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統合サーキット（ICS）（9112）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	特徴	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	現在 -供給	電圧 -入力	電圧 -入力（最大）	出力タイプ	方向	温度係数	回路の数	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	ロジックタイプ	要素の数	要素ごとのビット数	電流 -出力が高く、低い	関数	電圧 -供給、シングル/±）	電圧 -入力オフセット（最大）	現在 -入力バイアス（最大）	現在 -出力（タイプ）	現在 -静止（最大）	cmrr	伝播遅延（最大）	ヒステリシス	スルーレート	現在 -出力 /チャネル	アンプタイプ	帯域幅製品を獲得します	現在 -入力バイアス	電圧 -入力オフセット	電圧 -供給スパン（最小）	電圧 -供給スパン（最大）	ビット数	サンプリングレート（ 1 秒あたり）	入力数	データインターフェイス	構成	比率-S/H：ADC	a/dコンバーターの数	建築	参照タイプ	電圧 -供給、アナログ	電圧 -供給、デジタル	電圧 -供給（ vcc/vdd）	Max Output Power X Channels @ Load	インタフェース	出力数	メモリタイプ	電圧供給源	メモリサイズ	リセット	タイミング	カウントレート	トリガータイプ	Max Propagation Delay @ V	現在 -静止（IQ）	アクセス時間	現在 -供給（最大）	入力ロジックレベル -低い	入力ロジックレベル -高	回路	独立した回路	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ	出力分離	内部スイッチ	電圧 -故障	トポロジー	電圧 -起動	デューティサイクル	周波数 -切り替え	障害保護	制御機能	出力構成	同期整流器	現在 -出力	電圧 -min/固定）	ノイズ-0.1Hz10Hz	ノイズ-10Hz10kHz	現在 -カソード	電圧 -出力（最大）	電圧 -入力（最小）	規制当局の数	電圧ドロップアウト（最大）	psrr	保護機能
LM2651MTC-ADJ-NS	-	RFQ	2273	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C		表面マウント	16-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）								14V	調整可能					16-tssop	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8542.39.0001	1					降圧																															1																							バック			300kHz			ポジティブ	はい	1.5a	1.238V				14V	4V
ADC12C105CISQE	-	RFQ	2911	国立半導体	ADC12C105	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C		表面マウント	32-WFQFN露出パッド		-		微分										32-wqfn（5x5）	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	1																						12	105m	1	平行	S/H-ADC	1：1	1	パイプライン	外部、内部	2.7V〜3.6V	2.4V〜3.6V
ADC0831IM-NS	2.6900	RFQ	4596	国立半導体	ADC08831	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C		表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		-		微分、擬似異なる、シングルエンド										8-SOIC	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8542.39.0001	1																						8	181k	1	3 線シリアル、マイクロワイヤ	MUX-S/H-ADC	1：1	1	sar	外部の	4.5V〜6V	4.5V〜6V
74S257DC	0.3400	RFQ	26	国立半導体	74s	バルク	アクティブ		0°C〜70°C		穴を通して	16-CDIP （0.300 "、7.62mm）	データセレクター/マルチプレクサ		74S257										4.75v〜5.25V	16-CDIP	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1				-																																		単一の供給												4 x 2：1	1
LM285BXZ-1.2/T1	1.0200	RFQ	9	国立半導体	-	バルク	アクティブ	±1％	-40°C〜85°C（タタ		穴を通して	TO-226-3			LM285			-	-		修理済み		30ppm/°C			to-92-3	-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	2,000																														シャント																																					20 ma	1.235V	-	60µvrms	10 µA
LP3987IBL-2.8	-	RFQ	7178	国立半導体	*	バルク	アクティブ																				-						0000.00.0000	1
LM2591HVT-5.0	2.8000	RFQ	245	国立半導体	SimplesWitcher®	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C		穴を通して	TO-220-5はリードを形成しました								60V	修理済み					TO-220-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8542.39.0001	1					降圧																															1																							バック			150kHz			ポジティブ	いいえ	1a	5V				-	4.5V
LMC662AIN/NOPB	1.1300	RFQ	1	国立半導体	LMC®	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C （TJ		穴を通して	8-dip （0.300 "、7.62mm）						750µA			プッシュプル、レールからレール			2		8-pdip	ダウンロード					ear99	8542.33.0001	267														1.1V/µs	40 Ma	CMOS	1.4 MHz	0.002 Pa	1 mv	4.75 v	15.5 v
9316fmqb	6.0000	RFQ	1	国立半導体	9316	バルク	アクティブ		-55°C〜125°C		表面マウント	16-cflatpack			9316							上			4.75 V〜5.25 v	16-cflatpack	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1	バイナリカウンター	1	4																																					非同期	同期	25 MHz	ポジティブエッジ
54S138DM	1.0600	RFQ	10	国立半導体	-	バルク	アクティブ																				ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1
DS90CR217MTD/NOPB	-	RFQ	7203	国立半導体	-	バルク	アクティブ			-	表面マウント	48-tfsop （0.240 "、幅6.10mm）													3V〜3.6V	48-tssop	ダウンロード						0000.00.0000	1																																			-
LP2981AIM5-2.8	0.2200	RFQ	8419	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C		表面マウント	SC-74A 、SOT-753								16V	修理済み					SOT-23-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8542.39.0001	1																																													95 µA		1.7 Ma																	有効にする	ポジティブ		100mA	2.8V				-		1	0.37V @ 100MA	63db （1khz）	現在、温度を超えて、短絡
LMC6064IN	2.7900	RFQ	7626	国立半導体	LMC®	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C （TJ		穴を通して	14-dip （0.300 "、7.62mm）						80µa（x4 チャネル）			レールからレール			4		14-pdip	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8542.33.0001	1														0.035V/µs	26 Ma	CMOS	100 kHz	0.01 PA	100 µV	4.5 v	15.5 v
scansta101sm	10.9900	RFQ	8	国立半導体	-	バルク	アクティブ			テスト機器	表面マウント	49-lfbga			スキャンスト										3V〜3.6V	49-BGA （7x7）	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		ear99	8542.39.0001	1																																			IEEE 1149.1
100142FC	11.4800	RFQ	41	国立半導体	-	バルク	アクティブ		0°C〜85°C （TC）		表面マウント	24-cflatpack			100142		カム								-	24-cflatpack	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1																																					不揮発性		16ビット							4.5 ns						カム	4 x 4	平行	-
DM54S32W/883	2.3300	RFQ	998	国立半導体	54s	バルク	廃止		-55°C〜125°C		表面マウント	14-cflatpack		-	54S32									4	4.5v〜5.5V	14-CFP	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1	またはゲート			1ma 、20ma						68 Ma														2																				9NS @ 5V 、50pf				0.8V	2V
JM54ACT240S2A-R	282.5400	RFQ	63	国立半導体	54ACT	バルク	アクティブ		-55°C〜125°C		表面マウント	20-CLCC			54ACT240	-					3状態				4.5v〜5.5V	20-lccc（8.89x8.89）	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1	バッファ、反転	2	4	24ma 、24ma
DM54LS32J/883	-	RFQ	9967	国立半導体	54LS	バルク	アクティブ		-55°C〜125°C		穴を通して	14-CDIP （0.300 "、7.62mm）		-	54LS32									4	4.5v〜5.5V	14-cerdip	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1	またはゲート			400µA 、4MA						9.8 Ma														2																				15NS @ 5V 、50pf				0.7V	2V
LM5021mm-2	0.6800	RFQ	4	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C		表面マウント	8-TSSOP 、8-MSOP （0.118 "、3.00mm 幅）			LM5021											8-VSSOP	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8542.39.0001	1,000																																	8V〜30V																							隔離	いいえ	-	フライバック、フォワード	20 v	50％	最大1MHz	現在の制限、オーバーロード	周波数制御、ソフトスタート、同期
LM346MX/NOPB	-	RFQ	5795	国立半導体	-	バルク	アクティブ		0°C〜70°C		表面マウント	16-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）						1.4ma x4 チャネル）			-			4		16-SOIC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.33.0001	2,500														0.4V/µs	20 ma	汎用	1.2 MHz	50 Na	500 µV	3 v	44 v
LPC661AIMX	-	RFQ	8483	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C		表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）						55µA			プッシュプル、レールからレール			1		8-SOIC	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.33.0001	1														0.11V/µs	40 Ma	CMOS	350 kHz	0.002 Pa	1 mv	4.75 v	15.5 v
DS9622MJ-MIL	21.7000	RFQ	427	国立半導体	*	バルク	アクティブ																				-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1
LMC6044in	3.0400	RFQ	1	国立半導体	LMC®	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C （TJ		穴を通して	14-dip （0.300 "、7.62mm）						52µa（x4 チャネル）			プッシュプル、レールからレール			4		14-pdip	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8542.33.0001	1														0.02V/µs	40 Ma	CMOS	100 kHz	0.002 Pa	1 mv	4.5 v	15.5 v
LM4861MX	0.7400	RFQ	5	国立半導体	Boomer®	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	クラスab	シャットダウン、熱保護							1 チャンネル（モノ）				2V〜5.5V	8-SOIC	ダウンロード					ear99	8542.33.0001	404																																		1.5W x 1 @ 8ohm
JD54LS139B2A	-	RFQ	1881年	国立半導体	*	バルク	アクティブ																				ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けた	2156-JD54LS139B2A-14			1
LMC6772AIN	1.3400	RFQ	3	国立半導体	-	チューブ	廃止		-40°C〜85°C		穴を通して	8-dip （0.300 "、7.62mm）	汎用								ドレインを開いてください					8-pdip	ダウンロード	ROHS非準拠				ear99	8542.39.0001	40		2				2.7V〜15V、±1.35V〜7.5V	5MV @ 5V	0.04Pa @ 5V	30ma	20µA	75db cmrr 、80db psrr	10µs	-
LM4128DQ1MF4.1	-	RFQ	3060	国立半導体	aec-q100	バルク	アクティブ	±1％	-40°C〜125°C		表面マウント	SC-74A 、SOT-753			LM4128			100µA	4.496V〜5.5V		修理済み		100ppm/°C			SOT-23-5	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けた	2156-LM4128DQ1MF4.1-14			1																														シリーズ																																					20 ma	4.096V	350µvp-p	-
LM1117IMPX-3.3/NOPB	-	RFQ	8201	国立半導体	LM117-3.3	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C		表面マウント	TO-261-4、TO-261AA								15V	修理済み					SOT-223-4	ダウンロード						0000.00.0000	1																																													5 Ma		10 Ma																	-	ポジティブ		800mA	3.3V				-		1	1.2V @ 800MA	75db （120Hz	電流で、温度を超えます
LP2980AIM5X-1.8	0.1500	RFQ	37	国立半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C		表面マウント	SC-74A 、SOT-753								16V	修理済み					SOT-23-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8542.39.0001	3,000																																													95 µA		1.2 Ma																	有効にする	ポジティブ		50ma	1.8V				-		1	0.22V @ 50ma	63db （1khz）	現在、温度を超えて、短絡
54LS366ALM	3.5700	RFQ	1	国立半導体	*	バルク	アクティブ								54LS366												-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1