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統合サーキット（ICS）（9112）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	特徴	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	現在 -供給	電圧 -入力	電圧 -入力（最大）	出力タイプ	温度係数	sicプログラム可能	pll	入力	出力	回路の数	比率 -入力：出力	微分 -入力：出力	周波数max	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	仕切り/乗数	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	ロジックタイプ	電流 -出力が高く、低い	関数	現在 -静止（最大）	スルーレート	-3db帯域幅	現在 -出力 /チャネル	アンプタイプ	帯域幅製品を獲得します	現在 -入力バイアス	電圧 -入力オフセット	電圧 -供給スパン（最小）	電圧 -供給スパン（最大）	ビット数	サンプリングレート（ 1 秒あたり）	入力数	データインターフェイス	構成	比率-S/H：ADC	a/dコンバーターの数	建築	参照タイプ	電圧 -供給、アナログ	電圧 -供給、デジタル	i/oの数	コアプロセッサ	プログラムメモリタイプ	ラムサイズ	Max Output Power X Channels @ Load	インタフェース	プログラム可能なタイプ	マクロセルの数	出力数	コントローラーシリーズ	メモリタイプ	メモリサイズ	Max Propagation Delay @ V	現在 -静止（IQ）	アクセス時間	現在 -供給（最大）	入力ロジックレベル -低い	入力ロジックレベル -高	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ	トポロジー	周波数 -切り替え	制御機能	出力構成	同期整流器	現在 -出力	電圧 -min/固定）	ノイズ-0.1Hz10Hz	ノイズ-10Hz10kHz	現在 -カソード	電圧 -出力（最大）	電圧 -入力（最小）	規制当局の数	電圧ドロップアウト（最大）	psrr	保護機能
GAL22CV10-15LVC	-	RFQ	2079	国立半導体	*	バルク	アクティブ																確認されていません										-		適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー				1
74LS447PC	0.3000	RFQ	7431	国立半導体	-	バルク	アクティブ																										ダウンロード		ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	1
LM258H/NOPB	-	RFQ	7012	国立半導体	*	バルク	アクティブ																										-		ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-LM258H/NOPB-14			1
LMK03000DISQE/NOPB	11.1500	RFQ	2	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C		表面マウント	48-wfqfn露出パッド	クロックコンディショナー											いいえ	LVCMOS	LVDS 、LVPECL	1	1：8	はい/はい	1.296GHz	3.15V〜3.45V	48-wqfn （7x7）	ダウンロード	はい/いいえ					ear99	8542.39.0001	1
LP3913SQ-AD/NOPB	2.3500	RFQ	4	国立半導体	-	バルク	廃止		-40°C〜85°C	ハンドヘルド/モバイルデバイス	表面マウント	48-wfqfn露出パッド			LP3913			-													2.5V〜6V	48-wqfn	ダウンロード		ROHS3準拠				ear99	8542.39.0001	250
ADC08161CIWM	1.7300	RFQ	2	国立半導体	-	チューブ	廃止		-40°C〜85°C		表面マウント	20-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）		-		微分																20-SOIC	ダウンロード		ROHS非準拠				ear99	8542.39.0001	36														8	-	1	平行	S/H-ADC	1：1	1	Sigma-Delta	内部	5V	5V
DS90LV110TMTC-NS	6.8400	RFQ	5	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	28-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）	ファンアウトバッファ（分布）												LVD	LVDS	1	1:10	はい/はい	400 MHz	3V〜3.6V	28-tssop	ダウンロード		ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた			8542.39.0001	1
LM4863N	1.5900	RFQ	489	国立半導体	Boomer®	チューブ	廃止		-40°C〜85°C（タタ		穴を通して	16-dip （0.300 "、7.62mm）	クラスab	デポ、シャットダウン、熱保護							ステレオヘッドフォンを備えた2チャンネル（ステレオ）										2V〜5.5V	-	ダウンロード		ROHS非準拠				ear99	8542.33.0001	25																													3.2W x 2 @ 3ohm; 440MW X 2 @ 8OHM
LP5996SD-1018	0.4100	RFQ	2	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	10-wfdfn露出パッド								6V	修理済み											10-wson（3x3）	ダウンロード		ROHS3準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1,000																																						110 µA		170 µA									有効にする	ポジティブ		150ma 、300ma	1V 、1.8V				-		2	0.55V @ 300MA	70DB〜60DB	温度、短絡
CP3SP33SMS/NOPB	22.3100	RFQ	2	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C	接続プロセッサ	表面マウント	224-LFBGA											確認されていません								3V〜3.3V	224-NFBGA（13x13）	ダウンロード							0000.00.0000	1																									64	CR16C	外部プログラムメモリ	44k x 8		Access.Bus				CP3000
93425DMQB30	24.3400	RFQ	35	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜125°C		穴を通して	16-CDIP （0.300 "、7.62mm）					sram-非同期														4.5v〜5.5V	16-CDIP	ダウンロード		ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A001A2C	8542.32.0041	1																																			揮発性	1kbit			30 ns				sram	1k x 1	平行	20ns
LM5010MH	3.3800	RFQ	6774	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C		表面マウント	14 Powertssop （0.173 "、幅4.40mm）			LM5010					75V	調整可能											14-htssop	ダウンロード		ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8542.39.0001	1			降圧																														1														バック	100kHz〜1MHz		ポジティブ	いいえ	1a	2.5V				70V	8V
74S08PC	0.2500	RFQ	38	国立半導体	74s	バルク	アクティブ		0°C〜70°C		穴を通して	14-dip （0.300 "、7.62mm）		-	74S08												4				4.75v〜5.25V	14-pdip	ダウンロード		適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1	とゲート	-		57 Ma												2																					-				-	-
LF412MH/NOPB	10.7200	RFQ	642	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜125°C		穴を通して	to-99-8金属缶						3.6ma x2 チャネル）			-						2					to-99-8	ダウンロード						ear99	8542.33.0001	28					15V/µs			j-fet	4 MHz	50 Pa	1 mv	10 v	40 v
LM358H	4.9400	RFQ	2	国立半導体	aec-q100	バルク	アクティブ		0°C〜70°C		穴を通して	to-99-8金属缶						1ma			-						2					to-99-8	ダウンロード		ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8542.33.0001	1					-		40 Ma	汎用	1 MHz	45 Na	2 mv	3 v	32 v
ADC10DL065CIVS/NOPB	-	RFQ	6197	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C		表面マウント	64-TQFP		同時サンプリング		微分																64-TQFP （10x10）	ダウンロード							0000.00.0000	1														10	65m	2	平行	S/H-ADC	1：1	2	パイプライン	外部、内部	3V〜3.6V	3V〜3.6V
LP3853ES-1.8	7.7800	RFQ	425	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C		表面マウント	TO-263-6 、D²pak（5リード +タブ）、 To-263BA								7V	修理済み											DDPAK/TO-263-5	ダウンロード			未定義のベンダー	影響を受けた	2156-LP3853ES-1.8-14			1																																						4 Ma		10 Ma									有効にする	ポジティブ		3a	1.8V				-		1	0.6V @ 3a	73db〜57db（120Hz）	現在、温度を超えて、短絡
9370pc	1.2000	RFQ	7380	国立半導体	-	バルク	アクティブ																										ダウンロード		ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	1
LMC660AIMX	1.9600	RFQ	662	国立半導体	LMC®	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C		表面マウント	14-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）						1.5ma x4 チャネル）			プッシュプル、レールからレール						4					14-SOIC	ダウンロード		ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8542.33.0001	2,500					1.1V/µs		40 Ma	CMOS	1.4 MHz	0.002 Pa	1 mv	4.75 v	15.5 v
LM2599T-ADJ-NS	4.5100	RFQ	875	国立半導体	SimplesWitcher®	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C		穴を通して	TO-220-7はリードを形成しました								40V	調整可能											TO-220-7	ダウンロード		ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8542.39.0001	1			降圧																														1														バック	150kHz		ポジティブ	いいえ	3a	1.23V				37V	4.5V
LM336Z-5.0/T7	0.2700	RFQ	3	国立半導体	-	バルク	アクティブ	±2％	0°C〜70°C（Ta）		穴を通して	TO-226-3			LM336			-	-		修理済み	-										to-92-3	ダウンロード		ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	2,000																						シャント																														10 Ma	5V	-	-	600 µA
9004dm	6.5100	RFQ	76	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜125°C		穴を通して	14-CDIP （0.300 "、7.62mm）		-	9004dm												2				4.5v〜5.5V	14-CDIP	ダウンロード		適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1	ナンドゲート	1.32ma、17.6ma		5.5 Ma												4																					12NS @ 5V、15pf				0.9V	1.7V
GAL16V8QS-10LVI	1.6600	RFQ	1	国立半導体	-	バルク	アクティブ				表面マウント	20-LCC							4.75v〜5.25V													20-plcc （9x9）	ダウンロード		適用できない	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	1																															EE pld	8
LP3986TL-2525/NOPB	0.5500	RFQ	730	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C		表面マウント	8-wfbga dsbga								6V	修理済み											8-dsbga （2x1.3	ダウンロード						ear99	8542.39.0001	547																																						130 µA		320 µA									有効にする	ポジティブ		150ma	2.5V				-		2	0.1V @ 150ma	60db〜50db（1khz10khz	現在、温度を超えて、短絡
LM2788mm-2.0	0.6600	RFQ	36	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	8-TSSOP 、8-MSOP （0.118 "、3.00mm 幅）								5.5V	修理済み											8-VSSOP	ダウンロード		ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8542.39.0001	2,000			降圧																														1														バック	500kHz		ポジティブ	いいえ	120ma	2V				-	2.6V
LMH6639MA/NOPB	1.1600	RFQ	43	国立半導体	VIP10™	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C		表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）						4.18ma			レールからレール						1					8-SOIC	ダウンロード						ear99	8542.33.0001	259					200V/µs	228 MHz	112 Ma	電圧フィードバック	90 MHz	1.4 na	1.3 µV	3 v	12 v
LM4668LD	1.5400	RFQ	1291	国立半導体	Boomer®	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	14-vdfn露出パッド	d	デポ、短絡および熱保護、シャットダウン							1 チャンネル（モノ）										9V〜14V	14-VSON	ダウンロード		ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8542.33.0001	1																													10w x 1 @ 8ohm
LMX2531LQ1910E	4.0000	RFQ	358	国立半導体	LMX2531	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	36-wfqfn露出パッド	周波数シンセサイザー（rf）											はい	CMOS	CMOS	1	1：2	はい/いいえ	2.028GHz	2.8V〜3.2V	36-wqfn	ダウンロード	はい/いいえ	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた				250
CLC401AJE-TR13	2.6700	RFQ	2	国立半導体	-	バルク	廃止		-40°C〜85°C		表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）						15ma			-						1					8-SOIC	ダウンロード		ROHS非準拠				ear99	8542.33.0001	2,500					1200V/µs	150 MHz		現在のフィードバック		10 µA	3 mV	5 v	12 v
DM7006W/883	-	RFQ	7950	国立半導体	*	バルク	アクティブ								DM7006																		-		適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー				1