画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | アプリケーション | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 特徴 | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | 現在 -供給 | 電圧 -入力 | チャネルの数 | 電圧 -入力(最大) | 出力タイプ | 温度係数 | SICプログラム可能 | 入力 | 出力 | 回路の数 | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | ロジックタイプ | 要素の数 | 要素ごとのビット数 | 電流 -出力が高く、低い | 関数 | スルーレート | -3db帯域幅 | 現在 -出力 /チャネル | アンプタイプ | 帯域幅製品を獲得します | 現在 -入力バイアス | 電圧 -入力オフセット | 電圧 -供給スパン(最小) | 電圧 -供給スパン(最大) | ビット数 | サンプリングレート( 1 秒あたり) | 入力数 | データインターフェイス | 構成 | 比率-S/H:ADC | a/dコンバーターの数 | 建築 | 参照タイプ | 電圧 -供給、アナログ | 電圧 -供給、デジタル | i/oの数 | プロトコル | ドライバー/レシーバーの数 | 二重 | レシーバーヒステリシス | データレート | Max Output Power X Channels @ Load | インタフェース | データレート(最大) | 遅延時間 | 信号コンディショニング | 静電容量 -入力 | プログラム可能なタイプ | マクロセルの数 | 出力数 | 遅延時間TPD(1 )最大 | 電圧供給 -内部 | 電圧供給源 | 現在 -静止(IQ) | 現在 -供給(最大) | 回路 | 独立した回路 | トポロジー | 周波数 -切り替え | 制御機能 | 出力構成 | 同期整流器 | 現在 -出力 | 電圧 -負荷 | モータータイプ -ステッパー | モータータイプ-ac 、dc | ステップ解決 | 電圧 -min/固定) | ノイズ-0.1Hz10Hz | ノイズ-10Hz10kHz | 現在 -カソード | 電圧 -出力(最大) | 電圧 -入力(最小) | 規制当局の数 | 電圧ドロップアウト(最大) | psrr | 保護機能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | LMV358QDGKR | - | ![]() | 8905 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | 210µA | レールからレール | 2 | 8-VSSOP | ダウンロード | ear99 | 8542.33.0001 | 1 | 1V/µs | 40 Ma | 汎用 | 1 MHz | 15 Na | 1.7 mv | 2.7 v | 5.5 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCAN921224SLC/NOPB | 7.2300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 49-lfbga | LVDS | lvcmos、lvttl | 3V〜3.6V | 49-nfbga (7x7) | ダウンロード | 5A991B1 | 8542.39.0001 | 1 | デシリアライザー | 1 | 660Mbps | 10 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS32EL0124SQX/NOPB | 5.9600 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 国立半導体 | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-wfqfn露出パッド | CML | LVDS | 2.5V 、3.3V | 48-wqfn (7x7) | ダウンロード | 5A991B1 | 8542.39.0001 | 1 | デシリアライザー | 1 | 3.125Gbps | 5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LM8342SD | 0.4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | - | 表面マウント | 10-wfdfn露出パッド | TFT VCOMキャリブレーター | 確認されていません | 10-wson(3x3) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS90CR486VSX/NOPB | 12.1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 国立半導体 | µSerdes™ | バルク | アクティブ | -10°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-TQFP | LVDS | lvcmos、lvttl | 3.14V〜3.46V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | 5A991B1 | 8542.39.0001 | 1 | デシリアライザー | 8 | 6.384GBPS | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LMV101M7 | 0.3400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 | 130µA | レールからレール | 1 | SC-70-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | ear99 | 8542.33.0001 | 1,000 | 1V/µs | 1.6 MHz | 汎用 | 2.7 v | 5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LM3678SDE-1.2/NOPB | 0.9600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -30°C〜85°C(TA) | 表面マウント | 10-wfdfn露出パッド | LM3678 | 5.5V | プログラム可能 | 10-wson(3x3) | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 311 | 降圧 | 1 | バック | 3.3MHz | ポジティブ | はい | 1.5a | 0.8V 、1.2V | - | 2.5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM74HC157J | 1.1800 | ![]() | 5200 | 0.00000000 | 国立半導体 | 74hc | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | マルチプレクサ | 74HC157 | 2V〜6V | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 5.2ma 、5.2ma | 単一の供給 | 4 x 2:1 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ADC16V130CISQ/NOPB | 97.0300 | ![]() | 41 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 64-WFQFN露出パッド | - | 微分 | 64-wqfn (9x9) | ダウンロード | 3A001A5A5 | 8542.39.0001 | 1 | 16 | 130m | 1 | lvds-並列 | S/H-ADC | 1:1 | 1 | パイプライン | 外部、内部 | 1.7V〜3.6V | 1.7V〜1.9V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LMV934MT | - | ![]() | 8429 | 0.00000000 | 国立半導体 | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 14-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 116µA( x4 チャネル) | レールからレール | 4 | 14-tssop | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 0.42V/µs | 100 Ma | 汎用 | 1.5 MHz | 14 Na | 1 mv | 1.8 v | 5.5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LP5900SD-2.8 | - | ![]() | 5887 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 6-wdfn露出パッド | 5.5V | 修理済み | 6-wson (2.2x2.5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 50 µA | 230 µA | 有効にする | ポジティブ | 150ma | 2.8V | - | 1 | 0.15V @ 150ma | 85db〜40db(100hz100khz | 温度、短絡 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS26LS32CN | 0.7100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 16-dip (0.300 "、7.62mm) | 受信機 | 4.75v〜5.25V | 16-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | RS422 、RS423 | 0/4 | - | 100 mV | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | lm3209tle/nopb | 1.3700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -30°C〜85°C(TA) | 表面マウント | 12-wfbga、dsbga | LM3209 | 5.5V | 調整可能 | 12-dsbga (2x2.5 | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 250 | ステップアップ/ステップダウン | 1 | バックブースト | 2.4MHz | ポジティブ | はい | 650ma | 0.6V | 4.2V | 2.7V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LP3893ES-1.5 | - | ![]() | 6134 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | TO-263-6 、D²pak(5リード +タブ)、 To-263BA | 5.5V | 修理済み | DDPAK/TO-263-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 30 µA | 8 Ma | 有効にする | ポジティブ | 3a | 1.5V | - | 1 | 1V @ 1a | 80db〜65db(120hz1khz | 電流、温度、短絡、電圧ロックアウト(ウブロ)の下 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LM385AXM-1.2 | 3.4000 | ![]() | 995 | 0.00000000 | 国立半導体 | LM285-1.2 | バルク | アクティブ | ±2.02% | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | LM385 | - | - | 修理済み | 典型的な20ppm/°C | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | シャント | 20 ma | 1.235V | - | 60µvrms | 15 µA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LP2978IM5-3.8 | 0.2900 | ![]() | 24 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | SC-74A 、SOT-753 | 16V | 修理済み | SOT-23-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 125 µA | 1 Ma | 有効にする | ポジティブ | 50ma | 3.8V | - | 1 | 0.225V @ 50MA | 45dB | 電流で、温度を超えます | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | lp2980im5x-3.0/nopb | 0.2300 | ![]() | 124 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | SC-74A 、SOT-753 | 16V | 修理済み | SOT-23-5 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1,315 | 95 µA | 1.2 Ma | 有効にする | ポジティブ | 50ma | 3V | - | 1 | 0.22V @ 50ma | 63db (1khz) | 現在、温度を超えて、短絡 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GAL20V8QS-25QNC | 1.2600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 国立半導体 | GAL®20V8QS | バルク | アクティブ | 0°C〜75°C(Ta) | 穴を通して | 24-CDIP (0.300 "、7.62mm) | 確認されていません | 24-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 8 | EE pld | 8 | 25 ns | 4.75v〜5.25V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LM101AJ/883 | - | ![]() | 6121 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 穴を通して | 8-CDIP (0.300 "、7.62mm) | - | - | 1 | 8-CDIP | ダウンロード | ear99 | 8542.33.0001 | 1 | 0.2V/µs | 汎用 | 250 kHz | 75 Na | 2 mv | 10 v | 44 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LM2645MTD | 1.6000 | ![]() | 2060 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜125°C (TJ | 組み込みシステム、コンソール/セットトップボックス | 表面マウント | 48-tfsop (0.240 "、幅6.10mm) | LM2645 | 1.5mA | 4.5V〜30V | 48-tssop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 54F322DM | 5.9900 | ![]() | 845 | 0.00000000 | 国立半導体 | 54f | バルク | 廃止 | -55°C〜125°C | 穴を通して | 20-CDIP (0.300 "、7.62mm) | 54F322 | トライステート | 4.5v〜5.5V | 20カーディップ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 登録、多重化 | 1 | 8 | ユニバーサル | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LMD18201T | - | ![]() | 8790 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 汎用 | 穴を通して | TO-220-11はリードを形成しました | LMD18201 | bi-cmos dmos | 12V〜55V | TO-220-11 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ドライバー -完全に統合された、制御およびパワーステージ | 平行 | ハーフブリッジ(2) | 3a | 12V〜55V | バイポーラ | dc | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LP3985ITLX-3.3/NOPB | 0.3000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 5-wfbga dsbga | 6V | 修理済み | 5-dsbga(1.5x1.2) | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1,009 | 150 µA | 250 µA | 有効にする | ポジティブ | 150ma | 3.3V | - | 1 | 0.1V @ 150ma | 50db〜40db(1khz10khz | 現在、温度を超えて、短絡 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 9838dc | - | ![]() | 5554 | 0.00000000 | 国立半導体 | * | バルク | アクティブ | 確認されていません | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LM2675N-12/NOPB | 2.9200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 国立半導体 | SimplesWitcher® | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | LM2675 | 40V | 修理済み | 8-pdip | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 103 | 降圧 | 1 | バック | 260kHz | ポジティブ | いいえ | 1a | 12V | - | 6.5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ADC12048CIV | - | ![]() | 5609 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 44-lcc | - | 微分、擬似異なる、シングルエンド | 44-PLCC(16.59x16.59) | - | ROHS非準拠 | 2a (4 週間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 12 | 216K | 4、8 | 平行 | MUX-S/H-ADC | 1:1 | 1 | - | 外部の | 4.5v〜5.5V | 4.5v〜5.5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GAL16V8-20LVC | 0.8700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 国立半導体 | GAL®16V8 | バルク | アクティブ | 0°C〜75°C(Ta) | 表面マウント | 20-LCC | 確認されていません | 20-plcc (8.89x8.89) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 8 | EE pld | 8 | 20 ns | 4.75v〜5.25V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 9328fm | 13.1400 | ![]() | 41 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 16-cflatpack | 9328 | 相補的 | 4.5v〜5.5V | 16-cflatpack | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 登録、多重化 | 2 | 8 | シリアルからパラレル | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS10BR254TSQ | 3.7400 | ![]() | 97 | 0.00000000 | 国立半導体 | DS10BR254 | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | LVDS | 表面マウント | 40-wfqfn露出パッド | バッファー、マルチプレクサ | 113ma | 1 x 2:4 | cml | LVDS | 3V〜3.6V | 40-wqfn | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 1.5Gbps | 440ps | - | 1.7 pf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LM4951SD | - | ![]() | 1585 | 0.00000000 | 国立半導体 | Boomer™ | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 10-wdfn露出パッド | クラスab | - | 1 チャンネル(モノ) | 2.7V〜9V | 10-wson (4x4) | ダウンロード | ear99 | 8542.33.0001 | 1 | 1.8W x 1 @ 8ohm |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫