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統合サーキット（ICS ）（1935）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	特徴	基本製品番号	入力タイプ	チャネルの数	電圧 -入力（最大）	出力タイプ	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	ロジックタイプ	要素の数	要素ごとのビット数	電流 -出力が高く、低い	関数	-3db帯域幅	i/oの数	コアプロセッサ	コアサイズ	スピード	接続性	周辺機器	プログラムメモリサイズ	プログラムメモリタイプ	eepromサイズ	ラムサイズ	電圧 -供給（ vcc/vdd）	データコンバーター	オシレータータイプ	スイッチ回路	Multiplexer/Demultiplexer回路	オンステートレジスタンス（最大）	電圧 -供給、シングル（ V+）	電圧 -供給、デュアル（ v±）	コア/バス幅の数	共同プロセッサ/dsp	ラムコントローラー	グラフィックの加速	ディスプレイとインターフェイスコントローラー	イーサネット	サタ	USB	電圧-i/o	セキュリティ機能	追加のインターフェイス	クロック周波数	出力数	電圧供給源	トリガータイプ	Max Propagation Delay @ V	現在 -静止（IQ）	入力容量	回路	独立した回路	遅延時間 -伝播	トポロジー	周波数 -切り替え	出力構成	同期整流器	現在 -出力	電圧 -min/固定）	電圧 -出力（最大）	電圧 -入力（最小）
74HCT138PW、118	0.1200	RFQ	3	NXP半導体	74HCT	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C		表面マウント	16-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）	デコーダー/Demultiplexer		74HCT138					4.5v〜5.5V	16-tssop	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-74HCT138PW、118-954			2,533				4ma 、4ma																																		単一の供給					1 x 3：8	1
MC9S12XHZ512CAL	-	RFQ	1074	NXP半導体	HCS12X	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	112-LQFP									112-lqfp（20x20）	-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-MC9S12XHZ512CAL-954			1							85	HCS12X	16ビット	80MHz	キャンバス、 ebi/emi	LCD 、LVD	512kb （512k x 8）	フラッシュ	4k x 8	32k x 8	4.5v〜5.5V	A/D 16x10B SAR	外部、内部
74lv132pw、118	0.1000	RFQ	7	NXP半導体	*	バルク	アクティブ							74LV132							ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-74LV132PW 、118-954			1
74LVC1G74GM 、125	0.0900	RFQ	179	NXP半導体	74LVC	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ		表面マウント	8-XFQFN露出パッド	dタイプ		74LVC1G74				相補的	1.65V〜5.5V	8-XQFN （1.6x1.6	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-74LVC1G74GM、 125-954			1		1	1	32MA、32MA	セット（プリセット）とリセット																															200 MHz			ポジティブエッジ	4.1ns @ 5V 、50pf	40 µA	4 pf
PCA9412Aukz	0.6000	RFQ	5	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	9-ufbga、wlcsp						5.25V	修理済み		9-wlcsp（1.24x1.24）	-				2156-PCA9412Aukz			503					ステップアップ																																1									ブースト	3MHz	ポジティブ	はい	300mA	5.4V	-	2.5V
74AUP2G3404GF 、125	0.1700	RFQ	142	NXP半導体	74aup	バルク	アクティブ							74AUP2G3404							ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-74AUP2G3404GF 、125-954			1
74LVCH162373ADL 、112	0.4400	RFQ	1	NXP半導体	74lvch	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C		表面マウント	48-BSSOP （0.295 "、幅7.50mm）			74LVCH162373				トライステート	1.2V〜3.6V	48スソップ	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-74LVCH162373ADL 、112-954	ear99	8542.39.0001	1	dタイプの透明ラッチ			12ma、12ma																																							8：8	2	3.3ns
74HC374DB 、112	0.2000	RFQ	7	NXP半導体	74hc	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ		表面マウント	20-SSOP （0.209 "、幅5.30mm）	dタイプ		74HC374				3 つの状態、非反転	2V〜6V	20ソップ	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-74HC374DB 、112-954	ear99	0000.00.0000	1		1	8	7.8ma 、7.8ma	標準																															83 MHz			ポジティブエッジ	28ns @ 6V 、50pf	4 µA	3.5 pf
74LVC1G157GM 、115	0.0700	RFQ	30	NXP半導体	74LVC	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C		表面マウント	6-xfdfn	マルチプレクサ		74LVC1G157					1.65V〜5.5V	6-XSON	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-74LVC1G157GM、115-954			4,459				32MA、32MA																																		単一の供給					1 x 2：1	1
74ALVCH16373DGG：11	0.4400	RFQ	5	NXP半導体	*	バルク	アクティブ							74ALVCH16373							ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-74AlvCH16373DGG：11-954	ear99	8542.39.0001	1
MPC8569VJANKGB	175.6000	RFQ	30	NXP半導体	MPC85XX	バルク	廃止	0°C〜105°C（TA）		表面マウント	783-BBGA 、FCBGA									783-FCPBGA （29x29）	-				2156-MPC8569VJANKGB			2								PowerPC E500V2		800MHz															1 コア、 32ビット	コミュニケーション; quiccエンジン	ddr2、ddr3、SDRAM	いいえ	-	10/100Mbps	-	USB 2.0（1）	1V 、1.5V、1.8V 、2.5V 3.3V	-	duart 、hssi、i²c、mmc/sd、pci
LPC54S016JET100E	7.0000	RFQ	520	NXP半導体	LPC540xx	バルク	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）		表面マウント	100-TFBGA									100-TFBGA	-				2156-LPC54S016JET100E			43							64	ARM®Cortex®M4	32ビット	180MHz	CANBUS 、EBI/EMI	ブラウンアウト検出/リセット、 dma	-	ロンレス	-	360k x 8	1.71V〜3.6V	A/D 12x12B SAR	外部、内部
74LVC1G58GF 、132	0.0700	RFQ	4	NXP半導体	*	バルク	アクティブ							74LVC1G58							ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-74LVC1G58GF、132-954			1
74HCT85DB 、112	0.2900	RFQ	2493	NXP半導体	*	バルク	アクティブ							74HCT85							ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-74HCT85DB 、112-954	ear99	8542.39.0001	1
NXH2280UK/C1012	9.4100	RFQ	78	NXP半導体	-	バルク	廃止														-				2156-NXH2280UK/C1012			32
74LV4066PW 、112	0.1700	RFQ	12	NXP半導体	*	バルク	アクティブ														ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-74LV4066PW 、112-954			1
S908AS60AE2CFNE	-	RFQ	7397	NXP半導体	HC08	バルク	廃止	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	52-lcc									52-plcc （19.13x19.13	-				2156-S908AS60AE2CFNE			1							40	M68HC08	8ビット	-	Canbus	LVD	60kb（60k x 8）	フラッシュ	1k x 8	2k x 8	4.5v〜5.5V	A/D 15x8B SAR	外部、内部
LPC12D27FBD100/301	5.2100	RFQ	1	NXP半導体	-	バルク	廃止	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	100-lqfp			LPC12						100-lqfp（14x14）	ダウンロード	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-LPC12D27FBD100/301	3A991	8542.31.0001	1							40	ARM®Cortex®M0	32ビット	45MHz	i²c、Irda	ブラウンアウト検出/リセット、 dma	128kb（ 128k x 8）	フラッシュ	-	8k x 8	3V〜3.6V	A/D 8x10B	外部、内部
LPC844M201JBD48K	1.5500	RFQ	250	NXP半導体	LPC84X	バルク	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）		表面マウント	48-LQFP			LPC844						48-lqfp（7x7）	-				2156-LPC844M201JBD48K			250							42	ARM®Cortex®M0+	32ビット	30MHz	i²c、 spi、uart/usart	ブラウンアウト検出/リセット、キャップセンス、 dma	64kb（64k x 8）	フラッシュ	-	8k x 8	1.8V〜3.6V	A/D 12x12B SAR	外部、内部
74HCT08D 、652	-	RFQ	2412	NXP半導体	*	バルク	アクティブ							74HCT08							ダウンロード			影響を受けていない	2156-74HCT08D 、652-954			1
74HC132D 、652	-	RFQ	9947	NXP半導体	*	バルク	アクティブ							74HC132							ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-74HC132D 、652-954			1
74HCT574PW、112	-	RFQ	5298	NXP半導体	74HCT	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ		表面マウント	20-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）	dタイプ		74HCT574				3 つの状態、非反転	4.5v〜5.5V	20-tssop	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-74HCT574PW、112-954			1		1	8	6ma 、6ma	標準																															76 MHz			ポジティブエッジ	33NS @ 4.5V 、50pf	8 µA	3.5 pf
74LVC1G08GF 、132	-	RFQ	1370	NXP半導体	74LVC	バルク	アクティブ							74LVC1G08							ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-74LVC1G08GF、 132-954			1
74AUP1Z04GM 、115	0.1500	RFQ	4085	NXP半導体	*	バルク	アクティブ							74AUP1Z04							ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-74AUP1Z04GM、115-954			1
MPC8349CZUAJDB557	-	RFQ	7381	NXP半導体	*	バルク	アクティブ														ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-MPC8349CZUAJDB557-954			1
74LVC1G74GN 、115	0.1200	RFQ	74	NXP半導体	74LVC	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ		表面マウント	8-xfdfn	dタイプ		74LVC1G74				相補的	1.65V〜5.5V	8-xson （1.2x1）	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-74LVC1G74GN 、115-954	ear99	8542.39.0001	1		1	1	32MA、32MA	セット（プリセット）とリセット																															200 MHz			ポジティブエッジ	4.1ns @ 5V 、50pf	40 µA	4 pf
74LVC3G17GN 、115	0.2200	RFQ	78	NXP半導体	74LVC	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ		表面マウント	8-xfdfn			74LVC3G17	シュミットトリガー			プッシュプル	1.65V〜5.5V	8-xson （1.2x1）	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-74LVC3G17GN 、115-954	ear99	8542.39.0001	1	バッファー、非反転	3	1	32MA、32MA
CBTW28DD14ET 、118	1.4800	RFQ	156	NXP半導体	-	バルク	廃止	-10°C〜85°C（Ta）	メモリ	表面マウント	48-TFBGA		ddr2、ddr3、ddr4			1				48-TFBGA （4.5x4.5	-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-CBTW28DD14ET 、118-954	ear99	8542.39.0001	1						2.5GHz														DPST	2：1	10ohm	1.4V〜2V	-
MC9S08MM64CLH	-	RFQ	7881	NXP半導体	S08	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	64-LQFP									64-lqfp（10x10）	-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-MC9S08MM64CLH-954			1							33	HCS08	8ビット	48MHz	i²c、sci、spi、usb	LVD	64kb（64k x 8）	フラッシュ	-	12k x 8	1.8V〜3.6V	A/D 6x16B SAR; D/A 1x12B	外部の
mimx8qp6avuffab	182.4900	RFQ	218	NXP半導体	i.mx8q	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C		表面マウント											-				2156-MIMX8QP6AVUFFAB			2																									7 コア、64ビット	マルチメディア;ネオン	LPDDR4	はい			-		1.8v	a-hab、arm tz	Canbus