリティ機能 | 追加のインターフェイス | クロック周波数 | メモリタイプ | 電圧供給源 | メモリサイズ | トリガータイプ | Max Propagation Delay @ V | 現在 -静止（IQ） | アクセス時間 | 入力容量 | 回路 | 独立した回路 | 遅延時間 -伝播 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TEF7000AHN/V1K | 4.1600 |  | 27 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | 廃止 | - | 表面マウント | 48-VFQFN露出パッド | - | 確認されていません | 48-HVQFN （7x7） | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-TEF7000AHN/V1K | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| T2081NXE8P1B | 313.0100 | | 60 | 0.00000000 | NXP半導体 | Qoriq T2 | バルク | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 780-BFBGA | 780-FBGA （23x23） | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-T2081NXE8P1B | 5A002 | 8542.31.0001 | 1 | PowerPC E6500 | 1.533GHz | 8 コア、64ビット | - | ddr3、ddr3l | いいえ | - | 1gbps （8）、2.5gbps（4）、10gbps（4） | SATA 3GBPS | USB 2.0 + phy（2） | - | ブートセキュリティ、暗号化、セキュアヒューズボックス、セキュアデバッグ、改ざん検出、揮発性キーストレージ | i²c、mmc/sd、pcie、rapidio、spi、 uart | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 74HC21D 、653 | - | | 7446 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74HC21 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74HC21D 、653-954 | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 74HCT597D 、652 | - | | 4140 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74HCT597 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74HCT597D 、652-954 | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 74lv132pw、118 | 0.1000 | | 7 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74LV132 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74LV132PW 、118-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 74LVC1G74GM 、125 | 0.0900 | | 179 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74LVC | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-XFQFN露出パッド | dタイプ | 74LVC1G74 | 相補的 | 1.65V〜5.5V | 8-XQFN （1.6x1.6 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74LVC1G74GM、 125-954 | 1 | 1 | 1 | 32MA、32MA | セット（プリセット）とリセット | 200 MHz | ポジティブエッジ | 4.1ns @ 5V 、50pf | 40 µA | 4 pf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 74AUP2G3404GF 、125 | 0.1700 | | 142 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74aup | バルク | アクティブ | 74AUP2G3404 | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-74AUP2G3404GF 、125-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 74LVCH162373ADL 、112 | 0.4400 | | 1 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74lvch | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 48-BSSOP （0.295 "、幅7.50mm） | 74LVCH162373 | トライステート | 1.2V〜3.6V | 48スソップ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-74LVCH162373ADL 、112-954 | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | dタイプの透明ラッチ | 12ma、12ma | 8：8 | 2 | 3.3ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPC8569VJANKGB | 175.6000 | | 30 | 0.00000000 | NXP半導体 | MPC85XX | バルク | 廃止 | 0°C〜105°C（TA） | 表面マウント | 783-BBGA 、FCBGA | 783-FCPBGA （29x29） | - | 2156-MPC8569VJANKGB | 2 | PowerPC E500V2 | 800MHz | 1 コア、 32ビット | コミュニケーション; quiccエンジン | ddr2、ddr3、SDRAM | いいえ | - | 10/100Mbps | - | USB 2.0（1） | 1V 、1.5V、1.8V 、2.5V 3.3V | - | duart 、hssi、i²c、mmc/sd、pci | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LPC54S016JET100E | 7.0000 | | 520 | 0.00000000 | NXP半導体 | LPC540xx | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 100-TFBGA | 100-TFBGA | - | 2156-LPC54S016JET100E | 43 | 64 | ARM®Cortex®M4 | 32ビット | 180MHz | CANBUS 、EBI/EMI | ブラウンアウト検出/リセット、 dma | - | ロンレス | - | 360k x 8 | 1.71V〜3.6V | A/D 12x12B SAR | 外部、内部 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 74HC374DB 、112 | 0.2000 | | 7 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74hc | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 20-SSOP （0.209 "、幅5.30mm） | dタイプ | 74HC374 | 3 つの状態、非反転 | 2V〜6V | 20ソップ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-74HC374DB 、112-954 | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 1 | 8 | 7.8ma 、7.8ma | 標準 | 83 MHz | ポジティブエッジ | 28ns @ 6V 、50pf | 4 µA | 3.5 pf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LVC1G157GM 、115 | 0.0700 | | 30 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74LVC | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 6-xfdfn | マルチプレクサ | 74LVC1G157 | 1.65V〜5.5V | 6-XSON | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74LVC1G157GM、115-954 | 4,459 | 32MA、32MA | 単一の供給 | 1 x 2：1 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 74ALVCH16373DGG：11 | 0.4400 | | 5 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74ALVCH16373 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74AlvCH16373DGG：11-954 | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LV4066PW 、112 | 0.1700 | | 12 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74LV4066PW 、112-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC9RS08KA8CPG | - | | 3231 | 0.00000000 | NXP半導体 | S08 | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 穴を通して | 16-dip （0.300 "、7.62mm） | 16-pdip | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-MC9RS08KA8CPG-954 | 1 | 12 | RS08 | 8ビット | 20MHz | i²c | LVD | 8kb（8k x 8） | フラッシュ | - | 254 x 8 | 1.8V〜5.5V | A/D 8x10B SAR | 内部 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 74HCT85DB 、112 | 0.2900 | | 2493 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74HCT85 | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-74HCT85DB 、112-954 | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LVC1G58GF 、132 | 0.0700 | | 4 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74LVC1G58 | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-74LVC1G58GF、132-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NXH2280UK/C1012 | 9.4100 | | 78 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | 廃止 | - | 2156-NXH2280UK/C1012 | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S908AS60AE2CFNE | - | | 7397 | 0.00000000 | NXP半導体 | HC08 | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 52-lcc | 52-plcc （19.13x19.13 | - | 2156-S908AS60AE2CFNE | 1 | 40 | M68HC08 | 8ビット | - | Canbus | LVD | 60kb（60k x 8） | フラッシュ | 1k x 8 | 2k x 8 | 4.5v〜5.5V | A/D 15x8B SAR | 外部、内部 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LPC12D27FBD100/301 | 5.2100 | | 1 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | LPC12 | 100-lqfp（14x14） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-LPC12D27FBD100/301 | 3A991 | 8542.31.0001 | 1 | 40 | ARM®Cortex®M0 | 32ビット | 45MHz | i²c、Irda | ブラウンアウト検出/リセット、 dma | 128kb（ 128k x 8） | フラッシュ | - | 8k x 8 | 3V〜3.6V | A/D 8x10B | 外部、内部 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LPC844M201JBD48K | 1.5500 | | 250 | 0.00000000 | NXP半導体 | LPC84X | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 48-LQFP | LPC844 | 48-lqfp（7x7） | - | 2156-LPC844M201JBD48K | 250 | 42 | ARM®Cortex®M0+ | 32ビット | 30MHz | i²c、 spi、uart/usart | ブラウンアウト検出/リセット、キャップセンス、 dma | 64kb（64k x 8） | フラッシュ | - | 8k x 8 | 1.8V〜3.6V | A/D 12x12B SAR | 外部、内部 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC9S08AW16CFUE | - | | 5942 | 0.00000000 | NXP半導体 | S08 | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-QFP | 64-QFP（14x14 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-MC9S08AW16CFUE-954 | 1 | 54 | HCS08 | 8ビット | 40MHz | i²c、sci、spi | LVD | 16kb（16k x 8） | フラッシュ | - | 1k x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 16x10B SAR | 内部 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 74HCT595PW、112 | - | | 4268 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74HCT595 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74HCT595PW 、112-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S25FL164K0XNFI011 | - | | 7054 | 0.00000000 | NXP半導体 | 自動車、AEC-Q100 、FL1-K | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson | - | 2156-S25FL164K0XNFI011 | 1 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KC13213 | 6.5600 | | 250 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | - | 2156-KC13213 | 46 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 74LVC1G175GV、 125 | - | | 2450 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74LVC | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | SC-74、SOT-457 | dタイプ | 74LVC1G175 | 非反転 | 1.65V〜5.5V | 6-tsop | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74LVC1G175GV、 125-954 | 1 | 1 | 1 | 32MA、32MA | リセット | 200 MHz | ポジティブエッジ | 4NS @ 5V、50pf | 40 µA | 2.5 pf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 74ALVT16827DGG 、118 | - | | 3969 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74alvt | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.240 "、幅 6.10mm） | - | 3状態 | 2.3V〜3.6V | 56-tssop | - | 2156-74ALVT16827DGG 、118 | 1 | バッファー、非反転 | 2 | 10 | 32ma 、64ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPC8548VJAQGD | 212.4100 | | 24 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | 廃止 | 0°C〜105°C（TA） | 表面マウント | 783-BBGA 、FCBGA | 783-FCPBGA （29x29） | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-MPC8548VJAQGD-954 | 3A991 | 8542.31.0001 | 1 | PowerPC E500 | 1GHz | 1 コア、 32ビット | 信号処理; spe 、セキュリティ;秒 | ddr 、DDR2、SDRAM | いいえ | - | 10/100/1000Mbps | - | - | 1.8v | AES 、暗号化、カスミ、乱数ジェネレーター | duart、i²c、 pci、rapioio | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74AUP1G157GF 、132 | 0.1400 | | 15 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74aup | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 6-xfdfn | マルチプレクサ | 74AUP1G157 | 0.8V〜3.6V | 6-XSON 、SOT891 | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-74AUP1G157GF 、132-954 | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 4ma 、4ma | 単一の供給 | 1 x 2：1 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC9S08AW48CFDE | - | | 7118 | 0.00000000 | NXP半導体 | S08 | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-VFQFN露出パッド | 48-qfn-ep（ 7x7） | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-MC9S08AW48CFDE-954 | 1 | 38 | HCS08 | 8ビット | 40MHz | i²c、sci、spi | LVD | 48kb（48k x 8） | フラッシュ | - | 2k x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 8x10B SAR | 内部 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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