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ICS ）（6717）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	特徴	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	現在 -供給	電圧 -入力	出力タイプ	温度係数	sicプログラム可能	回路の数	比率 -入力：出力	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	ロジックタイプ	要素の数	要素ごとのビット数	電流 -出力が高く、低い	関数	現在 -静止（最大）	入力数	参照タイプ	電圧 -供給（ vcc/vdd）	インタフェース	パワー（ワット）	クロック周波数	出力数	メモリタイプ	メモリサイズ	トリガータイプ	Max Propagation Delay @ V	現在 -静止（IQ）	アクセス時間	入力容量	入力ロジックレベル -低い	入力ロジックレベル -高	回路	独立した回路	遅延時間 -伝播	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ	出力分離	内部スイッチ	電圧 -故障	トポロジー	電圧 -起動	デューティサイクル	周波数 -切り替え	障害保護	制御機能	出力構成	現在 -出力	rds on（typ）	電圧 -負荷	スイッチタイプ	現在 -出力（最大）	電圧 -min/固定）	ノイズ-0.1Hz10Hz	ノイズ-10Hz10kHz	現在 -カソード	電圧 -出力（最大）
74ACT377SC	0.2500	RFQ	57	フェアチャイルド半導体	74ACT	チューブ	廃止		-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	20-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	dタイプ		74ACT377					非反転					4.5v〜5.5V	20-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8542.39.0001	1,080		1	8	24ma 、24ma	標準							175 MHz				ポジティブエッジ	10NS @ 5V 、50pf	40 µA		4.5 pf
MM74HCT373SJX	0.2400	RFQ	6	フェアチャイルド半導体	74HCT	バルク	廃止		-40°C〜85°C		表面マウント	20-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）			74HCT373					トライステート					4.5v〜5.5V	20ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8542.39.0001	2,000	dタイプの透明ラッチ			7.2ma 、7.2ma																			8：8	1	25ns
74VCX16601MTD	1.3400	RFQ	18	フェアチャイルド半導体	74VCX	チューブ	廃止		-40°C〜85°C		表面マウント	56-TFSOP （0.240 "、幅 6.10mm）			74VCX16601								18ビット		1.4V〜3.6V	56-tssop	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8542.39.0001	34	ユニバーサルバストランシーバー			24ma 、24ma
FM25C160ULZEM8	0.5700	RFQ	3594	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			FM25C160		Eeprom								2.7V〜5.5V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.32.0051	1												1 MHz		不揮発性	16kbit											Eeprom	2k x 8	spi	15ms
FDZ2040L	-	RFQ	2641	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-25°C〜75°C（タタ		表面マウント	4-ufbga、wlcsp		荷重放電	FDZ2040	非反転				pチャネル				1：1		4-wlcsp（ 0.8x0.8）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	3,000									必要ありません	オン/オフ			1																								-		ハイサイド		47mohm	1.6V〜4V	汎用	1.2a
FPF2187	0.4200	RFQ	750	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ								FPF2187												ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-FPF2187-600039			1
fan6100mmpx	0.4300	RFQ	46	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	セカンダリーサイドコントローラー	表面マウント	20-wfqfn露出パッド			fan6100			2.4 Ma	最大16V			確認されていません			3.12V〜6V	20-mlpq	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	3,000
NM24C02ULEM8X	0.3400	RFQ	25	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			NM24C02		Eeprom								2.7V〜5.5V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.32.0051	2,500												100 kHz		不揮発性	2kbit				3.5 µs							Eeprom	128 x 16	i²c	15ms
FM93C66ALMT8X	0.3000	RFQ	50	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		0°C〜70°C（Ta）		表面マウント	8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）			93C66A		Eeprom								2.7V〜5.5V	8-tssop	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.32.0051	2,500												250 kHz		不揮発性	4kbit											Eeprom	512 x 8、256 x 16	マイクロワイヤ	15ms
74LVTH245SJ	0.4100	RFQ	13	フェアチャイルド半導体	74lvth	チューブ	廃止		-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	20-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）			74LVTH245	-				3状態					2.7V〜3.6V	20ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8542.39.0001	38	トランシーバー、非反転	1	8	32ma 、64ma
MM74HCT245SJ	0.5500	RFQ	24	フェアチャイルド半導体	74HCT	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	20-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）			74HCT245	-				3状態					4.5v〜5.5V	20ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	1	トランシーバー、非反転	1	8	7.2ma 、7.2ma
74LCX16244MEA	1.1400	RFQ	10	フェアチャイルド半導体	74lcx	チューブ	廃止		-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	48-BSSOP （0.295 "、幅7.50mm）			74LCX16244	-				3状態					2V〜3.6V	48スソップ	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8542.39.0001	29	バッファー、非反転	4	4	24ma 、24ma
RC0431AMT	0.0900	RFQ	66	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±1％	0°C〜70°C（Ta）		表面マウント	SC-74A 、SOT-753			RC0431			-	-	調整可能	-					SOT-23-5	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	3,000								シャント																																15 Ma					1.24V	-	-	100 µA	12 v
FS6X0720RJ	0.7300	RFQ	9685	フェアチャイルド半導体	FPS™	バルク	廃止		-25°C〜85°C（タタ		表面マウント	TO-263-7			FS6x0720											d²pak-6	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8542.39.0001	1,000									9V〜35V		26 W																			隔離	はい	200V	フライバック、フォワード	15 V	80％	300kHz	電流の制限、過負荷、温度、電圧	-
NC7S02L6X	0.1400	RFQ	622	フェアチャイルド半導体	7秒	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C		表面マウント	6-ufdfn		-	7S02								1		2V〜6V	6ミクロパック	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1	ゲートも			2.6MA 、2.6mA		1 µA	2										17NS @ 6V 、50pf				0.5V	1.5V
74F299SJX	0.5500	RFQ	5	フェアチャイルド半導体	74f	バルク	アクティブ		0°C〜70°C		表面マウント	20-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）			74F299					トライステート					4.5v〜5.5V	20ソップ	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1	シフトレジスタ	1	8		ユニバーサル
HT8822N	0.6700	RFQ	7	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ								HT8822												-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1
74LVTH244SJX	0.3000	RFQ	10	フェアチャイルド半導体	74lvth	バルク	廃止		-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	20-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）			74LVTH244	-				3状態					2.7V〜3.6V	20ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8542.39.0001	2,000	バッファー、非反転	2	4	32ma 、64ma
FPF1009R	-	RFQ	1914年年	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	6-vdfn露出パッド		負荷放電、スルーレートが制御されます		非反転				pチャネル				1：1		6- マイクロフェット（2x2）	-				2156-FPF1009R			1									必要ありません	オン/オフ			1																								-		ハイサイド		30mohm	1.2V〜5.5V	汎用	1.5a
FSFR2100XS	-	RFQ	3120	フェアチャイルド半導体	FSFR-XS	バルク	アクティブ		-40°C〜130°C （TJ		穴を通して	10-ssip モジュール、 9 つのリード、リードを形成しました			FSFR2100											9-SIP	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1									10V〜25V		400 W																			隔離	はい	500V	ハーフブリッジ	12.5 v	50％	最大300kHz	電流の制限、温度上、電圧を超えています	周波数制御
74LVX04MX	0.2400	RFQ	11	フェアチャイルド半導体	74lvx	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C		表面マウント	14-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		-	74LVX04								6		2V〜3.6V	14-SOIC	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1,229	インバーター			4ma 、4ma		2 µA	1										9.7NS @ 3.3V 、50pf				0.5V〜0.8V	1.5V〜2.4V
74LCX374MTCX	0.2700	RFQ	128	フェアチャイルド半導体	74lcx	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	20-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）	dタイプ		74LCX374					3 つの状態、非反転					2V〜3.6V	20-tssop	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	2,500		1	8	24ma 、24ma	標準							150 MHz				ポジティブエッジ	8.5ns @ 3.3V 、50pf	10 µA		7 pf
FSA3041UMX	0.4000	RFQ	256	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			携帯電話、デジタルカメラ、メディアプレーヤー	表面マウント	16-ufqfn													2.5V〜4.5V	16-UMLP （1.8x2.6）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	5,000										USB 2.0
FS7M0680YDTU	-	RFQ	9407	フェアチャイルド半導体	FPS™	チューブ	廃止		-25°C〜85°C（タタ		穴を通して	to-3p-5形成リード			FS7M0680											to-3p-5l （形成）	-	ROHS3準拠				ear99	8542.39.0001	360									9V〜30V																					隔離	はい	800V	フライバック、フォワード	15 V	50％	66kHz	電流の制限、過負荷、温度、電圧	ソフトスタート
74ACQ244PC	0.6000	RFQ	5	フェアチャイルド半導体	74ACQ	チューブ	廃止		-40°C〜85°C（タタ		穴を通して	20-dip （0.300 "、7.62mm）			74ACQ244	-				3状態					2V〜6V	20-pdip	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8542.39.0001	18	バッファー、非反転	2	4	24ma 、24ma
74VHC04MTCX	0.2200	RFQ	224	フェアチャイルド半導体	74VHC	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C		表面マウント	14-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）		-	74VHC04								6		2V〜5.5V	14-tssop	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1,352	インバーター			8ma 、8ma		2 µA	1										7.5ns @ 5V 、50pf				0.5V	1.5V
ML4775CS8	0.8900	RFQ	6	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ																				-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1
74AC240PC	0.4000	RFQ	12	フェアチャイルド半導体	74AC	チューブ	廃止		-40°C〜85°C（タタ		穴を通して	20-dip （0.300 "、7.62mm）			74AC240	-				3状態					2V〜6V	20-pdip	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8542.39.0001	450	バッファ、反転	2	4	24ma 、24ma
FM24C08ULZEM8	-	RFQ	1561	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			FM24C08		Eeprom								2.7V〜4.5V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.32.0051	1												100 kHz		不揮発性	8kbit				3.5 µs							Eeprom	1k x 8	i²c	15ms
NM25C020LZM8X	0.4800	RFQ	5	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		0°C〜70°C（Ta）		表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			NM25C020		Eeprom								2.7V〜4.5V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.32.0051	2,500												1 MHz		不揮発性	2kbit											Eeprom	256 x 8	spi	15ms

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ICS ）（6717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²