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統合サーキット（ICS）（9112）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 特徴 基本製品番号 入力タイプ 出力タイプ 方向 出力 回路の数 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ ロジックタイプ 要素の数 要素ごとのビット数 電流 -出力が高く、低い 関数 現在 -静止（最大） ビット数 サンプリングレート（ 1 秒あたり） 入力数 データインターフェイス 構成 比率-S/H：ADC a/dコンバーターの数 建築 参照タイプ 電圧 -供給、アナログ 電圧 -供給、デジタル クロック周波数 電圧供給源 リセット タイミング カウントレート トリガータイプ 出力関数 Max Propagation Delay @ V 現在 -静止（IQ） 入力ロジックレベル -低い 入力ロジックレベル -高 回路 独立した回路 供給電圧
74283PC National Semiconductor 74283pc 0.6300
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ 0°C〜70°C 穴を通して 16-dip （0.300 "、7.62mm） 74283 16-pdip ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 高速キャリー付きバイナリフル加算器 4 4.75v〜5.25V
9002DM National Semiconductor 9002dm 7.2100
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ -55°C〜125°C 穴を通して 14-CDIP （0.300 "、7.62mm） - 9002dm 4 4.5v〜5.5V 14-CDIP ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 ナンドゲート 1.32ma、17.6ma 5.5 Ma 2 12NS @ 5V、15pf 0.9V 1.7V
DM8556N National Semiconductor DM8556N 7.1800
RFQ
 ECAD 124 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 16-dip （0.300 "、7.62mm） DM8556 - 4.75 V〜5.25 v 16-pdip ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 バイナリカウンター 1 4 非同期 同期 25 MHz ポジティブエッジ
74H21DC National Semiconductor 74H21DC 1.8800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ 0°C〜70°C 穴を通して 14-CDIP （0.300 "、7.62mm） - 74H21 2 4.75v〜5.25V 14-cerdip ダウンロード ROHS非準拠 2a （4 週間） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 1 とゲート - 32 Ma 4 - - -
DM81LS96AJ National Semiconductor DM81LS96AJ 1.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 国立半導体 DM81LS95A バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 20-CDIP （0.300 "、7.62mm） 81LS96 - 3状態 4.75v〜5.25V 20-CDIP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 1 バッファ、反転 1 8 5.2ma 、24ma
54LS156DMQB National Semiconductor 54LS156DMQB 0.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 国立半導体 54LS バルク アクティブ -55°C〜125°C 穴を通して 16-CDIP （0.300 "、7.62mm） デコーダー/Demultiplexer 4.5v〜5.5V 16-CDIP ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 4MA 単一の供給 2 x 2：4 1
54LS138LMQB National Semiconductor 54LS138LMQB 6.1200
RFQ
 ECAD 210 0.00000000 国立半導体 54LS バルク アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 20-CLCC デコーダー/Demultiplexer 4.5v〜5.5V 20-lccc（8.89x8.89） ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 400µA 、4MA 単一の供給 1 x 3：8 1
ADC08062BIN National Semiconductor ADC08062bin 15.1300
RFQ
 ECAD 193 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ -40°C〜85°C 穴を通して 20-dip （0.300 "、7.62mm） - シングルエンド 20-pdip ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 8 1.5m 2 平行 S/H-ADC 1：1 1 フラッシュ 外部の 4.5v〜5.5V 4.5v〜5.5V
DM74S00J National Semiconductor DM74S00J 0.5500
RFQ
 ECAD 750 0.00000000 国立半導体 74s バルク アクティブ 0°C〜70°C 穴を通して 14-CDIP （0.300 "、7.62mm） - 74S00 4 4.75v〜5.25V 14-CDIP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 ナンドゲート 1ma 、20ma 36 Ma 2 8ns @ 5V 、50pf 0.8V 2V
DM74S241J National Semiconductor DM74S241J 2.4800
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 国立半導体 74s バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 20-CDIP （0.300 "、7.62mm） 74S241 - 3状態 4.75v〜5.25V 20-CDIP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 1 バッファー、非反転 2 4 15ma 、64ma
DM74S11J National Semiconductor DM74S11J 0.5200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 国立半導体 74s バルク アクティブ 0°C〜70°C 穴を通して 14-CDIP （0.300 "、7.62mm） - 74S11 3 4.5V〜5.25V 14-CDIP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 とゲート 1ma 、20ma 42 Ma 3 11NS @ 5V 、50pf 0.8V 2V
7417DC National Semiconductor 7417dc -
RFQ
 ECAD 3817 0.00000000 国立半導体 * バルク アクティブ 7417 - ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1
40098BDC National Semiconductor 40098bdc 2.2500
RFQ
 ECAD 342 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ - 穴を通して 16-CDIP （0.300 "、7.62mm） 40098b - 三状態、反転 - 16-CDIP ダウンロード ROHS非準拠 2a （4 週間） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 1 バッファ、反転 2 4、2 3.2ma 、11.25ma
ADC1034CIWMX National Semiconductor ADC1034CIWMX 5.7400
RFQ
 ECAD 658 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） - シングルエンド 16-SOIC ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 10 - 4 シリアル MUX-ADC 0：1 1 - 外部の 4.75v〜5.25V 4.75v〜5.25V
74181DC National Semiconductor 74181DC 6.4700
RFQ
 ECAD 193 0.00000000 国立半導体 * バルク アクティブ 74181 - ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1
4012BDM National Semiconductor 4012bdm 0.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 国立半導体 4012b バルク アクティブ - 穴を通して 14-CDIP （0.300 "、7.62mm） - 4012b 2 - 14-CDIP ダウンロード ROHS非準拠 2a （4 週間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 ナンドゲート - 30 µA 4 48ns @ 15V 、50pf - -
54LS153FMQB National Semiconductor 54LS153FMQB 2.1700
RFQ
 ECAD 229 0.00000000 国立半導体 54LS バルク アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 16-cflatpack データセレクター/マルチプレクサ 54LS153 4.5v〜5.5V 16-CFP ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 400µA 、4MA 単一の供給 2 x 4：1 1
4012BDC National Semiconductor 4012bdc 0.1000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 国立半導体 4012b バルク アクティブ - 穴を通して 14-CDIP （0.300 "、7.62mm） - 4012b 2 - 14-CDIP ダウンロード ROHS非準拠 2a （4 週間） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 1 ナンドゲート - 30 µA 4 48ns @ 15V 、50pf - -
74175PCQR National Semiconductor 74175PCQR 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 16-dip （0.300 "、7.62mm） dタイプ 74175PCQR 相補的 4.75v〜5.25V 16-pdip ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 1 4 - マスターリセット 25 MHz ポジティブエッジ 35NS @ 5V、15pf 45 Ma
DM74S157J National Semiconductor DM74S157J 1.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 国立半導体 74s バルク アクティブ 0°C〜70°C 穴を通して 16-CDIP （0.300 "、7.62mm） データセレクター/マルチプレクサ 74S157 4.75v〜5.25V 16-CDIP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 1 1ma 、20ma 単一の供給 4 x 2：1 1
7426PC National Semiconductor 7426pc 0.1500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ 0°C〜70°C 穴を通して 14-dip （0.300 "、7.62mm） オープンコレクター 7426 4 4.75v〜5.25V 14ディップ ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 ナンドゲート 1ma、 - 22 Ma 2 - - -
DM8130N National Semiconductor DM8130N 2.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ - 穴を通して 24-dip（0.600 "、15.24mm） アイデンティティコンパレータ DM8130 アクティブロー - 24-pdip ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 1 - 10 a = b -
9009DM National Semiconductor 9009dm 6.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ -55°C〜125°C 穴を通して 14-CDIP （0.300 "、7.62mm） - 9009 2 4.5v〜5.5V 14-CDIP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 ナンドゲート -、48ma 12.9 Ma 4 17NS @ 5V、15pf 0.9V 1.7V
4015BDC National Semiconductor 4015bdc -
RFQ
 ECAD 9430 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 16-CDIP （0.300 "、7.62mm） 4015 非反転 3V〜16V 16-CDIP ダウンロード ROHS非準拠 2a （4 週間） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 1 シフトレジスタ 2 4 シリアルからパラレル
74293PC National Semiconductor 74293pc 1.3200
RFQ
 ECAD 635 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ 0°C〜70°C 穴を通して 14ディップ 74293 上 4.75 V〜5.25 v 14-pdip ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 バイナリカウンター 1 4 非同期 - ネガティブエッジ
4016BDC National Semiconductor 4016bdc 2.0800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 国立半導体 4016b バルク アクティブ - 穴を通して 14-CDIP 両側、フェットスイッチ 4016 - 14-CDIP ダウンロード ROHS非準拠 2a （4 週間） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 1 - - 1 x 1：1
DM8123N National Semiconductor DM8123N 0.9000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ 0°C〜70°C 穴を通して 16-dip （0.300 "、7.62mm） マルチプレクサ 4.75v〜5.25V 16-pdip ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 - 単一の供給 4 x 2：1 1
DM8309N National Semiconductor DM8309N 0.9400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ -55°C〜125°C 穴を通して 16-dip （0.300 "、7.62mm） データセレクター/マルチプレクサ 4.5v〜5.5V 16-pdip ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 1 800µA 、16mA 単一の供給 2 x 4：1 1
ADC10662CIWM National Semiconductor ADC10662CIWM 2.5600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 国立半導体 - バルク アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 24-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） - シングルエンド 24ソップ ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8542.39.0001 1 10 1.5m 2 平行 S/H-ADC 1：1 1 フラッシュ 外部、内部 5V 5V
54LS163AFMQB National Semiconductor 54LS163AFMQB 1.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 国立半導体 54LS バルク アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 16-cflatpack 54LS163 上 4.5 V〜5.5 v 16-cflatpack ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 バイナリカウンター 1 4 同期 同期 25 MHz ポジティブエッジ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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