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統合サーキット（ICS）（9112）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	特徴	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	現在 -供給	電圧 -入力	チャネルの数	電圧 -入力（最大）	出力タイプ	温度係数	SICプログラム可能	入力	出力	回路の数	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	ロジックタイプ	要素の数	要素ごとのビット数	電流 -出力が高く、低い	関数	スルーレート	-3db帯域幅	現在 -出力 /チャネル	アンプタイプ	帯域幅製品を獲得します	現在 -入力バイアス	電圧 -入力オフセット	電圧 -供給スパン（最小）	電圧 -供給スパン（最大）	ビット数	サンプリングレート（ 1 秒あたり）	入力数	データインターフェイス	構成	比率-S/H：ADC	a/dコンバーターの数	建築	参照タイプ	電圧 -供給、アナログ	電圧 -供給、デジタル	i/oの数	プロトコル	ドライバー/レシーバーの数	二重	レシーバーヒステリシス	データレート	Max Output Power X Channels @ Load	インタフェース	データレート（最大）	遅延時間	信号コンディショニング	静電容量 -入力	プログラム可能なタイプ	マクロセルの数	出力数	遅延時間TPD（1 ）最大	電圧供給 -内部	電圧供給源	現在 -静止（IQ）	現在 -供給（最大）	回路	独立した回路	トポロジー	周波数 -切り替え	制御機能	出力構成	同期整流器	現在 -出力	電圧 -負荷	モータータイプ -ステッパー	モータータイプ-ac 、dc	ステップ解決	電圧 -min/固定）	ノイズ-0.1Hz10Hz	ノイズ-10Hz10kHz	現在 -カソード	電圧 -出力（最大）	電圧 -入力（最小）	規制当局の数	電圧ドロップアウト（最大）	psrr	保護機能
LMV358QDGKR	-	RFQ	8905	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C（タタ		表面マウント	8-TSSOP 、8-MSOP （0.118 "、3.00mm 幅）						210µA				レールからレール					2		8-VSSOP	ダウンロード				ear99	8542.33.0001	1						1V/µs		40 Ma	汎用	1 MHz	15 Na	1.7 mv	2.7 v	5.5 v
SCAN921224SLC/NOPB	7.2300	RFQ	5	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	49-lfbga				LVDS						lvcmos、lvttl						3V〜3.6V	49-nfbga （7x7）	ダウンロード				5A991B1	8542.39.0001	1					デシリアライザー												1														660Mbps									10
DS32EL0124SQX/NOPB	5.9600	RFQ	21	国立半導体	aec-q100	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	48-wfqfn露出パッド				CML						LVDS						2.5V 、3.3V	48-wqfn （7x7）	ダウンロード				5A991B1	8542.39.0001	1					デシリアライザー												1														3.125Gbps									5
LM8342SD	0.4400	RFQ	2	国立半導体	-	バルク	アクティブ			-	表面マウント	10-wfdfn露出パッド	TFT VCOMキャリブレーター											確認されていません					10-wson（3x3）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	8542.39.0001	1,000
DS90CR486VSX/NOPB	12.1000	RFQ	5	国立半導体	µSerdes™	バルク	アクティブ		-10°C〜70°C（Ta）		表面マウント	100-TQFP				LVDS						lvcmos、lvttl						3.14V〜3.46V	100-TQFP（14x14	ダウンロード				5A991B1	8542.39.0001	1					デシリアライザー												8														6.384GBPS									48
LMV101M7	0.3400	RFQ	3	国立半導体	-	バルク	廃止		-40°C〜85°C		表面マウント	5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353						130µA				レールからレール					1		SC-70-5	ダウンロード	ROHS非準拠			ear99	8542.33.0001	1,000						1V/µs	1.6 MHz		汎用				2.7 v	5 v
LM3678SDE-1.2/NOPB	0.9600	RFQ	4	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-30°C〜85°C（TA）		表面マウント	10-wfdfn露出パッド			LM3678						5.5V	プログラム可能							10-wson（3x3）	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	311					降圧																																			1								バック	3.3MHz		ポジティブ	はい	1.5a					0.8V 、1.2V				-	2.5V
MM74HC157J	1.1800	RFQ	5200	国立半導体	74hc	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C				マルチプレクサ		74HC157													2V〜6V		ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	ear99	8542.39.0001	1				5.2ma 、5.2ma																																							単一の供給			4 x 2：1	1
ADC16V130CISQ/NOPB	97.0300	RFQ	41	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C		表面マウント	64-WFQFN露出パッド		-		微分													64-wqfn （9x9）	ダウンロード				3A001A5A5	8542.39.0001	1															16	130m	1	lvds-並列	S/H-ADC	1：1	1	パイプライン	外部、内部	1.7V〜3.6V	1.7V〜1.9V
LMV934MT	-	RFQ	8429	国立半導体	aec-q100	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C（タタ		表面マウント	14-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）						116µA（ x4 チャネル）				レールからレール					4		14-tssop	ダウンロード					0000.00.0000	1						0.42V/µs		100 Ma	汎用	1.5 MHz	14 Na	1 mv	1.8 v	5.5 v
LP5900SD-2.8	-	RFQ	5887	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C		表面マウント	6-wdfn露出パッド									5.5V	修理済み							6-wson （2.2x2.5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	8542.39.0001	1,000																																												50 µA	230 µA					有効にする	ポジティブ		150ma					2.8V				-		1	0.15V @ 150ma	85db〜40db（100hz100khz	温度、短絡
DS26LS32CN	0.7100	RFQ	1	国立半導体	-	バルク	アクティブ		0°C〜70°C（Ta）		穴を通して	16-dip （0.300 "、7.62mm）	受信機															4.75v〜5.25V	16-pdip	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	8542.39.0001	1																											RS422 、RS423	0/4	-	100 mV	-
lm3209tle/nopb	1.3700	RFQ	4	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-30°C〜85°C（TA）		表面マウント	12-wfbga、dsbga			LM3209						5.5V	調整可能							12-dsbga （2x2.5	-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー	ear99	8542.39.0001	250					ステップアップ/ステップダウン																																			1								バックブースト	2.4MHz		ポジティブ	はい	650ma					0.6V				4.2V	2.7V
LP3893ES-1.5	-	RFQ	6134	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C		表面マウント	TO-263-6 、D²pak（5リード +タブ）、 To-263BA									5.5V	修理済み							DDPAK/TO-263-5	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた	ear99	8542.39.0001	1																																												30 µA	8 Ma					有効にする	ポジティブ		3a					1.5V				-		1	1V @ 1a	80db〜65db（120hz1khz	電流、温度、短絡、電圧ロックアウト（ウブロ）の下
LM385AXM-1.2	3.4000	RFQ	995	国立半導体	LM285-1.2	バルク	アクティブ	±2.02％	0°C〜70°C（Ta）		表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			LM385			-	-			修理済み	典型的な20ppm/°C						8-SOIC	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー	ear99	8542.39.0001	1																							シャント																														20 ma					1.235V	-	60µvrms	15 µA
LP2978IM5-3.8	0.2900	RFQ	24	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C		表面マウント	SC-74A 、SOT-753									16V	修理済み							SOT-23-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	8542.39.0001	1																																												125 µA	1 Ma					有効にする	ポジティブ		50ma					3.8V				-		1	0.225V @ 50MA	45dB	電流で、温度を超えます
lp2980im5x-3.0/nopb	0.2300	RFQ	124	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C		表面マウント	SC-74A 、SOT-753									16V	修理済み							SOT-23-5	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	1,315																																												95 µA	1.2 Ma					有効にする	ポジティブ		50ma					3V				-		1	0.22V @ 50ma	63db （1khz）	現在、温度を超えて、短絡
GAL20V8QS-25QNC	1.2600	RFQ	10	国立半導体	GAL®20V8QS	バルク	アクティブ		0°C〜75°C（Ta）		穴を通して	24-CDIP （0.300 "、7.62mm）												確認されていません					24-CDIP	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー	ear99	8542.39.0001	1																										8												EE pld	8		25 ns	4.75v〜5.25V
LM101AJ/883	-	RFQ	6121	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜125°C		穴を通して	8-CDIP （0.300 "、7.62mm）						-				-					1		8-CDIP	ダウンロード				ear99	8542.33.0001	1						0.2V/µs			汎用	250 kHz	75 Na	2 mv	10 v	44 v
LM2645MTD	1.6000	RFQ	2060	国立半導体	-	バルク	アクティブ		0°C〜125°C （TJ	組み込みシステム、コンソール/セットトップボックス	表面マウント	48-tfsop （0.240 "、幅6.10mm）			LM2645			1.5mA										4.5V〜30V	48-tssop	ダウンロード	ROHS非準拠	2（1 年）	影響を受けた	ear99	8542.39.0001	1
54F322DM	5.9900	RFQ	845	国立半導体	54f	バルク	廃止		-55°C〜125°C		穴を通して	20-CDIP （0.300 "、7.62mm）			54F322							トライステート						4.5v〜5.5V	20カーディップ	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー	ear99	8542.39.0001	1	登録、多重化	1	8		ユニバーサル
LMD18201T	-	RFQ	8790	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	汎用	穴を通して	TO-220-11はリードを形成しました			LMD18201		bi-cmos dmos											12V〜55V	TO-220-11	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	8542.39.0001	1					ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ																												平行																		ハーフブリッジ（2）		3a	12V〜55V	バイポーラ	dc	-
LP3985ITLX-3.3/NOPB	0.3000	RFQ	9	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C		表面マウント	5-wfbga dsbga									6V	修理済み							5-dsbga（1.5x1.2）	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	1,009																																												150 µA	250 µA					有効にする	ポジティブ		150ma					3.3V				-		1	0.1V @ 150ma	50db〜40db（1khz10khz	現在、温度を超えて、短絡
9838dc	-	RFQ	5554	国立半導体	*	バルク	アクティブ																	確認されていません						-	適用できない	3 （168 時間）				1
LM2675N-12/NOPB	2.9200	RFQ	3	国立半導体	SimplesWitcher®	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C		穴を通して	8-dip （0.300 "、7.62mm）			LM2675						40V	修理済み							8-pdip	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	103					降圧																																			1								バック	260kHz		ポジティブ	いいえ	1a					12V				-	6.5V
ADC12048CIV	-	RFQ	5609	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C		表面マウント	44-lcc		-		微分、擬似異なる、シングルエンド													44-PLCC（16.59x16.59）	-	ROHS非準拠	2a （4 週間）	影響を受けた	ear99	8542.39.0001	1															12	216K	4、8	平行	MUX-S/H-ADC	1：1	1	-	外部の	4.5v〜5.5V	4.5v〜5.5V
GAL16V8-20LVC	0.8700	RFQ	4	国立半導体	GAL®16V8	バルク	アクティブ		0°C〜75°C（Ta）		表面マウント	20-LCC												確認されていません					20-plcc （8.89x8.89）	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー	ear99	8542.39.0001	1																										8												EE pld	8		20 ns	4.75v〜5.25V
9328fm	13.1400	RFQ	41	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜125°C		表面マウント	16-cflatpack			9328							相補的						4.5v〜5.5V	16-cflatpack	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー	ear99	8542.39.0001	1	登録、多重化	2	8		シリアルからパラレル
DS10BR254TSQ	3.7400	RFQ	97	国立半導体	DS10BR254	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C（タタ	LVDS	表面マウント	40-wfqfn露出パッド	バッファー、マルチプレクサ					113ma		1 x 2：4					cml	LVDS		3V〜3.6V	40-wqfn	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー	ear99	8542.39.0001	1																																		1.5Gbps	440ps	-	1.7 pf
LM4951SD	-	RFQ	1585	国立半導体	Boomer™	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	10-wdfn露出パッド	クラスab	-								1 チャンネル（モノ）						2.7V〜9V	10-wson （4x4）	ダウンロード				ear99	8542.33.0001	1																																1.8W x 1 @ 8ohm