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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 特徴 基本製品番号 入力タイプ 現在 -供給 電圧 -入力 チャネルの数 電圧 -入力(最大) 出力タイプ 温度係数 sicプログラム可能 pll 入力 出力 回路の数 比率 -入力:出力 微分 -入力:出力 周波数max 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート 仕切り/乗数 ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ ロジックタイプ 要素の数 要素ごとのビット数 電流 -出力が高く、低い 関数 電圧 -供給、シングル/±) 電圧 -入力オフセット(最大) 現在 -入力バイアス(最大) 現在 -出力(タイプ) 現在 -静止(最大) cmrr 伝播遅延(最大) ヒステリシス スルーレート -3db帯域幅 現在 -出力 /チャネル アンプタイプ 帯域幅製品を獲得します 現在 -入力バイアス 電圧 -入力オフセット 電圧 -供給スパン(最小) 電圧 -供給スパン(最大) ビット数 サンプリングレート( 1 秒あたり) 入力数 データインターフェイス 構成 比率-S/H:ADC a/dコンバーターの数 建築 参照タイプ 電圧 -供給、アナログ 電圧 -供給、デジタル d/aコンバーターの数 落ち着いた時間 差動出力 inl/dnl プロトコル インタフェース クロック周波数 データレート(最大) fifo's 自動フロー制御を備えています irdaエンコーダー/デコーダー付き false start bit retictionで モデムコントロール付き 出力数 電圧供給源 トリガータイプ Max Propagation Delay @ V 現在 -静止(IQ) 現在 -供給(最大) 入力容量 入力ロジックレベル -低い 入力ロジックレベル -高 シュミットトリガー入力 回路 トポロジー 周波数 -切り替え 制御機能 出力構成 同期整流器 現在 -出力 電圧 -min/固定) ノイズ-0.1Hz10Hz ノイズ-10Hz10kHz 現在 -カソード 電圧 -出力(最大) 電圧 -入力(最小) 規制当局の数 電圧ドロップアウト(最大) psrr 保護機能
LM4041CEM3X-ADJ-NS National Semiconductor LM4041CEM3X-ADJ-NS 0.9100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ ±0.5% -40°C〜85°C(タタ 表面マウント TO-236-3 LM4041 - - 修理済み 100ppm/°C SOT-23-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けた ear99 8542.39.0001 3,000 シャント 12 Ma 1.24V - 20µVRMS 80 µA 10 v
74LS09PCQR National Semiconductor 74LS09PCQR 0.1200
RFQ
ECAD 1382 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ 74LS09 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1
PT86C388 National Semiconductor PT86C388 9.5600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 国立半導体 * バルク アクティブ 確認されていません - 適用できない 3 (168 時間) 0000.00.0000 1
54F240DC National Semiconductor 54F240DC 2.2800
RFQ
ECAD 140 0.00000000 国立半導体 54f バルク アクティブ -55°C〜125°C 穴を通して 20-CDIP (0.300 "、7.62mm) 54F240 - 3状態 4.5v〜5.5V 20カーディップ ダウンロード 適用できない 3 (168 時間) 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 バッファ、反転 2 4 12ma 、48ma
CGS74CT2526N National Semiconductor CGS74CT2526N 1.8900
RFQ
ECAD 640 0.00000000 国立半導体 CGS74CT2526 バルク アクティブ -40°C〜85°C(タタ 穴を通して 16-dip (0.300 "、7.62mm) クロックドライバー いいえ 時計、 TTL - 1 2:8 ノー/ノー - 4.5v〜5.5V 16-pdip ダウンロード ノー/ノー ROHS非準拠 3 (168 時間) 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1
LMX2324TMX/NOPB National Semiconductor LMX2324TMX/NOPB 1.3200
RFQ
ECAD 9 0.00000000 国立半導体 pllatinum™ バルク 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 16-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) pll周波数シンセサイザー はい cmos、ttl クロック 1 1:1 ノー/ノー 2GHz 2.7V〜5.5V 16-tssop ダウンロード はい/いいえ ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 2,500
LP324M National Semiconductor LP324M 0.4200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 14-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) 85µA - 4 14-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けた ear99 8542.33.0001 1 0.05V/µs 10 Ma 汎用 100 kHz 2 Na 2 mv 3 v 32 v
LM4040CIM3-3.0 National Semiconductor LM4040CIM3-3.0 0.7500
RFQ
ECAD 15 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ ±0.5% -40°C〜85°C(タタ 表面マウント TO-236-3 LM4040 - - 修理済み 100ppm/°C SOT-23-3 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けた 2156-LM4040CIM3-3.0-14 1 シャント 15 Ma 3V - 35µVRMS 65 µA
LM2660M` National Semiconductor LM2660M` 0.3700
RFQ
ECAD 8322 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ -40°C〜85°C (TJ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) 5.5V 修理済み 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 1 ラティメトリック 1 充電ポンプ 5kHz 、40kHz 正または否定 いいえ 100mA -vin 、2vin、vin/2 - 1.5V
74LS273SC National Semiconductor 74LS273SC 0.2300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ 74LS273 ダウンロード 適用できない 3 (168 時間) 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1
LM79L12ACZ/TZ National Semiconductor LM79L12ACZ/TZ -
RFQ
ECAD 3973 0.00000000 国立半導体 * バルク アクティブ - 適用できない 3 (168 時間) 未定義のベンダー 2,000
100101FCQR National Semiconductor 100101FCQR 2.6200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ 100101 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1
54LS51DM National Semiconductor 54LS51DM 0.5400
RFQ
ECAD 7568 0.00000000 国立半導体 54LS バルク アクティブ -55°C〜125°C 穴を通して 14-CDIP (0.300 "、7.62mm) 54LS51 シングルエンド 6 4.5v〜5.5V 14-cerdip ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 および/または//反転ゲート - 4 いいえ
SCANSTA101SM/NOPB National Semiconductor scansta101sm/nopb 15.1700
RFQ
ECAD 184 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ テスト機器 表面マウント 49-lfbga 3V〜3.6V 49-nfbga (7x7) ダウンロード ear99 8542.39.0001 20 IEEE 1149.1
PC16552DV National Semiconductor PC16552DV -
RFQ
ECAD 9323 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ 表面マウント 44-lcc - 2 、Duart 4.5v〜5.5V 44-PLCC(16.51x16.51 ダウンロード ROHS非準拠 2a (4 週間) 影響を受けた 1 - 1.5Mbps 16バイト いいえ いいえ はい はい
LM2734XMFX National Semiconductor LM2734xmfx 0.9600
RFQ
ECAD 45 0.00000000 国立半導体 * バルク アクティブ - ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けた ear99 8542.39.0001 3,000
LM5031SD National Semiconductor LM503​​ 1SD 0.7600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 国立半導体 * バルク アクティブ LM503​​ 1 - 適用できない 3 (168 時間) 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1,000
DS90LV018ATMX-NS National Semiconductor DS90LV018ATMX-NS 0.8000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けた ear99 8542.39.0001 2,500
LP2985AITP-3.0/NOPB-NS National Semiconductor lp2985aitp-3.0/nopb-ns -
RFQ
ECAD 2256 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 5-ufbga dsbga 16V 修理済み 5-dsbga - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 250 95 µA 2.5 Ma 有効にする ポジティブ 150ma 3V - 1 0.58V @ 150ma 45dB 現在、温度を超えて、短絡
ADC0809CCV National Semiconductor ADC0809CCV 3.0400
RFQ
ECAD 125 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 28-lcc - シングルエンド 28-PLCC(11.51x11.51 ダウンロード ROHS非準拠 2a (4 週間) 影響を受けた ear99 8542.39.0001 1 8 - 8 平行 MUX-S/H-ADC 1:1 1 sar 外部の 4.5V〜6V 4.5V〜6V
54ACTQ16374W-QV National Semiconductor 54ACTQ16374W-QV 213.1900
RFQ
ECAD 306 0.00000000 国立半導体 54ACTQ バルク アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 48-cflatpack dタイプ 54ACTQ16374 3 つの状態、非反転 4.5v〜5.5V 48-CFP ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 2 8 24ma 、24ma 標準 65 MHz ポジティブエッジ 10.5ns @ 5V 、50pf 160 µA 4.5 pf
DAC0832LCWM/NOPB National Semiconductor DAC0832LCWM/NOPB -
RFQ
ECAD 2018年 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ 0°C〜70°C 表面マウント 20-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) DAC0832 現在 -バッファーされていません 確認されていません 20-SOIC - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1 8 平行 DACの増殖 外部の 5V〜15V 5V〜15V 1 1µs(タイプ) はい -
4024BDC National Semiconductor 4024bdc 0.6700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ 4024 ダウンロード ROHS非準拠 2a (4 週間) 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 1
54F132FMQB National Semiconductor 54F132FMQB 4.3100
RFQ
ECAD 463 0.00000000 国立半導体 54f バルク アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 14-cflatpack シュミットトリガー 54F132 4 4.5v〜5.5V 14-CFP ダウンロード 適用できない 3 (168 時間) 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 ナンドゲート 1ma 、20ma 18 Ma 2 16ns @ 5V 、50pf 1.1V 2V
JD5417BDA National Semiconductor JD5417BDA 15.4000
RFQ
ECAD 172 0.00000000 国立半導体 * バルク アクティブ 確認されていません - 適用できない 3 (168 時間) 未定義のベンダー 0000.00.0000 1
LM311J-8 National Semiconductor LM311J-8 -
RFQ
ECAD 6443 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ 0°C〜70°C 穴を通して 8-CDIP (0.300 "、7.62mm) 微分 オープンコレクター、オープンエミッター 8-CDIP ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 1 3.5V〜30V、±1.75V〜15V 7.5mV @±15V 0.25µA @±15V - 5MA 、7.5mA - 165ns -
54AC299DMQB National Semiconductor 54AC299DMQB 3.5200
RFQ
ECAD 415 0.00000000 国立半導体 54AC バルク アクティブ -55°C〜125°C 穴を通して 20-CDIP (0.300 "、7.62mm) 54AC299 トライステート 2V〜6V 20カーディップ ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 シフトレジスタ 1 8 ユニバーサル
LMS8117AMP-ADJ National Semiconductor LMS8117AMP-ADJ 0.4500
RFQ
ECAD 12 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ 0°C〜125°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA LMS8117 15V 調整可能 SOT-223 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けた ear99 8542.39.0001 2,000 5 Ma 10 Ma - ポジティブ 1a 1.25V 13.8V 1 1.25V @ 1a 60〜75 dB (120Hz) 電流で、温度を超えます
LM1282N National Semiconductor LM1282N 0.7100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 国立半導体 - チューブ 廃止 汎用 穴を通して 28-dip (0.600 "、15.24mm) 95 Ma - 3 28-dip ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8542.33.0001 13 11.4V〜12.6V - 110 MHz 28 Ma
4016BDM National Semiconductor 4016bdm 2.7500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 国立半導体 4016b バルク アクティブ - 穴を通して 14-CDIP 両側、フェットスイッチ 4016 - 14-CDIP ダウンロード ROHS非準拠 2a (4 週間) 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 1 - - 1 x 1:1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫